摘要 随着晶体管越来越小、越来越密集,电子的物理流动可能会因电迁移 (EM) 在互连处形成空隙和裂缝,从而随着时间的推移抑制器件的性能。不符合 EM 规范的电路设计可能会导致灾难性故障和 SI/PI 性能下降。缓解 EM 的一种方法是在铜线层之间使用多个通孔来减少电流拥挤效应。然而,通孔的数量可能会影响关键接头内的电流密度和电流再分布。当前的研究主要集中在基于经验 Black 方程预测 EM 故障时间 (TTF)。然而,这种方法可能无法提供足够的关于空隙形成和裂纹扩展的见解,并反映可能影响 TTF 的电流再分布。在本研究中,我们比较了具有不同结构设计的球栅阵列 (BGA) 测试载体的 EM 寿命,并开发了一种基于多物理场迁移考虑焊点中原子扩散的方法,以研究通孔对电流再分布的影响。此外,还模拟了裂纹扩展以了解失效机制。在 150C 下对无通孔和有 8 个通孔的 BGA 走线施加 5A、7A 和 9A 电流以比较电磁性能。此外,每个测试结构都采用两种不同的表面处理:A 和 B。根据实验结果,执行基于原子通量发散 (AFD) 的有限元分析 (FEA) 模拟以与实验结果进行比较。发现与菊花链走线相比,8 个通孔可以显著降低电流拥挤效应。研究表明,8 个和 4 个通孔的电磁阻力优于无通孔走线,并有助于预测不同结构的电磁寿命,为设计优化提供指导。 关键词 电迁移、可靠性、多物理场、有限元分析、电路优化
提名董事 Padam Lal 先生(自 2023 年 2 月 7 日起生效) Ajay Yadav 先生(自 2023 年 2 月 14 日起生效) Vimalendra A. Patwardhan 先生(至 2022 年 10 月 25 日) Dinesh Dayanand Jagdale 先生(至 2023 年 2 月 7 日)
杰出教授(澳大利亚勋章成员、2022 年女王荣誉勋章,与印度的 Padam Bhushan 勋章类似)QPM 电动汽车电池关键矿物讲座教授先进材料和工业化学中心主任皇家墨尔本理工大学 STEM 学院,墨尔本 3000,澳大利亚
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异常委员会根据第六届中央薪酬委员会的建议,对哈里亚纳邦工资标准修订过程中出现的异常现象进行了审查。我要对哈里亚纳邦政府、财政部官员和委员会工作人员给予我的帮助表示深深的感谢。特别要提到的是,HCS 秘书 Sh. Vivek Padam Singh、Sh. SP Verma 会计官和 Sh. Daljit Singh 科室官员,他们不懈努力地准备会议议程,并为本报告的编写做出了贡献。Sh. SP Verma 会计官在报告编写过程中做出了卓越贡献,由于他长期与薪酬修订处以及薪酬异常委员会合作,对所涉及的各种问题了如指掌,委员会受益匪浅。