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通过原位界面氢掺杂的 Zn-O 薄膜晶体管
报道的氢掺杂方法也需要高温工艺。11此外，氢掺杂可以显著增加a-IGZO TFT的导通电流，从而大大降低导通/导通电流比。15众所周知，TFT中的电子传输集中在半导体-电介质界面附近。16因此，在界面附近的有限区域内自发氢掺杂对于同步实现灵活、高性能的a-IGZO基TFT和光传感器是理想的选择，尤其是在低温下。此外，氧化铝（Al2O3）是一种高k材料，广泛用作氧化物半导体TFT中的电介质层。Al2O3电介质的制造方法包括原子层沉积（ALD）、17物理气相沉积（PVD）18和溶液工艺。 19通常，ALD需要150℃以上的高衬底温度才能获得高质量的Al 2 O 3 薄膜。Kessels等20报道了一种氧等离子体增强ALD（PEALD）技术，该技术可以在低温下沉积Al 2 O 3 薄膜，所得薄膜含有氢等杂质。在上述方法中，PEALD技术具有薄膜质量高、厚度控制精确、大面积均匀性好、工艺温度低等优点，非常适合于制作高性能柔性器件。本文研究了在不同温度下通过PEALD沉积Al 2 O 3 栅极电介质的a-IGZO TFT的感光特性。室温 (RT) 制备的 a-IGZO TFT 得益于原位界面氢掺杂效应，表现出较高的光电检测性能。通过采用基于 RT a-IGZO TFT 的可区分颜色光传感器阵列实现了彩色图案成像，并通过在聚合物基板上制备 TFT 展示了其灵活性。还展示了高温制备的 a-IGZO TFT 的光刺激突触行为。
chiplet使用互连层与高密度混合底物的异质整合
摘要在这项研究中，研究了用于chiplets的高密度有机杂交底物异质整合。重点放在与互连层的杂种底物的设计，材料，过程，制造和表征上。进行了非线性有限元分析，以显示填充有互连层导电糊的VIA处的应力状态。关键词chiplets，异源整合，杂交底物，互连层，扇出面板级芯片last I.对2.1D IC积分的简介，具有细金属线宽度（L）和间距（S）的薄膜层（无芯底物）在堆积包装基板的顶层上制造，并成为混合基板[1-5]。在这种情况下，杂交底物的屈服损失，尤其是精细的金属L/S无烷基底物很难控制，并且可能非常大。为2.3D IC积分，精细的金属L/S底物（或插头）和堆积包底物是分别制造的[6-15]。之后，细金属L/S底物和堆积封装基板通过焊接接头互连为混合基板，并通过底漆增强。在这种情况下，杂交底物的屈服损失，尤其是精细的金属L/S无烷基底物更易于控制和较小。在这项研究中，精细的金属L/S底物和堆积封装基板或高密度互连（HDI）也被单独制造，然后通过互连层组合。这与2.3d IC集成非常相似，除了焊接接头和底部填充，被取消，这些焊接被互连层取代。互连层约为60μm，由填充有导电糊的预处理和VIA（底部为100μm直径为100μm，直径为80μm），并且处于β级。精细的金属L/S无烷基基材（37μm厚度）是由PID（可令人刺激的介电），LDI（激光直接成像）和PVD（物理蒸气沉积），Photoresist和LDI，LDI，LDI，
减轻固体氧化物燃料电池中使用的不锈钢互连降解的策略
互连是固体氧化物燃料电池（SOFC）的重要组成部分，在那里它们将单个细胞电气连接以形成燃料电池堆栈。它们是造成整体堆栈成本和燃料电池寿命有限的主要贡献者，因此，在互连水平上进行的改进可以进一步推动SOFC的商业化。互连的有限寿命与当今使用的材料，铁素体不锈钢（FSS）有关。fss互连比以前使用的陶瓷更具成本效率，但是它们在SOFC中普遍存在的条件下降解：高温在600°C和850°C之间，以及P（O 2）梯度。发生的某些腐蚀现象，例如CR蒸发和连续的氧化物量表生长，分别会对阴极中毒引起的细胞性能负面影响，分别增加了电阻。已经发现这些现象通过涂层（例如（CO，MN）3 O 4（MCO）涂层或反应性元素涂层（例如CE）来有效地减轻。本论文在三个方面审查了这些涂层：（i）半导体尖晶石涂层影响互连的电阻，或者与在其下方持续生长的Cr 2 O 3比例相比，其电导率可忽略不计； （ii）即使在中等温度下，即使在涂层中也破裂，即650°C和750°C，或者使裂缝持续存在并增加Cr蒸发； （iii）是最先进的CE/涂层（10 nm Ce/640 nm Co）的长期稳定性，是否在35 000小时后具有有效。第二个方面不仅要了解腐蚀行为很重要，而且还允许大规模卷到滚动的PVD涂层，这比批处理涂层更具成本效益。在这项工作范围内阐明的另一种腐蚀现象是双重大气效应。如果FSS暴露于双重气氛，即与FSS暴露于仅空气大气相比，一侧的空气和另一侧的氢。关于为什么提出双重气氛效应的新理论，并通过排除所有其他可能性而间接验证它。讨论了影响双重大气效应的因素，并显示了双重大气效应如何部分缓解。
晶圆级光学制造
市场新闻6微型芯片收入达到2024年的23亿美元微电子新闻8 Qorvo，以创建异质的集成包装RF生产和原型化中心； acquires UWB software provider 7Hugs Labs • Imec's Advanced RF program to develop 6G device technology Wide-bandgap electronics News 16 ROHM and UAES open joint lab in Shanghai •Infineon launches first 1200V transfer-molded SiC integrated power module •GTAT to supply SiC boules to Infineon •DENSO adopts SDK's 150mm SiC epiwafers Altum wins two-year ESA合同•HRL目标是首先W波段N极高的低噪声放大器•EPC增强了欧洲销售团队•200mm Wafers材料和加工设备新闻35 AXT合并Boyu和Jinmei的IGAN和A-PRO共同开发650V GAN设备；从Dingxing•GlobalWafers接管Siltronic•Umicore合格的VCSELS 6英寸GE Wafers•IQE开发IQGEVCSEL 150技术；创始人纳尔逊（Nelson）将放弃首席执行官角色•血浆 - 塞姆（Plasma-therm）获得OEM的PVD，RTP和Etch Business Led News 52 Aledia在300mm硅Wafers上生产首个微型筹码•Porotech•Porotech推出了首个原住民Red Ingan LED Epiwafer for Micro-Newss•Osram unde usram unde usirs•OSR uviirs usecers•OSR uv-cyers usectron uv-cyecron uv-cyecron uv-cyers usecron uv-cyecron， SLD Laser •ROHM develops VCSEL module technology • NUBURU raises $20m • Hitachi High-Tech acquires VLC Photonics Optical communications News 68 POET unveils first flip-chip directly modulated lasers • Lumentum acquires TriLumina assets •Ayar Labs raises $35m • Lumentum sampling first 100G PAM4 directly modulated lasers Photovoltaics News 86 NREL和UNSW提高了两连通效率的记录，至32.9％
先进封装应用的双层材料系统的进步、多功能性和灵活性
摘要 在过去的 10-20 年里，集成电路 (IC) 的发展发生了重大转变，传统的光刻方法在更先进节点的开发时间急剧增加，而要实现与以前相同的性能提升，成本也成倍增加。成本的增加和光刻技术的进步导致人们开始研究先进的封装技术，通过改变 IC 设计方法来实现相同的性能提升。未来先进封装技术将以更低的成本提高性能，人们将 IC 视为一个相互交织工作的组件系统，而不是单个组件。这种思维转变导致了系统级封装 (SiP)、堆叠封装 (PoP) 和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 等技术的出现。在实现上述技术方面发挥关键作用的一项先进封装技术是临时键合和脱键合 (TB/DB)。 TB/DB 在先进封装中发挥的关键作用在于，通过使用支撑载体晶圆，可以实现晶圆减薄、晶圆凸块、芯片堆叠和化学气相沉积/物理气相沉积 (CVD/PVD) 型工艺等背面处理。支撑载体晶圆还可以减少整个晶圆堆叠的整体翘曲，从而允许使用易翘曲的材料，例如环氧模塑料 (EMC)，这在 FOWLP 应用中至关重要。要使用支撑载体晶圆，需要一种坚固的材料解决方案，以便将晶圆粘合在一起，然后在背面处理后通过热滑动、机械或激光脱粘等主要分离方法之一将其释放。Brewer Science 设计并开发了一种双层临时粘合系统。该系统由两种材料组成，一种是通常涂在设备上的热塑性层，另一种是通常涂在载体上的热固性层。为双层系统开发的材料在极高温度应用、EMC 晶圆处理和设备减薄至 20 µm 以下方面表现出色。在本文中，我们将总结它们的功能，并介绍如何通过材料设计来调整两个临时层之间的粘合力。我们还将介绍热固性层的一个新功能，该功能可以进行图案化，从而允许将图案化粘合材料用于 TB/DB 型应用。关键词临时晶圆粘合、双层系统、光图案化、热塑性材料和热固性材料
GIUSEPPE VALERIO BIANCO SHORT CV 研究与...
研究与专业经历 Giuseppe Valerio Bianco 于 2006 年以满分 (110/110) 优异成绩获得意大利巴里大学化学系“化学”荣誉学位，并于 2010 年获得巴里大学“创新材料化学”博士学位。他曾在微电子与微系统研究所 (CNR-IMM, Lecce Unit) 担任研究员两年 (2010-2012)，并在无机方法与等离子体研究所 (CNR-IMIP, Bari Unit) 担任研究员三年 (2012-2014)。自 2015 年起，他一直在 CNR-NANOTEC 纳米技术研究所担任研究科学家。 对科学的贡献 他的主要科学活动和专业知识，由 55 篇国际期刊出版物 (h-index=19, SCOPUS)、n 证明。 1 项专利、23 篇会议论文集和 60 多篇会议论文（亦受邀），包括：(1) 用于合成 1D（半导体纳米线）、2D（石墨烯和过渡金属二硫属化物）和 3D（金属纳米颗粒）纳米结构材料的 CVD、等离子增强 CVD 和 PVD 方法；(2) 用于材料和纳米材料表面化学处理的湿法和等离子工艺。他是 CNR-Graphene Factory 门户网站普利亚石墨烯实验室部门的科学负责人，该门户网站负责传播石墨烯和二维材料的研究。正在进行的研究项目 2020 年“GRA4TEC，用于技术应用的石墨烯”，由华为技术有限公司（加拿大）资助。职位：首席研究员（PI）；2020 年“GraFoMi，用于光子和微波器件的工程石墨烯”，由巴里理工大学资助。角色：首席研究员 (PI)；2020 年“PHEMTRONICS，主动光学相变等离子体跨维度系统，实现飞焦耳和飞秒超宽带自适应可重构设备”，由 H2020-EU.1.2.1 资助。角色：共同 PI。已完成的研究项目 2019-2020 年“COPPER”由混合和有机太阳能中心 (CHOSE，意大利罗马) 资助，用于将大面积 CVD 石墨烯用作有机光伏器件中的透明导电层。 2018-2019 “用于屏蔽和光束控制的光学透明和可重构微波设备”，由美国陆军 RDECOM 资助，contratto W911NF-18-1-0263，角色：Co-PI；2016-2018 “TWINFUSYON，用于提高光电生物传感多功能纳米系统研究能力的孪生”，由 EC H2020-TWINN-2015（692034）资助。角色：研究团队成员；2013-2016 “MEM4WIN，用于零能耗建筑的先进、可调节和经济实惠的四层玻璃窗的超薄玻璃膜”，由 EC FP7-2012-NMP-ENV- ENERGY-ICT-EeB（314578）资助。角色：研究团队成员；2010-2013 “SENS&MICROLAB，创新传感器和普利亚大区资助的“航空微系统”项目（POFESR 2007-2013）。角色：研究团队成员；2010-2012“NIM-NIL，通过纳米压印光刻技术大面积制造 3D 负折射率超材料”由 EC-FP7-NMP-2008-SMALL-2-228637 资助。角色：研究团队成员；2008-2010 “NANOCHARM，利用椭圆偏振和偏振技术进行多功能纳米材料表征”由 EC FP7-NMP-2007-CSA-1 (218570) 资助。角色：研究团队成员。