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挪威临床指南诊断评估...
• 该指南针对 0-18 岁的儿童和青少年。它也可以用作评估成年人的基础，但它不是为该群体设计的。Sørlandet Hospital Arendal 的成人康复服务 (HAVO) 已经开发出一种针对 18 岁以上个人的 FASD 评估特定程序，现在可在 RK-MR 网站上找到。 • 本指南不包括针对相关患者群体的干预和随访建议。RK-MR 计划于 2025 年制定一份基于研究和经验的关于该患者群体干预的知识总结。 • RK-MR 已启动基于心理教育的干预方案的开发，该方案将在正在进行的博士项目中进行评估。如果该计划被证明有效，它将提供给挪威所有与相关患者群体合作的专科服务机构。 • 该指南没有涉及早期识别患 FASD 风险较高的儿童。它适用于临床怀疑患有 FASD 的儿童和青少年，即表现出需要干预的困难的儿童，而不是仅有产前酒精暴露 (PAE) 作为风险因素的儿童。 • 该指南不涵盖产前接触其他物质后可能出现的状况。产前接触其他物质导致的儿童和青少年临床状况将成为 RK-MR 将在 2024/25 年期间准备的一份基于知识的专科医疗服务总结报告的主题。
30 GHz 下 AlN/GaN/AlN HEMT 的大信号响应
功率放大器 (PA) 技术对于国防和商业领域毫米波 (mm-wave) 通信系统的未来至关重要。这些毫米波频率下的大气衰减很高，因此需要能够抵消这种影响的高功率 PA。氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 凭借其宽带隙和高电子速度，已成为在毫米波频率下提供高功率的主要竞争者。为了改进传统的 GaN HEMT 异质结构，我们之前在氮化铝 (AlN) 平台 [1] 上引入了 HEMT，使用 AlN/GaN/AlN 异质结构。二元 AlN 的最大化带隙可防止缓冲器漏电流并增加 HEMT 击穿电压，同时还提供更高的热导率以增强通道温度管理。此外，GaN 增加的极化偏移允许高度缩放的顶部势垒，同时仍能诱导高密度二维电子气 (2DEG)。我们最近展示了 RF AlN/GaN/AlN HEMT 中高达 2 MV/cm 的高击穿电压 [2]，以及这些 HEMT 在 6 GHz 下的 RF 功率操作，功率附加效率为 55%，输出功率 ( ) 为 2.8 W/mm [3]。在这项工作中，我们展示了 AlN/GaN/AlN HEMT 的首次毫米波频率操作，显示峰值 PAE = 29%，相关 = 2.5 W/mm 和 = 7 dB 在 30 GHz 下。
修订后的Breede River河口管理计划
•根据NEMP，审查并完成了Breede River河口咨询论坛（BREAF）的角色和责任； •BREAF的机构安排； •通过共同的责任和在市政沿海委员会中积极代表BREAF与其他机构的积极合作； •来自BREAF的相关政府部门和国家机构的积极参与和合作； •用于管理Breede河口的成本收益分析（CBA）； •BREAF通过DEA＆DP和CAPENATUR提供对繁殖水分类和资源质量目标项目的投入和评论； •BOCMA在BREAF上的主动表示； •确定Breede河口的1：50和1：100年的洪水线； •促进实施环境资源，布雷德河的保护计划，西开普省的集水区； •根据WC保护区扩展策略（PAE）确定保护重要区域； •使用“休闲用水手册”（DWA，RW GP2.2）确定每种水基活动的承载能力，并与国家相关器官协商； •确保河口功能区（EFZ），沿海管理线路（CML），风险区，洪水线和关键的生物多样性区域（在生物多样性空间计划（BSP）和PAES中确定）包括空间发展框架和集成开发计划（IDP） •河口完成的陆地和水生临界生物多样性区域图。
tatau kahukura：毛利人健康图表2024
tatau kahukura：毛利人健康图表2024介绍了2015年图表中的指标更新，其中有新数据可用。在此处也使用了上一本图表簿中使用的统计方法，在这里也使用了一致性。此更新中的指标涉及健康，风险和保护性因素，健康状况，健康服务使用和卫生系统的社会经济决定因素。本图表提供了有关关键毛利健康指标的可靠且易于访问的统计信息。对卫生部门的政策，研究和服务设计以及更广泛的社会部门都具有价值。此信息也将对学生和更广泛的社区有所帮助，使他们能够更好地了解毛利人的健康。我们将此图表设计为卫生部门所有部位的工具。这里提出的结果强调了我们需要集中精力来改善毛利人健康并减少毛利人健康不平等的领域。表明，对于许多健康状况和慢性疾病，包括癌症，糖尿病，心血管疾病和哮喘，毛利人的率高于非毛利人。我们相信此更新将是所有致力于提供Pae Ora的人的宝贵资源：毛利人的健康期货。此更新和支持图形和文本的数据表可在卫生部的网站（www.health.govt.nz/tatau-kahukura）上找到。
高效 142–182-GHz SiGe BiCMOS 功率...
摘要 — 本文提出了一种高效宽带毫米波 (mm-Wave) 集成功率放大器 (PA)，该放大器采用了基于低损耗槽线的功率组合技术。所提出的基于槽线的功率合成器由接地共面波导 (GCPW) 到槽线的过渡和折叠槽组成，可同时实现功率合成和阻抗匹配。该技术提供了一种宽带并联-串联合成方法，可增强毫米波频率下 PA 的输出功率，同时保持紧凑的面积和高效率。作为概念验证，我们在 130 nm SiGe BiCMOS 后端 (BEOL) 工艺中实现了紧凑的四合一混合功率合成器，从而使芯片面积小至 126 µ m × 240 µ m，测量的插入损耗低至 0.5 dB。3 dB 带宽超过 80 GHz，覆盖整个 G 波段 (140-220 GHz)。基于此结构，采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术制作了高效毫米波 PA。三级 PA 实现了 30.7 dB 的峰值功率增益、40 GHz 的 3 dB 小信号增益带宽（从 142 GHz 到 182 GHz）、测量的最大饱和输出功率为 18.1 dBm，峰值功率附加效率 (PAE) 在 161 GHz 下为 12.4%。极其紧凑的功率合成方法使核心面积小至 488 µ m × 214 µ m，单位芯片面积的输出功率为 662 mW/mm 2 。
SBSP设计假设和约束报告
Acronym/Abbreviation Definition AC Alternating Current AM Air Mass AOCS Attitude and Orbit Control System BOL Beginning Of Life CASSIOPeiA Constant Aperture, Solid-State, Integrated orbital Phased Array CEI Comitato Elettrotecnico Italiano CIGS Cu(In,Ga)Se2 CPV Concentrated Photovoltaics CW Continuous Wave DC Direct Current DSN Deep Space Network EN European Standards EOL End Of Life EPC电子电力调节器ESA欧洲航天局欧盟欧盟FNBW第一零束宽度geo地球地理轨道GPS地面发电站 Solar Cells MR-SPS Multi-Rotary joints SPS MV Medium Voltage MVA Megavoltampere MW Megawatt NASA National Aeronautics and Space Administration NREL National Renewable Energy Laboratory PAE Power Added Efficiency PCE Power Conversion Efficiency PSCs Perovskite Solar Cells PV Photovoltaic PVA Photovoltaic Assembly RF Radio Frequency RTG Radioisotope Thermal Generator SBSP太空太阳能SCS太阳能电池SSPA固态功率放大器SPS太阳能卫星SPS-Alpha SPS通过任意大的相分支阵列TAS THALES ALENIA SPACE TRL技术就绪水平W WTT WPT WPT WIRESS
2022 年 5 月 TSD 合同行动金额超过 10 万美元 - NAVAIR
2022 年 5 月 TSD 合同行动金额超过 10 万美元 ************************************************************ 发布奖励 奖励 PIIN 行动日期 分红供应商/承包商金额说明 2022 年 5 月 26 日 2531 N6134022F0035P00008 $ 1215154.09 PAE Aviation and Technical Services LLC FY 22 第 3 季度资金 2022 年 5 月 31 日 2531 N6134022F0057 $ 103960.94 Bowhead Professional And Technical Solutions, LLC 硬件采购 2022 年 5 月 25 日 2532 N6134017F0085P00071 $ 3447479.98 LB & B Associates Inc. N6134017F0085 P71 5 月13, 2022 2532 N6134018C0013P00029 $ 1267344.00 工程支持人员公司 NATTC P00029 2022 年 5 月 31 日 2532 N6134018F0071P00032 $ 473683.00 工程支持人员公司 E-2 Inc 融资模式 32，ESP 2022 年 5 月 25 日 2532 N6134018F0090P00039 $ 7032714.80 CAE USA INC. CNATRA CIS、CAE、Fund SCA、六月、七月、P00039 2022 年 5 月 12 日 2532 N6134019F0082P00025 $ 428856.00 Valiant Global Defense Services Inc. DARTS Mod 25 2022 年 5 月 2 日 2532 N6134019F0089P00035 $ 473883.00 FIDELITY TECHNOLOGIES CORPORATION NavyHelo COMS/CIS, Fund Apr 2022 年 5 月 20 日 2532 N6134020F0022P00027 $ 522315.00 FIDELITY TECHNOLOGIES CORPORATION E6B Mod 27 AIRPAC CNATT Funds 2022 年 5 月 19 日 2532 N6134020F0069P00022 $ 801555.00 Engineering Support Personnel, Inc. E2 Mod 22 Inc Funding, ESP 2022 年 5 月 24 日 2532 N6134021F0141P00008 $ 7768376.00 富达科技公司
改变了影响离开夏威夷的决定的沙子和经济潮流
摘要移民以追求经济收益，例如更好的就业，更高的收入和增加的金融稳定性一直是关于人类移民的理论和研究的主要重点。这项关于一项研究的简短报告，《夏威夷在运动：了解留下，离开或返回的决定》，特别关注影响决定离开或留在kapae'āinao夏威夷的决策的经济力量。1的研究结果表明，许多夏威夷人因响应夏威夷的经济状况而被驱逐到遥远的地方。许多参与者描述了需要养家糊口和养家糊口的必要性，这表明搬家所取得的财务收益以及相对缺乏留在这些岛屿的人所带来的机会。引用夏威夷的生活成本极为高，以及职业发展和工作机会有限，这项研究发现，如果有强大的劳动力和职业，许多人会考虑留在夏威夷，允许个人负担得起住房和其他生活成本，照顾亲人和建立财务可持续性。有限的健康经济环境会促使个人和家庭在回家之前长时间远处保持远处，或者通常根本不返回。最后，返回的人通常是由于与家人，朋友和社区的社会联系，使他们在其他地方取得了与亲人更亲近的财务稳定性。这些发现对夏威夷原住民的福祉和通往繁荣的拉赫伊的集体途径具有重要的政策和实际影响。2
AFRL 140nm技术转移及实施...
wen.zhu@baesystems.com (603) 885-5681 关键词：氮化镓 (GaN)、Ka 波段、MMIC、PAE 摘要 本文报告了 AFRL 的 4 英寸 140nm GaN-SiC 技术向 BAE 系统微电子中心 (MEC) 代工厂的转移和生产实施情况。我们将 AFRL 和 BAE 系统 GaN-SiC 的最佳技术集成到用于 Ka 波段和 Q 波段的 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺中，这是业界首个 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺。本文介绍了脉冲 IV (pIV)、FET 负载牵引、MMIC 性能和可靠性结果。 引言 2018 年，BAE 系统的 MEC 代工厂与 AFRL 合作，将 140nm 4 英寸 GaN-SiC 技术转移到 6 英寸 GaN-SiC。该计划的关键技术目标是通过转移和整合 AFRL 开发的关键工艺技术[1, 2]以及 BAE 系统现有的 GaN MMIC 工艺和能力，在位于新罕布什尔州纳舒厄的 BAE 系统代工厂建立一流的 140nm 氮化镓 (GaN) 生产技术，以实现 6 英寸 SiC 上 GaN 的高性能、高 MRL 工艺[3]。通过这项短栅极高效氮化镓 (GaN) 单片微波集成电路 (MMIC) 可生产性计划，BAE 系统正在满足美国国防部 (DoD) 的迫切需求，即建立一个可供美国国防界使用的开放式 GaN 代工厂，并提供先进的 GaN MMIC 工艺。开放式代工服务 - BAE 系统 BAE 系统 III-V 族化合物半导体代工厂是一项战略资产，可为其电子系统部门提供独特的 MMIC 技术。为美国国防部提供代工服务是为了更有效地利用我们代工厂的产能，锻炼和改进工艺，并加强与国防部外部供应商和政府机构的关系。完成 GaN 生产向 6 英寸晶圆直径的过渡是 140nm 技术活动下的一项关键任务。仅此一项就能将有效代工能力提高 2 倍以上。BAE Systems 目前正在投资其代工厂，更换工具，消除单点故障，同时满足生产需求。