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适用于汽车雷达传感器的 28 nm FD-SOI CMOS 技术的 40 GHz VCO 和分频器
摘要：本文介绍了一种 40 GHz 压控振荡器 (VCO) 和分频器链，采用意法半导体 28 nm 超薄体盒 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺制造，具有八层金属后道工艺 (BEOL) 选项。VCO 架构基于带有 p 型金属氧化物半导体 (PMOS) 交叉耦合晶体管的 LC 谐振腔。VCO 通过利用可通过单个控制位选择的两个连续频率调谐带，展现出 3.5 GHz 的调谐范围 (TR)。在 38 GHz 载波频率下测得的相位噪声 (PN) 分别为 - 94.3 和 - 118 dBc/Hz（频率偏移为 1 和 10 MHz）。高频分频器（频率从 40 GHz 到 5 GHz）采用三个静态 CMOS 电流模式逻辑 (CML) 主从 D 型触发器级制成。整个分频器因子为 2048。低频分频器采用工作频率为 5 GHz 的 CMOS 触发器架构。VCO 核心和分频器链的功耗分别为 18 和 27.8 mW（电源电压为 1.8 和 1 V）。使用热室在三个结温（即 − 40、25 和 125 ◦ C）下验证了电路的功能和性能。
实验证明了1.2 kV的沟槽簇状隔热栅极双极晶体管
硅IGBT的开发一直以更高的功率效率和更高的当前处理能力来设计优化和降低电源转换器系统的成本。在过去的三十年中，通过引入沟槽几何学[1]，野外停机（FS）技术[2]和注射增强（IE）效应来取得重大进展。但是，在州绩效，切换频率和长期可靠性方面的进一步改善变得难以实现。这是因为动态雪崩（DA）在限制高电流密度操作能力方面起着关键因素[4-7]。要打破常规IGBT的基本限制，并保持与宽带差距（WBG）功率设备的竞争力，必须以可靠的方式实施创新的硅技术，以实现自由运营和显着降低功率损失，同时与WBG替代品相比保持硅的成本竞争力。这是因为无DA的操作可以降低门电阻，从而降低开关损耗并提高可靠性。沟槽簇的IGBT（TCIGBT）是唯一到目前为止已实验证明的无DA的解决方案[7-11]。其自晶状功能和PMOS操作可有效地管理沟槽门下的峰值电场分布。此外，即使将NPT-TCIGBT与FS-IGBT进行比较，固有的晶闸管操作也会提供更低的状态损失[10，11]。因此，TCIGBT提供了一种高度有希望的解决方案，可以超越当前IGBT技术的限制。
vitae -khalkoon S. abugushieh
•博士学位（美国加利福尼亚州圣塔克拉拉大学电气工程系）Sanad Kawar，“在物联网应用中，用于收获能源收集的输入功率最大效率跟踪技术”，2020年。•M.Sc.（电气工程系，苏马亚公主技术大学，安曼，约旦）•Moh'd Rasoul Masadeh，“使用低电源电压的CMOS连续时间线性均衡器的设计”，2021。•Mohammed Al-Fayyad，“低功率静态随机访问存储系统的设计和模拟”，2019年。•Abdulla Deeb，“用于混合模式应用程序的模拟IC滤波器的设计”，2018年。•Osama Bondog，“使用CMOS技术和低电源电压增强的D型触发器”，2017年。•Jannah al-Hashimi，“用于模拟信号的开关模式操作放大器的设计低电压应用”，2017年。•Abdallah Hasan，“混合信号应用中使用的高性能样品和保留电路”，2016年。•Waseem al-Akal，“高性能CMOS加法器”，2016年。•穆斯塔法·西哈达（Mustafa Shihada），“高速前端CMOS接收器具有信号均衡”，2016年。•Mahmoud Mohammed，“使用MOSFET晶体管的电压参考电路的设计”，2014年。•Sanad Kawar，“连续收发器ICS信号检测器的高性能损失”，2014年。•HAZEM MARAR，“高性能1.8V PMOS的LVD驱动程序”，2012年。7。美国发行的专利
后端VLSI设计课程内容
Course Content: Module 1: INTRODUCTION TO VLSI DESIGN: What is VLSI Design and Microelectronics / Practical Applications of Integrated Circuits / Why study VLSI Design and Microelectronics / Career Prospects in VLSI Design / ASIC Design Flow / Types of Integrated Circuits ( Full Custom / Semi Custom / Gate Array ) / State of the Art in VLSI Design.模块2：MOSFET的操作和建模：MOSFET作为开关 / NMOS和PMOS晶体管 / MOS设备 / MOS设备的物理 /操作 /电流方程在不同区域 /阈值电压 /身体效应 /车身效应 /通道长度调制 /速度饱和 /短通道效果 /简短通道效应 /简介Spice Simulation。模块3：CMOS工艺技术和芯片制造：半导体晶体生长 /晶圆制剂的简介 /外交 /氧化 /扩散 /光刻 /金属化 /金属化 /蚀刻 /芯片包装和测试。模块4：数字CMOS电路的电路设计和布局：组合和顺序电路 /逻辑门 /闩锁和flops和flops /逻辑设计样式 /逻辑系列。模块5：CMOS模拟电路设计 - 简介：MOSFET / MOS模型 /电流源 /电流镜像 /差分放大器 /比较器 / opamp / opamp / bgr / dac / dac / adc / pll / rf电路的电流方程。模块6：模拟布局 - 概述：电阻器 /电容器 / MOSFET /匹配技术的布局（互构化和公共质心布局） /可靠性问题 - 电气移民 / ir drop / crosstalk / crosstalk / latchup / eSD / eSD /天线效应。行业标准EDA / CAD介绍模拟布局。
发件人：海军记录修正委员会主席 收件人：海军部长 主题：海军记录 ICO 审查 编号：(a) 美国法典第 10 章
发件人：海军记录更正委员会主席 收件人：海军部长 主题：海军记录 ICO 审查 参考：(a) 第 10 章 USC § 1552 (b) MARADMIN 376/20，20 年 6 月 30 日 附件：(1) DD 表格 149 及其附件 (2) HQMC（MMEA）的咨询意见，23 年 5 月 23 日 (3) 主题的海军记录 1. 根据参考 (a) 的规定，主题，以下称为请愿人，向海军记录更正委员会（委员会）提交了附件 (1)，要求更正他的海军记录，以确定请愿人有资格获得并已收到 FY21 飞机维护补助金。 2. 委员会于 2023 年 6 月 8 日审查了请愿人的错误和不公正指控，并根据其规定，决定根据现有的记录证据采取以下纠正措施。委员会审议的文件材料包括附件、请愿人海军记录的相关部分以及适用的法规、条例和政策。3. 在向委员会提出申请之前，请愿人已用尽海军部现行法律和法规规定的所有行政补救措施。委员会审查了与请愿人的错误和不公正指控有关的所有记录事实，发现如下：a. 2006 年 11 月 14 日，请愿人开始服现役，并于 2007 年 11 月 1 日被分配了主要军事职业专长 (PMOS) 6154，并于 2012 年 4 月 10 日被分配了 ADMOS1 6018。b. 2016 年 10 月 1 日，申诉人晋升为上士/E-6，并加入
赖布尔国家技术学院
UNIT-I 布尔代数与逻辑门概述：数字系统和代码、二进制算术、布尔代数、开关函数最小化、德摩根定理、卡诺图方法（最多 4 个变量）、奎因麦克拉斯基方法、不关心条件和多输出开关功能的情况。 UNIT-II 组合电路：NAND / NOR 门、开关函数的实现、半/全加器、半/全减器、串联和并联加法、BCD 加法器、前瞻进位生成器、解码器和编码器、BCD 到 7 段解码器、多路复用器和多路分解器、奇偶校验位生成器和检测器错误检测。 UNIT-III 顺序电路：寄存器和计数器简介：触发器及其转换、激励表、同步和异步计数器以及顺序电路的设计：代码转换器和计数器。模式-k 和除以 K 计数器、计数器应用。UNIT-IV 逻辑系列：RTL、DTL、所有类型的 TTL 电路、ECL、电路、I2 L 和 PMOS、NMOS 和 CMOS 逻辑等的操作和特性。 UNIT-V 存储器和转换器：介绍各种半导体存储器和 ROM 和 PLA 的设计，介绍模拟/数字和数字/模拟转换器及其类型（R-2R 梯形网络和逐次逼近转换器） 教科书名称 1. WH Gothman，“数字电子学” PHI 2. RP Jain：“现代数字电子学”，TMH 参考书名称： 1. RJ Tocci，“数字系统原理与应用” 2. Millman Taub，“脉冲、数字和开关波形” TMH 3. MM Mano：“数字逻辑和计算机设计”，PHI。 4. Floyd：“数字基础”，UBS。 5. B. Somanathan Nair，“数字电子学与逻辑设计”，Prentice-Hall of India
教育技术团队教学： -
CMS-A-CC-1-1-TH：数字逻辑核心课程1：理论：04学分：60小时集成电路：（5小时）双极逻辑系列：DTL，TTL Not Gate，TTL NAND NAND NAND GATE，TTL NAND NON GATE，TTL NON GATE，TTL NOR GATE，TTL NON GATE，OPEN COLLECTOR，FANOR，fan-in-fan-in，fan，Out; MOS Logic Families: NMOS, PMOS, CMOS, SSI, MSI, LSI and VLSI classification Number Systems : (5 hours) Weighted and Non-Weighted Codes, positional, Binary, Octal, Hexadecimal, Binary coded Decimal (BCD), Gray Codes, Alphanumeric codes, ASCII, EBCDIC, Conversion of bases, Parity bits, Single Error bit detection and校正代码：锤击代码，固定和浮点算术：加法，减法，乘法和除法。Boolean Algebra: (8 hours) Fundamentals of Boolean Expression: Definition of Switching Algebra, Basic properties of Switching Algebra, Huntington's Postulates, Basic logic gates (AND, OR, NOT), De- Morgan's Theorem, Universal Logic gates (NAND, NOR), Minterm, Maxterm, Minimization of Boolean Functions using K-Map up-to four variables, Two level and multilevel使用逻辑门实现，简化逻辑表达式。组合电路：（20小时）一半加法器，完整加法器（3位），半减法器，全部减法器（3位）以及使用基本逻辑大门（OR和，不是）和通用逻辑门（NAND＆NOR）（NAND＆NOR），Multibit Adder-ripple-ripp-ripp-cruction-nourter corral and and and and and bcd aDder，bcd adder a adder a adder a dractor bcd adder a adder a dracter，bcd adder a adder，1 and and and and and and and bcd adder a adder a adder a adder，1 1位，2位，3位和4位比较器使用基本逻辑门。数据选择器 - 多工器：扩展（级联），还原，功能实现，通用函数实现，多功能实现。
一种新型低功耗改进型 PPN SRAM 单元设计...
一种基于低功耗改进型 PPN SRAM 单元的存储器阵列的新型设计及其对高速缓存存储器的分析评论 Gavaskar K、Surendar N、Thrisali S、Vishal M 电子与通信工程系 Kongu 工程学院 Perundurai，Erode – 638060，泰米尔纳德邦，印度。邮件 ID：gavas.20@gmail.com 摘要 – 高速缓存存储器是存储重复数据和执行操作的指令所必需的存储空间。现代处理器的速度已经显著提高，但存储器增强主要集中于在更小的空间中存储更多数据并减少延迟的能力。本文提出的基于 PNN 反相器的 10 T SRAM 单元电路由 2 个交叉耦合的 PNN 反相器（1 个 PMOS 和 2 个 NMOS 晶体管）、单端独立读取电路（2 个 NMOS 晶体管）和 2 个存取晶体管（2 个 NMOS）组成。将不同的漏电流控制技术（如 LECTOR 和 KLECTOR）应用于 10T PPN 和 10T PNN SRAM 单元以提高其保持性能，并比较其结果。8X8 存储器阵列由存储器单元、行和列解码器、预充电电路、感测放大器和写入驱动器电路组成。测量了读取、写入和保持操作的各种参数（如延迟、动态功率、功率延迟积、漏功率和静态噪声裕度），并与其他 SRAM 单元进行了比较。CADENCE Virtuoso Tool 用于设计 90 nm 技术中的各种电路。模拟结果表明，与其他单元相比，所提出的 SRAM 单元具有更好的性能，因此它可用于创建阵列结构。与其他阵列结构相比，基于 8X8 10T PNN SRAM 单元的阵列具有更低的功率和更少的延迟。
入伍人员管理
NGR 600-200 入伍人员管理 本出版物已进行大量修订。o 修订适用性声明（标题页 i）。o 修订 ARNG 办公室符号（整个出版物）。o 用 ARNG 入伍选项标准 (AOC) 替换对过时的入伍标准备忘录 (ECM) 的引用-（整个出版物）。o 添加新的 PME 课程语言（整个出版物）。o 为行政分离添加新的法定权力（第 1-5c 和 1-5d 段）。o 为入伍前申请宗教住宿添加了新程序（第 1-10 段）。o 增加了有关特殊报告守则 09R、09S 和 09W 的澄清指导（第 2-8 段）。o 将进入州军官候选人学校的士兵的薪级改为 E5（第 2-8e 段）。o 增加了根据 SMOS 或 AMOS 授予 PMOS 的澄清指导（第 2-12h 段）。o 从第 3 章中删除了现在在 AR 350-1 中概述的宽松跳伞政策。 o 增加了将女兵纳入所有军事职业技能的权力（第 3-5b 段）。o 删除了有关 79T 职业领域的指导（第 3-10 段）。o 澄清战场晋升（SGT/SSG）不会因职位空缺不足而减少（第 3-11f 段）。o 增加了对军事性犯罪者的分配限制（第 4-3 段）。o 增加了被判定犯有性暴力罪行的士兵禁止进入的 MOS 职业领域清单（表 4-1）。o 修订了女兵分配指南（第 4-5 段）。o 修订了授予 SQI M 的 1SG 资格（第 4-6 段）。o 更新了一级军士的选拔程序（第 4-6c 段）。o 澄清了填补 NCO 空缺的选拔程序（第 4-10 段）。
发件人：海军记录修正委员会主席 收件人：海军部长 主题：审查海军记录 ICO USMC 编号：(a) 标题 10 U
发件人：海军记录更正委员会主席 收件人：海军部长 主题：审查美国海军陆战队海军记录 ICO 参考：(a) 第 10 章 USC § 1552 (b) MARADMIN 295/22，22 年 6 月 15 日 附件：(1) DD 表格 149 及其附件 (2) HQMC（MMEA）的咨询意见，23 年 5 月 1 日 (3) 主体的海军记录 1. 根据参考 (a) 的规定，主体（以下称为请求人）向海军记录更正委员会（委员会）提交了附件 (1)，要求更正她的海军记录，以确定请求人有权获得并已收到 FY24 群组非财政年度提前重新入伍补助和选择性留任奖金 (SRB)。 2. 委员会由、组成，于 2023 年 5 月 11 日审查了请愿人的错误和不公正指控，并根据其规定，确定应根据现有的记录证据采取下述纠正措施。委员会考虑的文件材料包括附件、请愿人海军记录的相关部分以及适用的法规、条例和政策。 3. 在向委员会提出申请之前，请愿人已用尽海军部现行法律和法规规定的所有行政补救措施。委员会审查了与请愿人的错误和不公正指控有关的所有记录事实，发现如下：a. 2020 年 5 月 4 日，请愿人服现役 4 年，现行合同结束日期 (ECC) 为 2024 年 5 月 3 日。b. 2020 年 11 月 6 日，请愿人被分配了主要军事职业专长 (PMOS) 0431。c 2022 年 2 月 1 日，请愿人晋升为下士/E-4。d. 根据参考 (b)，宣布了 SRB 计划和 2023 财年授权的破旧服务 SRB (BSSRB) 计划。随着几个新的 SRB 计划的出现，鼓励海军陆战队彻底审查本公告的内容。第一任期海军陆战队