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乔治奥斯·帕夫利迪斯 - 尼亚波利斯大学
本文旨在探讨全球化世界中人工智能 (AI) 监管所带来的法律和政策挑战。人工智能技术的快速发展和广泛应用已经超越了地理界限，因此需要一个能够有效应对人工智能带来的挑战的全面法律框架。本文旨在研究在人工智能跨越国界的情况下，法律应如何保护和实现权利。此外，本文主张建立一个超国家的欧盟人工智能机构；它还研究了该机构的指导原则以及关键角色和职责。本文为未来几十年欧盟和全球化世界中关于人工智能监管的更广泛讨论做出了贡献。
针对炎症的早产疗法 - Pavlidis
早产 (PTB；定义为妊娠 37 周前分娩) 是 5 岁以下婴儿和儿童发病和死亡的主要原因，可能带来毁灭性的短期和长期并发症。尽管对该领域进行了广泛的研究，但目前可用于预防和治疗 PTB 的药物仍然很少。在过去的几十年里，妊娠组织炎症已成为 PTB 病理生理学的前沿。即使在没有感染的情况下，仅炎症本身也可以过早激活分娩的主要成分，导致子宫收缩、宫颈成熟和扩张、膜破裂以及随后的 PTB。机制研究已经确定了与 PTB 有关的复杂炎症分子通路的关键要素。在这里，我们讨论了针对这些关键介质的治疗方案，旨在预防、推迟或治疗 PTB。我们概述了目前在人类中使用或正在测试的更传统的疗法，并重点介绍了临床前研究的最新进展，这些研究引入了具有治疗潜力的新方法。我们得出结论，需要采取紧急合作行动来解决尚未满足的需求，即制定有效的策略来应对早产及其并发症的挑战。
开发高通量管道以单细胞分辨率表征小胶质细胞的形态状态
我们感谢 Ciernia 实验室和 Pavlidis 实验室成员在整个项目过程中的实验室会议上提供的周到反馈和建议。我们还要感谢 Wai Hang (Tom) Cheng，他的帮助对于学习如何在 Axioscan 幻灯片扫描仪上成像以及开始进行小胶质细胞形态分析至关重要；Nicholas Michelson，他的帮助对于在 ImageJ 中排除 MicrogliaMorphology 各种特征的代码故障非常有帮助；以及 Dylan Terstege，他在发布之前慷慨地提供了用于 FASTMAP 对齐 Allen Brain Atlas 的材料。我们还要感谢 Brian MacVicar 博士与我们分享他实验室的 Cx3cr1- GFP 小鼠，我们将其用于 2xLPS 体内实验。我们感谢通过 Dynamic Brain 提供的资源
细胞分辨率
致谢：我们感谢 Ciernia 实验室和 Pavlidis 实验室成员在整个项目过程中的实验室会议上提供的周到反馈和建议。我们还要感谢 Wai Hang (Tom) Cheng，他的帮助对于学习如何在 Axioscan 幻灯片扫描仪上成像以及开始进行小胶质细胞形态分析至关重要；Nicholas Michelson，他的帮助对于在 ImageJ 中排除 MicrogliaMorphology 各种特征的代码故障非常有帮助；以及 Dylan Terstege，他在发布之前慷慨地提供了用于 FASTMAP 与 Allen Brain Atlas 对齐的材料。我们还要感谢 Brian MacVicar 博士与我们分享他实验室的 Cx3cr1-GFP 小鼠，我们将其用于 2xLPS 体内实验。我们非常感谢不列颠哥伦比亚大学的神经影像和神经计算中心以及健康与疾病研究集群中的动态脑回路提供的计算资源。
生物传感器2024
Rona Chandrawati，UNSW，澳大利亚，澳大利亚，UCL，UCL，UCL，UCL，MELPOMENI KALONOU，ITCOLE MCFARLANE，田纳西大学 - 诺克斯维尔大学 - 美国罗希特·斯里瓦斯特娃美国，美国大学，加泰罗尼亚大学纳米斯基和纳米技术（ICN2），西班牙梅赫迪·贾万玛德，美国德克萨斯州萨姆·马博特，德克萨斯州萨姆·马博特美国Ruchi Gupta，英国伯明翰，弗兰加尔，莱拉·索利马尼大学，加拿大麦克马斯特大学，加拿大麦克马斯特大学Sven Ingebrandt，亚兴大学，德国Xuexin 2，Tianjin，Tianjin，中国埃德姆Arzum，Ege University，Ege Universit
NC州立大学（NCSU）在电气和C
NC州立大学（NCSU）在电气和计算机工程部门的III-V半导体领域以及材料科学与工程学部门内有几个博士后位置空缺。博士后研究职位在以下研究领域提供：III-硝酸盐电子和光电设备的异质整合，制造和表征：设计和开发下一代异质整合III-nitride Optoelectronic和电子设备。位置将包括电子和光电设备结构的设备设计，制造，表征和测试，以实现宽带的带隙电子光功能IC。强烈优选III-N设备设计和制造方面的先前经验。III二硝酸RF设备设计，制造和表征（Pavlidis）：设计和模型的新型RF设备，使用宽带gap（WBG）和超宽的带隙（UWBG）III-硝酸盐用于下一代功率放大器。制造这些设备，考虑了通过晶圆粘结整合异质材料以增强性能/功能的机会。执行设备和测试结构的DC-TO-RF表征，将材料属性与设备行为联系起来。优先使用III-V HEMT和/或HBT的事先经验。III-Nitride Epitaxy and Materials Characterization (Sitar): MOCVD growth of III-nitrides (primarily) on native substrates, III-nitride structures (heterojunctions, MQWs, graded layers, lateral polarity structures) for electronic and optoelectronic devices, materials characterization (XRD, AFM, XPS, SEM, TEM, PL, electrical).需要在III-NINRIDE或相关的宽带隙半导体方面的经验。需要强大的物理背景。