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2024 年上士 EPS 考量清单
包含在数据包中：CPMOS 变更请求 DA 表格 4187：................................................................................................................. *如果与 IPPS-A CPMOS 或 NGB 表格 4100 不同则需要。如果为空白，且请求的 CPMOS 是 PMOS，则 DA 表格 4187 不适用。*
案卷编号 2058-23 参考号： 签名 日期 亲爱的
如果满足以下条件，A、B 或 C 区中拥有 PMOS“…6332…”的下士至枪炮士官均有资格。必须拥有至少一个必要的 MOS (NMOS) 和当前资格：6012-安全飞行 (SFF) 管制员、6016-附带职责检查员 (CDI)、6017-附带职责质量保证代表 (CDQAR)、6018-质量保证代表 (QAR) 或 6242-飞行工程师。必须当前被分配到以下 MCC，重新入伍 48 个月，并同意在前 24 个月（当前合同结束后）留在指定的 MCC，除了第 3.m、3.n 和 3.o 段中列出的 PMOS 奖金金额外，还将获得 20,000 美元的奖励。如果第 3.m、3.n 和 3.o 段未列出 PMOS 奖金，则海军陆战队员可获得 20,000 美元的一次性奖金。授权用于飞机维护奖金的监控命令代码 (MCC)：“…V81…” B 区适用于服役 6 至 10 年的现役海军陆战队员。如果海军陆战队员在重新入伍之日服役正好 10 年，并且之前未获得过 B 区 PMOS 奖金，则可获得 B 区 PMOS 奖金。重新入伍至少 48 个月义务服役的海军陆战队员的 B 区 PMOS 奖金授权金额如下（重新入伍 36 至 47 个月义务服役的海军陆战队员的奖金将按照第 3.j 段计算）。此外，已批准 MOS 6332 的“B”区 SRB，上限为 7,000 美元，E-6，用于 48 个月的额外义务服务。2022 年 9 月 22 日，您的职业现役重新入伍申请已提交，并于 2022 年 11 月 3 日获得 HQMC 批准。此外，据指出，从 2022 年 11 月 7 日起重新入伍 4 年零 5 个月，将导致 SRB 支付 31,000 美元，用于 48 个月的额外义务服务。根据 2022 年 10 月 24 日发布的 MARADMIN 557-22，本 MARADMIN 宣布对 MARADMIN 295/22 进行更改，并一直有效到 2023 年 9 月 30 日或另有说明。MARADMIN 295/22 的第 3.n 段特此更改为以下内容。变化包括增加 6317 和 6332 的奖金金额。此外，还批准了 MOS 6332 的“B”区 SRB，上限为 31,000 美元，E-6 及以上，额外义务服务 48 个月。2022 年 11 月 7 日，您重新入伍 4 年零 5 个月，ECC 为 2027 年 4 月 6 日。2023 年 1 月 6 日，您从 ，（ ）转入，并于 2023 年 1 月 23 日加入 ，，（ ）执行任务。您要求支付 20,000 美元的 FY23 飞机维修津贴；董事会在审查您的整个记录和申请时，仔细权衡了所有可能的减轻因素，包括您的主张。然而，委员会得出结论，根据 MARADMIN 295/22，要想获得飞机维修员的资格，你必须拥有 NMOS，这是一项现行资格，并且目前被分配到列出的 MCC 之一，并且在重新入伍后仍留在指定的 MCC 24 个月。在您重新入伍时，您没有被分配到指定的 MCC；因此，您没有资格获得飞机维修津贴。
CMOS 数字逻辑电路简介
图 14.1 (a) NMOS 和 (b) PMOS 晶体管作为开/关开关的操作。栅极电压控制晶体管开关的操作，电压 V DD 表示逻辑 1，0 V 表示逻辑 0。请注意，漏极和源极端子的连接未显示。
一个新颖的常数GM轨道轨道轨输入阶段用于操作...
摘要在本文中介绍了CMOS操作放大器的新型常数G轨道轨道输入阶段。输入阶段主要由PMOS晶体管差异和nmos晶体管差为差异对，并平行地放置为轨道到轨道差异输入阶段，并且两个差异对的尾电流分别由PMOS和NMOS普通型Voltimode Voltigage Voltecor控制。操作放大器的输入阶段的G M可以是输入共同模式电压内的恒定值。模拟结果表明，当电源电压分别为1.8 V和3.3 V时，整个输入范围（0〜1.8 V或0〜3.3 V）的G M变化在±1之内。38％和±3。38％。功率耗散为36.9 µW，51.74 µ W. SMIC 55 nm CMOS工艺和Cadence Specter Simulator用于布局和模拟这项工作。关键字：轨道轨道，常数G M，操作放大器，共同模式范围，低压分类：集成电路（内存，逻辑，模拟，RF，传感器）
适用于低功耗应用的堆叠介电三材料圆柱形栅极 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流建模
堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 已被用于低功耗应用。本文介绍了堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流分析模型。分析结果与 TMSG MOSFET 进行了比较，获得了良好的一致性。该器件的亚阈值电流非常低，可以考虑实现 CMOS 反相器。设计了一个 PMOS 晶体管，并将 PMOS 晶体管的驱动电流与 NMOS 器件进行调谐，以获得驱动电流的理想匹配。设计了一个 CMOS 反相器。检查了器件的瞬态和直流行为。计算了 CMOS 反相器的功耗，并将其与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器进行了比较。与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器相比，所提出的器件的功耗降低了 5 倍。这表现出功率耗散的显著改善，这对于制造低功耗的未来一代设备非常有用。
设计800 MHz电压控制的振荡器
g Mn的频率p ds g ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds ds the频率p dc p dc p dc p dc p dc p dc p d f o ff os频率的频率的变化∆ f o ff设置频率
职位空缺：项目管理官员（HEI 计划）
高等教育倡议 (HEI) 项目管理官员职位规格 EIT 文化与创造力正在积极寻找两名高技能且充满活力的项目管理官员 (PMO) 加入我们不断壮大的团队。这些角色对于我们的计划和方案的成功至关重要，特别是在管理和推进由 EIT HEI 倡议 (HEI) 资助的项目和相关活动方面。这些职位的预期开始日期为 2025 年 3 月。选定的候选人将监督 EIT 文化与创造力的 HEI 资助项目，参与 HEI 资助的呼叫开发和战略工作，并确保 HEI 资助的项目与 EIT CC 战略议程和商业计划有效保持一致，并制定提案征集和计划评估。PMO 将向教育主任汇报，并将与各种 EIT CC 和 HEI 团队和利益相关者合作。进入此选拔流程的候选人还可能被纳入 PMO 官员库，该库的有效期为 12 个月，可供考虑未来职位。我们正在寻找全职职位的候选人，以满足我们的知识创新社区 (KIC) 及其项目的多样化需求。兼职职位可通过协议考虑。
LED 显示屏行驱动芯片TM3301
集成串行译码电路 集成 8 高效 PMOS 输出 , 导通电阻 100mΩ 集成内部防烧功率管 动态消影技术 反向击穿保护 支持最大持续电流 2.5A 低功耗设计 消影电位 8 档可调 封装形式： SOP16 广泛应用领域： LED 显示屏、 LED 照明、 LED 景观亮化
