1纳米科学技术中心,奥兰多市中心大学 - 美国佛罗里达州32826。 2 Creol,佛罗里达州中部佛罗里达大学的光学与光子学院,美国佛罗里达州32816,美国。 3佛罗里达州中部佛罗里达大学化学系32816,美国4材料科学与工程系,佛罗里达州中部佛罗里达大学,奥兰多,佛罗里达州,佛罗里达州32816,美国。 5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。 有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。 但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。 另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。 目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。 在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。 我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。 但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。 这些1纳米科学技术中心,奥兰多市中心大学 - 美国佛罗里达州32826。2 Creol,佛罗里达州中部佛罗里达大学的光学与光子学院,美国佛罗里达州32816,美国。3佛罗里达州中部佛罗里达大学化学系32816,美国4材料科学与工程系,佛罗里达州中部佛罗里达大学,奥兰多,佛罗里达州,佛罗里达州32816,美国。5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。 有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。 但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。 另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。 目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。 在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。 我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。 但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。 这些5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。这些厚度小于20 nm的光晶体管使用该G -PQD上层建筑制备的响应性出色的响应性为1.4×10 8 AW -1,在430 nm处的特异性检测性为4.72×10 15 Jones。此外,上层建筑的光辅助记忆效应使我们能够以36.75 PJ/ SPIKE的低能消耗来证明光子突触行为,这与神经形态计算高度相关。我们通过在机器学习的帮助下证明面部识别来揭示其在神经形态计算中的应用。我们预计PQD上层建筑将在开发高效和超薄的光电设备方面加强新的方向。引言石墨烯是电子和光电应用的理想材料,这是由于其广泛的光谱带宽,出色的运输属性具有很高的迁移率(电子迁移率> 15000 cm2Åv-1·S -1),在环境条件下的特殊稳定性和出色的灵活性稳定性和出色的灵活性1-6。已经开发了大量的复合材料和设备,用于在能量收集和存储中应用,光电遗传学和晶体管7-10。迄今为止,石墨烯光电探测器的响应性仅限于10 -2 AW -1。
量子点(QD)在液晶(LC)培养基中的分散可以有效地修改其介电和电光特性,这些特性在基于LC的显示以及非放置应用程序中很有用。在这里,我们报道了钙钛矿量子点(PQD)掺杂对列液晶(NLC)材料的介电性能的影响,即Zli-1565在其整个列和各向同性相。纯NLC的介电参数及其具有PQD的复合材料(0.1 wt。%,0.25 wt。%和0.5 wt。%)。与纯NLC相比,由于移动离子密度的增长,复合材料的介电介电常数(ɛʹ)和介电损耗(ɛʺ)的值增加。纯NLC的损耗因子(tanδ)的光谱峰随着PQD的添加向高频区域移动。此外,还评估了纯NLC和0.25 wt。%PQDS-NLC复合材料的温度依赖性介电参数(即最佳浓度)。此外,还评估了纯样品和0.25 wt。%复合材料的介电性各向异性和阈值电压。与纯净NLC相比,这里要注意的一点是,与纯NLC相比,清除温度(T n-I)的复合材料的清除温度(T N-I)减少了4°C。在这种PQDS-NLC复合材料上获得的结果可用于具有可调介电特征的基于NLC的电气设备。
摘要:铅卤化物钙钛矿材料和光学谐振器之间的强耦合使这些新兴半导体的光物理特性既可以控制,又可以观察基本物理现象。然而,实现光学定义明确的激子跃迁的光学质量钙钛矿量子点(PQD)膜的困难阻止了这些材料中强光耦合的研究,这是光电领域的核心。在本文中,我们证明了在金属谐振器中多腔激素极化子的室温下形成,它们嵌入了高度透明的邻苯二颗元素量子点(CSPBBR 3 -QD)固体,这通过对系统的吸收和发射特性的重新配置来揭示。我们的结果表明,在CSPBBR 3 -QD光腔中,似乎不存在或补偿Biexciton相互作用或大型极性形成(通常被调用以解释PQD的特性)的影响。我们观察到,强耦合可以显着降低光发射线宽度,以及光吸收的超快调制,可通过激发通量来控制。我们发现,北极星与深色态储层的相互作用在确定杂交光量子点固体系统的发射动力和瞬时吸收特性方面起着决定性的作用。我们的结果应作为将来对PQD固体作为极化材料进行研究的基础。关键字:量子点固体,钙钛矿,强烈的激子 - 光子耦合,偏振子,光学微腔
摘要。众所周知,多结太阳能电池中的发光耦合效应有助于通过载流子重新分布实现子电池之间的电流匹配。我们使用防潮全无机钙钛矿量子点 (PQD) 膜展示了 III-V 多结太阳能电池装置中的载流子重新分布。这种疏水性 PQD 膜应用于完整的 III-V 多结太阳能电池装置。这成功地展示了垂直方向的电流重新分布,表现为较低带隙子电池中的电流收集增加,以及横向的电流重新分布,从发光起源的较高带隙子电池相邻的较低带隙子电池中电流收集均匀性改善可以看出。© 作者。由 SPIE 根据 Creative Commons Attribution 4.0 Unported 许可证发布。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物,包括其 DOI。[DOI:10.1117/1.JPE.10.042005]
摘要:铅卤化物钙钛矿材料和光学谐振器之间的强耦合使这些新兴半导体的光物理特性既可以控制,又可以观察基本物理现象。然而,实现光学定义明确的激子跃迁的光学质量钙钛矿量子点(PQD)膜的困难阻止了这些材料中强光耦合的研究,这是光电领域的核心。在本文中,我们证明了在金属谐振器中多腔激素极化子的室温下形成,它们嵌入了高度透明的邻苯二颗元素量子点(CSPBBR 3 -QD)固体,这通过对系统的吸收和发射特性的重新配置来揭示。我们的结果表明,在CSPBBR 3 -QD光腔中,似乎不存在或补偿Biexciton相互作用或大型极性形成(通常被调用以解释PQD的特性)的影响。我们观察到,强耦合可以显着降低光发射线宽度,以及光吸收的超快调制,可通过激发通量来控制。我们发现,北极星与深色态储层的相互作用在确定杂交光量子点固体系统的发射动力和瞬时吸收特性方面起着决定性的作用。我们的结果应作为将来对PQD固体作为极化材料进行研究的基础。关键字:量子点固体,钙钛矿,强烈的激子 - 光子耦合,偏振子,光学微腔