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铝板中结构性损害诊断的物理知识的机器学习
结构性健康监测（SHM）是一种监视策略，它依赖于感兴趣的结构或组件上的传感器网络允许其连续监视，从而大大减少了两次连续检查之间的时间。在SHM框架中使用的几种非破坏性技术（NDT），超声引导的波，尤其是羔羊波中，事实证明，通过利用压电（PZT）传感器网络以使波浪启动和感受效率有效。专注于羔羊波，它们已被广泛用于成像和断层扫描方法[5] [6] [7]。但是，这些方法需要从信号中提取特征才能获得损坏索引（DIS）[1] [8] [9]。同样，由于有必要实时或实时的性能以实现SHM的目的，因此正在应用机器学习（ML）算法。但是，常规的ML方法通常是监督方法，并且不能解决对从信号提取损害特征的预处理阶段的需求[10] [11] [12]。
量子计算与量子模拟中离子阱结构研究进展 - 物理学报
图 6. 带有集成光学腔的离子阱：（a）因斯布鲁克大学的集成光学腔阱 [ 93 ]。从离子发射的 854nm 光子的 50% 可被腔收集，并转换为 1550nm 的通信波长。（b）萨塞克斯大学的集成光学腔阱。该阱展示了离子和腔模式之间的第一个强耦合。（c）奥胡斯大学的离子阱。腔镜 (CM) 沿轴向，径向泵浦光束用于将离子泵回多普勒冷却循环。这些离子可在 CCD 上成像。压电换能器 (PZT) 用于主动锁定光学腔与 RP 激光器共振。（d）当径向 RP 激光器开启时，大约 100 个离子的整个晶体都是明亮的。 （d）当径向RP关闭时，只有腔内的离子是亮态，腔外的离子处于暗态[144]。
拧紧扭矩对电线键合换能器动力学和粘结强度的影响
Wirebondinghasbeenthemostwidelyusedandflexibleform of interconnecting technology in semiconductor manufacturing [1] .Themechanicalreliabilityofwirebondsinamicroelectronic package depends to a big extent on the formation of intermetallic compounds at the interface, environmental stress cycling of the module, fatigue and bonding process itself.债券过程控制和债券质量监控一直是制造OEM的主要关注点。电线键合是一个复杂的过程，具有许多参数（例如功率输入，粘结压力，粘结时间，阶段温度，传感器配置）。对于这样的制造过程，确定主要因素及其影响对于过程优化很重要。常规传感器组件包括以一端耦合的PZT（铅 - 循环酸 - 二烷基）驱动元件，以及键合工具耦合到传感器的输出端。为了维修/更换需求，该工具在组件上螺钉固定。这是具有“蟹腿”键合工具的三维结构。螺钉固定条件（工具上的扭矩值）可能会影响包装实践中的传感器性能，但是很少有有关此
通过... 将 pMUT 性能与 30% Sc 掺杂的 AlN 耦合
摘要 — 如果不是因为其有限的 e 31,f 压电系数，氮化铝 (AlN) 为压电微机械超声换能器 (pMUT) 提供了一种与 CMOS 兼容、稳定且无铅的解决方案。尽管已知增加 ScAlN 中的钪 (Sc) 掺杂含量可以提高机电耦合因子 (K t 2 ) 和整体声学性能，但结果在很大程度上取决于 ScAlN 薄膜的应力，尤其是对于空气耦合 pMUT。本研究旨在比较由于 Sc 含量从 20% 增加到 30% 而导致的 pMUT 性能（以 K t 2 为单位）与应力的关系，并考虑其对频率和膜静态变形的影响。结果表明，30% Sc 器件在 -50 MPa 时实现了平均 K t 2 >6%，与基于 PZT 的 pMUT 相当。与 20% Sc 相比，30% Sc 掺杂的 pMUT 传输压力灵敏度提高了 50%，双向灵敏度总体提高了 6 dB。
压电/铁电陶瓷中的巨大压力敏感性
众所周知，所有铁电材料都是压电材料，因此外部压力会使这些系统的尺寸变形，从而根据其传感能力产生合适的压力传感器。在所有铁电材料中，铅 (Pb) 基铁电材料由于其高灵敏度和耐用性而被发明并用作压力传感器。1 – 7 在过去的几十年里，这些系统已被用作电容器、传感器、执行器和静电设备等。8 – 17 过去，包括我们小组在内的许多作者都报道过在低压和高压范围内适用于压力传感器的铅基材料，其中介电常数、压电系数和电容电抗随压力发生显著变化。 1 – 3,5 – 7,13,18 – 26 然而，压力对介电常数变化的影响并不显著，以至于无法在实际高压传感器装置中实现。另一个缺点是介电常数与压力呈线性关系。为了克服这些缺点，我们一直在寻找具有高灵敏度和线性度的新型陶瓷材料。为了实现这一目标，我们选择了众所周知的 Pb(Zr 0.52 Ti 0.48 )O 3 (PZT) 作为母体基质，并用适当的 Bi 浓度替代。
复合压力容器中结构健康监测的传感器集成：评论
细丝缠绕复合压力容器（CPV）主要用于气体或流体储存。复合容器受到严格的条件，例如临界载荷，极端温度和爆发；因此，对于船舶结构完整性的永久性原位和在线监测方法至关重要。因此，本评论的论文重点介绍了最流行的传感器（例如Piezoeelectric（PZT和PVDF），Piezoresistive（BP和MXENE）以及光纤（SOFO®，OBR和FBG）传感器，以开发出一种结构性健康监测（SHM）来创建自我增压压力容器。本评论论文的新颖性在于提供概述现有作品的概述，涵盖了复合容器中传感器的整合，包括传感器类型，本地化及其对复合完整性的影响。尤其是对传感器集成，尤其是其受监控参数，布局设计和CPV中的布置的分析。此外，分析了宿主复合材料和传感器之间的相互作用，以了解如何将传感器与改变复合容器机械性能的最小缺陷整合。最后，对CPV的SHM系统进行了讨论，为研究人员提供了即将进行的实验工作的基础。
Documents Aabid，A.，Baig，M.，Hrairi，...
摘要在最近的研究中，压电执行器被认为是修复薄壁结构中裂缝的实用材料，例如由于其机电效应而与压电贴剂粘附的板，它们具有粘合性。在这项研究中，我们通过ANSYS商业代码使用了有限元方法来确定在平面应力模型下与压电执行器键合的破裂板的裂纹尖端的应力强度因子（SIF）。通过运行各种模拟，我们能够检查影响该组件的不同方面的影响，例如板，执行器和粘合键的大小和特征。为了优化性能，我们利用机器学习算法来检查这些特征如何影响维修过程。这项研究代表了首次使用机器学习来检查损坏的结构中的键合PZT致动器，我们发现它对当前问题产生了重大影响。因此，我们能够确定这些参数中的哪一个最有帮助，并应调整哪些参数以提高执行器的质量并降低大量时间和成本。©2023，Gruppo Italiano Frattura。保留所有权利。
EC SMT 项目，“CERAMELEC”WPIO - 电气强度
本报告涵盖了 WPI0 内的活动，该活动的目的是审查现代陶瓷材料的电气强度测试。描述了开展这项工作的背景以及所采用的实验方法。使用氧化铝基板产品和两种 PZT 压电材料，研究了与样品的几何形状和生产方法相关的各种因素。使用众所周知的威布尔分布对击穿数据进行统计评估，以确定该方法对电气强度的可用性。得出了以下结论。.厚度在 1.0 到 0.25 毫米之间且电气强度超过 100 kV/mm 的薄平面试件可以在变压器油中测试时进行电极化和测试，而不会出现边缘跟踪或闪络问题；.可以使用足够的试件系统地解决电气强度的差异，并且已经获得的示例表明电极面积效应、厚度效应和加工/退火效应；.无需对试件进行压痕以防止边缘闪络；在薄试件上产生小凹痕并非易事，需要专门的精密设备； .从名义上相同的样品的测试结果发现，其电气强度存在差异，可以用双参数威布尔分布来表示； .薄蒸发电极的质量必须使得击穿位置
适用于入耳式应用的 MEMS 扬声器
近年来，人们对用于入耳式应用的 MEMS 扬声器的兴趣日益浓厚，在声压级、失真和外形尺寸方面取得了令人鼓舞的成果 [1–3]。基于薄膜 PZT 的 MEMS 扬声器有望取代目前用于小型可穿戴设备的笨重扬声器。减小扬声器尺寸并使其适应微制造工艺可以进一步降低功耗并将其集成到更小的设备中，如智能手表和真正的无线耳机。在本文中，我们介绍了 [4] 中所示的扬声器的测量结果，并将结果与 [5] 中提出的集总参数模型和有限元模型进行的仿真结果进行了比较。在使用集总参数和有限元模型进行的仿真中，扬声器产生的声压级超过 120 dB SPL，频率低至 100 Hz。扬声器的响应使用 GRAS RA0045 耳塞耦合器测量，符合国际 60318-4 (IEC) 标准。扬声器的后腔未加载，装置放置在消声 GRAS 室内。设计并 3D 打印了一个适配器，以使扬声器的移动板适应耳塞耦合器的输入。还评估了由于扬声器中使用的薄膜压电材料的复杂非线性行为而导致的总谐波失真 (THD)。实验结果与实际结果之间的差异
XLM超级电容器模块数据表
Sawn wafers delivered with tape and ring DEHP Microelectromechanical systems sensors Diboron Trioxide glass, Lead Oxide glass Optical sensors Diboron Trioxide glass Glucose sensors Diboron Trioxide glass Devices in glass sealed packages Diboron Trioxide glass Integrated Passive Devices on glass Diboron Trioxide glass Network infrastructure devices Diboron Trioxide glass IPADs with PZT film capacitances on dice Lead Titanium Zirconium oxide Triacs with glass groove technology (fritted glass on die) Lead Oxide glass Glass-sealed diodes and diacs Lead Oxide glass Micromodules Hexahydromethylphthalic anhydride Plastic Module Nonylphenol resin, EGDME Battery Attached Nonylphenol resin, EGDME Battery Caphat Nonylphenol resin, EGDME Battery Snaphat Nonylphenol resin, EGDME Microcontroller evaluation boards containing battery EGDME Semiconductor on BGA and LGA substrate packages BisphenolA Semiconductor on flip chip packages Lead in metal form RoHS exemption 15-15a / ELV exemption 8g Power Devices金属形式的铅ROHS豁免7A/ELV豁免8E在TIN/LEAD BALS套件上的半导体铅在金属形式的半导体中，在TIN/LEAD基于铅的涂层连接铅上，金属形式ELV豁免8A