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被剥夺或垃圾在德国经济或MWR捐赠
中士/E-5及以上的人员或持有PMOS 88N的人员授权参加空中运动控制官（AMCO）课程。参加AMCO课程的人员将从0830开始在Pax Shed 1（BLDG＃W-1335）签署。本课程由三个独立的认证，即军事空气运输危险材料（TM 38-250第3章移动 - 仅），设备准备课程（EPC）和AMC Airlift Load Planners课程（包括ICODES技术认证）。
数字设计师的线性稳压器和热管理 (LDO) 指南
1 线性稳压器的电位器模型 3 ......................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..2 功率耗散表 来自 TPS763xx 数据表 (2000 年 4 月) 6 ..........................3 功率耗散表 来自 TPS768xx 数据表 (99 年 7 月) 7 .............................4 5 引线 SOT223 的热阻与 PCB 面积 7 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......5 封装的热和面积比较 8 ..............。。。。。。。。。。........................6 稳态热当量模型 9 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 100 µ A l Q PMOS 和 PNP LDO 的比较 15 ．。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 电压降示例 16 ......................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 功率耗散表 来自 TPS76318 数据表 (5 月 1 日) 17 ..........................10 来自 REG101 数据表 (07 月 01 日) 18 ...............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
设计和实施低功耗...
移动，电池电力系统（例如蜂窝电话，个人数字助手等）不断增长的市场要求设计具有低功率耗散的微电子电路。更一般而言，随着芯片的密度，大小和复杂性继续增加，提供足够冷却的困难可能会增加大量成本，或者限制使用这些集成电路的计算系统的功能。在过去十年中，已经提出了几种设计低功率电路的技术，方法和工具。但是，其中只有少数在当前设计流中找到了自己的方式[1]。在CMOS电路中，有三个主要的功率耗散来源。这些是开关功率，短路电源和泄漏功率。开关功率是由于电路驱动的充电和排放电容器。短路功率是由同时进行PMOS/NMOS晶体管对时产生的短路电流引起的。最后，泄漏功率起源于底物注入和子阈值效应。导致泄漏功率增加的主要原因之一是子阈值泄漏功率的增加。当技术尺寸缩小时，电源电压和阈值电压也会缩小。子阈值泄漏功率随着阈值电压的降低而成倍增加。堆栈方法，强制NMO，强制PMO和困倦的门将方法是一些泄漏电流减少方法[2]。
高温合成气体退火对HfO2的影响...
德克萨斯大学奥斯汀分校微电子研究中心，美国德克萨斯州奥斯汀 78758 电话：(512) 471-1627，传真：(512) 471-5625，电子邮件：k-onishi@mail.utexas.edu 摘要 研究了合成气体 (FG) 退火对 HfO 2 MOSFET 性能的影响。结果表明，高温 (500-600°C) FG 退火可显著改善 N 和 PMOSFET 的载流子迁移率和亚阈值斜率。这种改善与界面态密度的降低有关。还在 HfO 2 沉积之前用 NH 3 或 NO 退火进行表面处理的样品上检查了 FG 退火的有效性。结果发现，FG 退火不会降低 PMOS 负偏置温度不稳定性特性。
LDOS 线性稳压器设计指南 - 德州仪器
1 线性稳压器的电位器模型 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 摘自 TPS763xx 数据表的功率耗散表（2000 年 4 月） 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 5 引线 SOT223 的热阻与 PCB 面积关系 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 封装的热和面积比较 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 稳态热等效模型 9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 功率耗散表 摘自 TPS76318 数据表 (2001 年 5 月) 17 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 摘自 REG101 数据表 (2001 年 7 月) 18 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
3. 需要注意的是，M1 的 V OV 指定为 0.15 V，因此根据计算，V1 的直流偏置值应为 0.55V。这将使 M1 接近三极管区域，因此 VO 的信号摆幅将受到限制。这是因为问题解决方案中的计算结果没有考虑由于沟道长度调制 (LAMBDA) 而流动的电流。由于 NMOS 的 LAMBDA 大于 PMOS，因此它将输出端的工作点拉低至地。由于 L 非常小，因此这里的影响非常显著。因此，V1 的直流偏置略低于 0.53V。4. 执行瞬态分析并绘制 V(VO) 和 V(VI)。找到电路的增益。增益为 21.7 V/V。
准尉报告代码
第 7 章 报告代码 7-1。人员和兵力报告代码 当主要或值班 MOS 不合适时，以下报告代码将用于人员和兵力核算文件中，以反映准尉的状态。a.报告代码 001A，授权准尉 MOS 不合格。代替 PMOS 来报告无法在本出版物中包含的任何 MOS 中适当分类的准尉。在此报告代码中分类的准尉将被视为多余人员，直到他们有资格在授权准尉 MOS 中分类或从现役陆军或 USAR 退役。b.报告代码 002A，病人。用于代替值班 MOS，报告因疾病、精神或身体残疾或住院或非住院康复状态而解除职务的准尉的当前值班状态。此代码将用于报告因医疗原因而待退伍或退休的准尉，如果情况不允许以生产性状态就业，则将使用该代码报告。c. 报告代码 003A，学生。用于代替值班 MOS，报告正在陆军服务学校或民事机构或其他类似组织的培训机构全职学习课程的准尉的当前值班状态。d. 报告代码 004A，未分配或正在转移的职责。用于代替职责 MOS，报告被赋予特定主要职责（无论是被分配或附属于某个单位，还是正在加入某个单位）的准尉缺席当前职责分配的情况。7-2.代替 MOS 的奖励 除了报告代码 001A 中等待 PMOS 资格的准尉分类外，报告代码不会用于人员或职位分类。
第 7 章 报告代码 7-1.人员和实力……
第 7 章 报告代码 7-1。人员和兵力报告代码 当主要或值班 MOS 不合适时，以下报告代码将用于人员和兵力核算文件中，以反映准尉的状态。a.报告代码 001A，授权准尉 MOS 不合格。代替 PMOS 来报告无法在本出版物中包含的任何 MOS 中适当分类的准尉。在此报告代码中分类的准尉将被视为多余人员，直到他们有资格在授权准尉 MOS 中分类或从现役陆军或 USAR 退役。b.报告代码 002A，病人。用于代替值班 MOS，报告因疾病、精神或身体残疾或住院或非住院康复状态而解除职务的准尉的当前值班状态。此代码将用于报告因医疗原因而待退伍或退休的准尉，如果情况不允许以生产性状态就业，则将使用该代码报告。c. 报告代码 003A，学生。用于代替值班 MOS，报告正在陆军服务学校或民事机构或其他类似组织的培训机构全职学习课程的准尉的当前值班状态。d. 报告代码 004A，未分配或正在转移的职责。用于代替职责 MOS，报告被赋予特定主要职责（无论是被分配或附属于某个单位，还是正在加入某个单位）的准尉缺席当前职责分配的情况。7-2.代替 MOS 的奖励 除了报告代码 001A 中等待 PMOS 资格的准尉分类外，报告代码不会用于人员或职位分类。
采用漏电流降低技术的低功耗 FINFET SRAM 的设计和分析
MTCMOS 电路的构造通常如图 2 所示。逻辑电路和电源线之间是高 Vth 的 PMOS 和 NMOS 晶体管。为了实现实时逻辑功能，在系统处于活动状态时激活休眠信号。在休眠模式下，具有较高 Vth 值的晶体管被关闭，以将逻辑电路与电源线分开。在待机状态下，这会将流中的泄漏降低到阈值以下。对于低功耗、高速设备，MTCMOS 可能是制造商的可行选择。在构建具有 MTCMOS 架构的电路时，确定更高阈值晶体管的尺寸是一项重要的考虑因素。在 6T FinFET SRAM 的上部和下部，放置了更高阈值的晶体管，如图 11 所示。这种更高的