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拓扑表面状态的漂浮在厚的铅层顶部：$ {\ rm pb}/{\ rm bi} _2 {\ rm se} _3 $界面
1物理系，卡拉布里亚大学，通过P. Bucci，87036 Arcavacata di Rende（CS），意大利2，材料高级光谱实验室，Star Ir，通过Tito Flavio，Calabria，Calabria，Calabria，University of Calabria，87036，87036，87036，Rende（CS），Rende 3 30，nanos Surfacity of Nanos of Surfacity of Nans of Surfacity and coations and coation 30俄罗斯汤姆斯克4力量物理与材料科学研究所，俄罗斯科学学院，634055俄罗斯汤姆斯克，俄罗斯5巴库州立大学，阿塞拜疆阿塞拜疆巴库6同步型S.C.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.A. Fosso del Cavaliere，00133，意大利罗马8号dePolímerosy y材料高级材料：Física，QuímicayTechnología，ciencias deCienciasquíemas，PaísVascovasco vasco upv / ehu上大学西班牙巴斯克国家塞巴斯蒂安（Sebastián
Mapbi3薄的增强的非线性光学系数...
C. Rendo-Erief 1，I。South 1.2，S.J。问题1，T.S。 Ripoles 1，J。P。Martin-Saturnaly 2，问题1，T.S。Ripoles 1，J。P。Martin-Saturnaly 2，
解决方案处理，高度结晶和定向的Mapbi3 ...
图2。MAPBI 3谷物生长。 （a）MAPBI 3成核过程来自半径A的基板表面上的前体，大于临界半径。 晶粒在底物表面生长，生长在损伤后终止。 （b），（c）和（d）MAPBI 3膜在100 O C，130 O C和165 O C退火时的光学显微镜图像（B，C，C，D = 90 µm）。 The dendritic morphology turns spherulitic upon increasing the annealing temperatures, (e) Optical microscope image of MAPbI 3 (scale = 40 μm) crystals spin- coated from 3 M DMSO-based precursors and annealed at 165 o C, (f) SEM Images highlighting the surface morphology of MAPbI 3 crystal film spin-coated over glass from 2M precursor (scale = 100 μm), （g）通过SEM（比例=2μm），（H）Mapbi 3膜的横截面SEM在膜中的三重连接晶界中的变焦，该膜胶片在玻璃上旋转（比例= 1 µm）。MAPBI 3谷物生长。（a）MAPBI 3成核过程来自半径A的基板表面上的前体，大于临界半径。晶粒在底物表面生长，生长在损伤后终止。（b），（c）和（d）MAPBI 3膜在100 O C，130 O C和165 O C退火时的光学显微镜图像（B，C，C，D = 90 µm）。The dendritic morphology turns spherulitic upon increasing the annealing temperatures, (e) Optical microscope image of MAPbI 3 (scale = 40 μm) crystals spin- coated from 3 M DMSO-based precursors and annealed at 165 o C, (f) SEM Images highlighting the surface morphology of MAPbI 3 crystal film spin-coated over glass from 2M precursor (scale = 100 μm), （g）通过SEM（比例=2μm），（H）Mapbi 3膜的横截面SEM在膜中的三重连接晶界中的变焦，该膜胶片在玻璃上旋转（比例= 1 µm）。
二维MSI2N4（M = GE，SN和PB）单层
摘要MOSI 2 N 4和WSI 2 N 4的二维（2D）分层晶体的最新增长引起了人们对其出色的特性和潜在应用的重大兴趣。这一发展为新的和大型的2D材料铺平了道路，其一般公式为MA 2 Z 4。在这方面，由这个令人兴奋的家族驱动的，我们提出了M si 2 N 4（M = GE，SN和PB）单层的两个结构阶段（1T - 和1H-），并通过使用第一个Principles方法研究了它们的结构，振动，机械，电子和光学特性。这两个阶段具有相似的凝聚力，而1T结构在能量上比其1H对应物更有利。对声子光谱和从头算分子动力学模拟的分析表明，除1H -GESI 2 N 4外，所有建议的单层即使在高温下也是动态稳定的。通过计算其弹性常数（C IJ），平面刚度（Y 2D），泊松比（ν）和最终的拉伸应变（UTS）来检查所提出晶体的弹性稳定性和机械性能。值得注意的是，所考虑的系统表现出突出的机械特征，例如实质的内部刚度和高UTS。计算出的电子带结构表明，1T - 和1H-M SI 2 N 4纳米片是宽频段间隙的半导体，其能带间隙从可见光到光谱的紫外线范围跨度，适用于高强度的纳米电源设备的应用。最后，对光学性质的分析表明，设计的系统具有各向同性光谱，并且取决于系统的类型，紫外线的鲁棒吸收和可见光（尤其是在1H -PBSI 2 N 4 4 Monolayer中）。我们的研究不仅向2D MA 2 Z 4晶体的家族介绍了新成员，而且还揭示了他们有趣的物理特性，并建议他们作为多种纳米力学和光电应用的有前途的候选人。
低收入/处境不利社区（LIDAC）福利分析
2024财年衡量2024财年的里程碑，从2023年10月1日到2024年9月30日：主持人国家和社区的Lead Lead Plesitions Corriricum课程 - 培训1000名社区领导者的培训师，并了解400名社区成员的领先会议。（因旅行和EPM资金的因素而定）从2024年10月1日至2025年9月30日：主持人国家和社区的Lead Lead Inspoareness课程课程 - 1,000名社区领导者的培训师，并了解400名社区成员的领先会议。（因旅行和EPM资金而取决于），从2025年10月1日至2026年9月30日：主持人国家和社区的Lead Lead Inspoareness课程课程 - 1,000名社区领导者的培训师，并了解400名社区成员的领先会议。（旅行和EPM资金的一项代表）
Rhodotorula Mucilaginosa YR29能够累积PB
用六甲硅烷基处理的细胞已显示出某些细胞表面损伤，而不管真菌培养中使用的金属如何。尽管这可能是由于干燥过程引起的，这也会导致微胶囊的丢失（图5A-D）。 在此干燥过程中，处理的细胞在其拓扑结构没有变化。 仅在下部电子检测器（LED）进行PB处理时，揭示了非典型的三维泄漏（图。 5b）。 随后，在用Pb处理后，Cu和Zn可以在细胞表面观察到一些絮状物（图 5b-d）。 否则，从图。 E-P图的 5，观察到酵母菌保持其微胶囊，样品通过临界点过程（CPD）干燥。 微胶囊的方面是包围整个单元的薄层。 此外，此层5A-D）。在此干燥过程中，处理的细胞在其拓扑结构没有变化。仅在下部电子检测器（LED）进行PB处理时，揭示了非典型的三维泄漏（图。5b）。随后，在用Pb处理后，Cu和Zn可以在细胞表面观察到一些絮状物（图5b-d）。否则，从图。5，观察到酵母菌保持其微胶囊，样品通过临界点过程（CPD）干燥。微胶囊的方面是包围整个单元的薄层。此外，此层
同时确定Pb（II）和CD（...
抽象一些重金属，例如PB，CD，HG以及对人类极为危害的，因为它们的非生物性性质即使在非常低的暴露水平下也是如此。除了标准方法（例如电感耦合等离子体（ICP） - 质谱和ICP光学发射光谱法）外，还需要开发具有快速，准确和廉价要求的其他方法，以检测这些在水源中的有毒重金属离子。最近，由于高选择性，敏感性和低成本，多孔材料在阳极剥离伏安法中的应用引起了极大的关注。在本研究中，使用Zno-电化学降低的氧化石墨烯（ZnO/Ergo）修饰的玻璃碳电极（GCE）用于PD（II）和CD（II）的电化学检测。发现ZnO/ERGO-GCE的表面积为0.130 cm 2比裸机GCE的表面积（0.083 cm 2）大得多。对于ZnO/ergo-gce而言，电荷转移电阻从裸机GCE的3212Ω显着降低到924Ω。这些结果表现出ZnO/ Ergo修饰电极动力学的快速电子传递比。ZnO/ergo-gce与ERGO-GCE和Bare GCE相比，在检测Pb（II）和CD（II）方面表现出出色的电化学性能。峰值电流与2.5-200 µm范围内的CD（II）和Pb（II）浓度具有线性关系。CD（II）和Pb（II）的检测极限分别为1.69和0.45 ppb。此外，电化学传感器在实验研究中表现出极好的选择性，稳定性和可重复性，并且为检测痕量金属的巨大潜力开辟了巨大的潜力。
PBS量子点（QD）的研究和提出PB@PBS
PBS量子点（PBS-QD）是新一代LED中最好的候选者之一。当PBS-QD暴露于光谱时，Valence带（VB）中的电子会激发到传导带（CB）。激发的电子然后从CB返回到VB，并通过发光释放额外的能量。电子返回VB使得可以重复光吸收发射圆。如果PBS-QD的尺寸小于Bohr Magneton Radius（PMR），则电子的概率返回到VB。这导致了发光二极管（LED）中名为量子点闪烁（QDB）的现象，这是不可取的。在这项研究中，已经提出了一种新方法，在该方法中，添加具有适当带边缘的半导体壳的PBS-QD的金属底物可以提高QD领导的PBS-QDS效率并克服QDB问题。©2024 SPC（SAMI Publishing Company），《亚洲绿色化学杂志》，用于非商业目的。关键字PBS-QDS眨眼保护壳LED PB CDSE
材料加速平台（地图）：加速材料研发以应对紧急社会挑战在软X射线照射下Fapbbr3钙钛矿的降解和自我处理
广泛使用钙钛矿，因为光吸收器要求更深入地了解这些材料与光的相互作用。在这里，通过光膜光学光谱和微光亮度，在高毛利率同步源的软X射线光束下跟踪甲酰胺铅三溴（FAPBBR 3）的化学和光电特性的演变。在辐照过程中，两个对比过程正在发挥作用。材料的降解表现出PB 0金属簇的形成，气态BR 2的损失，减少和移位光致发光发射。由于PB 0的重新氧化以及FA +和Br-ions的迁移，因此延长光束暴露时间的光致发光信号归因于FAPBBR 3的自我修复。这种情况在通过AR +离子溅射处理的FAPBBR 3栏上进行了验证。降解/自我修复效应先前报道了辐照到紫外线状态，具有基于perovskites的X射线检测器的寿命。
中期可持续供应链网络设计
摘要：量子 - 孔（QW）混合有机 - 无机钙钛矿（HOIP）晶体，例如A 2 PBX 4（a = ba，pea; x = br，i），表现出具有巨大的潜在潜力，作为与其个体的三型（3D）（3D）（3D）对抗分配相比的较大能量辐射检测的刺激性材料。将3D插入QW结构中导致了新的结构，即2 BPB 2 x 7钙钛矿晶体，并且它们可能具有有希望的光学和闪烁特性，可用于更高的质量密度和快速的时机闪烁体。在本文中，我们研究了基于碘的QW Hoip晶体的晶体结构以及光学和闪烁特性，A 2 PBI 4和2 MAPB 2 I 7。A 2 PBI 4晶体表现出绿色和红色发射，最快的PL衰变时间<1 ns，而A 2 MAPB 2 I 7晶体的高质量密度> 3.0 g/ cm 3，可调节的较小的带盖<2.1 eV <2.1 eV，由量子和介电限制。我们观察到2 PBI 4和PEA 2 MAPB 2 I 7在X-和γ射线激发下显示发射。我们进一步观察到，与QW Hoip溴化物闪光灯相比，一些QW Hoip碘化物闪烁体显示出较短的辐射吸收长度（在511 keV时约3厘米）和更快的闪烁衰减时间成分（约0.5 ns）。最后，我们研究了基于碘化物的QW HOIP晶体在10 K（约10个光子/KEV）的光屈服，而在室温下，它们仍显示出脉冲高度光谱，其光屈服在1到2个光子/keV之间，其低率仍然比溴化物低5倍。■简介较低的光线屈服可能是基于碘化物的QW hhoip闪烁器的缺点，但是我们研究的有希望的高质量密度和衰减时间结果可以为进一步改进快速时期应用提供正确的途径。