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网络安全 - 电子安全周边
简介本文档是可靠性标准CIP-005的技术原理和理由。它包括更改当前建议版本（CIP-005-8）的基本原理以及标准的先前版本。本文档的目的是为利益相关者和ERO企业提供对可靠性标准的修订和技术概念的了解，以及此类修订的理由，包括先前版本和SDT的当前提议和历史修订。本文档说明了拟议可靠性标准CIP-005-8的技术原理和理由。它为利益相关者和ERO企业提供了对可靠性标准中技术和技术要求的理解。CIP-005-8的技术理由和理由不是可靠性标准，不应被视为强制性和可执行性。现在对本文档的更新包括2016-02项目 - 对CIP标准起草团队（SDT）的修改，目的是在起草要求更改。背景版5版过渡咨询小组（V5TAG）由NERC，区域实体和行业利益相关者的代表组成，以发布有关可能达到CIP V5标准并支持行业实施活动的可能方法的指南。在V5TAG活动的过程中，V5TAG确定了CIP可靠性标准的某些问题，这些问题由标准起草团队（SDT）更适当地解决。问题的领域之一是虚拟化。V5TAG开发了V5TAG转移文件，以解释这些问题，并建议在未来的开发活动中考虑它们。作为2016-02项目的旨在以2016年1月21日发布的FERC 822订单中的指令解决，该团队还收到了V5TAG问题，作为其标准授权请求（SAR）的一部分。V5TAG传输文档说：“ CIP版本5标准不专门解决虚拟化但是，由于在工业控制系统环境中虚拟化的使用越来越多，因此要考虑CIP标准中虚拟化处理的问题。SDT应考虑对CIP-005-8的修订以及网络资产和电子接入点（EAP）的定义，这些定义清楚地表明了允许的体系结构并解决网络，服务器和存储虚拟化技术的安全风险。”摘要2016-02标准起草团队（SDT）提案可容纳虚拟化和其他技术创新的使用SDT将虚拟化概念纳入CIP标准的目的不仅是为了增强当前标准，而且还可以更好地定位CIP标准，以适用于未来的其他技术创新，同时在可能的范围内保持向后兼容。cip-005-8仍然是一个标准，涉及与BES网络系统（BCS）控制通信，通过建立具有增加安全性控制的电子安全外围（ESP）的交互式远程访问（IRA）和供应商远程访问。但是，虚拟化是为网络安全的模型，例如“零信任”，而不是基于网络周边的“零信任”。因此，在CIP-005-8中，ESP专注于安全模型，而不是基于网络拓扑的周长作为唯一的选择。确保往返BCS的通信是安全目标，但是标准不再规定“位置”，例如在网络上的位置，必须实现控件。诸如零信任模型之类的创新正在将访问控制从网络边界移动到会话级别的方向，并消除本地网络中的隐式信任。基于网络周边的ESP和EAP实现仍然是一个有效的选项，是一种仅允许与ESP内的网络系统进行必要的通信的方法。
10-K - 03/31/2022 - Perimeter Solutions, SA
1933 年《证券法》（经修订）（“证券法”）第 27A 条和 1934 年《证券交易法》（经修订）（“交易法”）第 21E 条。这些前瞻性陈述涉及风险和不确定性，反映了我们对未来事件和财务业绩等的当前看法。在本报告中，“相信”、“可能”、“可以”、“将”、“估计”、“继续”、“预期”、“打算”、“期望”、“表明”、“寻求”、“应该”、“会”等词语和类似表达旨在识别前瞻性陈述，但并非所有前瞻性陈述都包含这些识别词。这些前瞻性陈述不是历史事实，而是基于对我们行业的当前预期、估计和预测、管理层的信念以及管理层做出的某些假设，其中许多假设本质上是不确定的，我们无法控制。因此，我们提醒您，任何此类前瞻性陈述均不保证未来业绩，且受难以预测的风险、假设、估计和不确定性的影响。这些前瞻性陈述包括但不限于有关以下事项的陈述：
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证书：• 符合捷克军事设施、民用和捷克共和国国家安全局 (NSA) 的安全标准 CSN EN 50131-1 • 捷克共和国国家安全局颁发的技术设备认证 • 俄罗斯联邦进口和安装系统的 GOST-R 证书 • 乌克兰进口和安装系统的证书
2019/20 年度 Perimeter Institute 报告（英文）
我感谢安大略省和加拿大政府，以及慷慨支持研究所并与我们分享愿景的基金会和捐助者。Perimeter 大规模公私合作的成功不仅使我们开展了激动人心的活动，还提升了我们的国家和全球品牌，这是我们吸引来自世界各地的顶尖研究人员来到 Perimeter 的重要因素。我特别要感谢 Riddell 家族基金会为 Perimeter 的 Clay Riddell 量子物质中心提供的 1000 万美元慷慨资助。量子物质中心所做的研究将有助于开发令人兴奋的新量子材料，这些材料将为从电网到医学成像等所有领域提供新方法。
Perimeter Medical Imaging AI, Inc. Cindy Domecus 监管...
我们已审查了您根据第 510(k) 条提交的上述器械上市前意向通知，并确定该器械与 1976 年 5 月 28 日（即《医疗器械修正案》颁布日期）之前在州际贸易中合法销售的同类器械或已根据《联邦食品、药品和化妆品法案》（法案）的规定重新分类且无需获得上市前批准申请 (PMA) 批准的器械基本相同（就附件中所述的使用指征而言）。因此，您可以根据法案的一般控制规定销售该器械。虽然这封信将您的产品称为器械，但请注意，一些已获准的产品可能是组合产品。位于 https://www.accessdata.fda.gov/scripts/cdrh/cfdocs/cfpmn/pmn.cfm 的 510(k) 上市前通知数据库可识别组合产品提交。该法案的一般控制条款包括年度注册、设备清单、良好生产规范、标签以及禁止贴错标签和掺假的要求。请注意：CDRH 不评估与合同责任担保相关的信息。但是，我们提醒您，设备标签必须真实，不得误导。
pNeurFill：基于增强型神经网络模型的带周长调整的虚拟填充合成
摘要 —虚拟填充被广泛用于显著改善 VLSI 制造中化学机械抛光 (CMP) 工艺的表面图案平面性。在虚拟填充流程中，虚拟合成是调整 CMP 后轮廓高度的关键步骤。然而，现有的虚拟合成优化方法通常无法平衡填充质量和效率。本文提出了一种基于模型的新型虚拟填充合成框架 NeurFill，该框架集成了多起点-顺序二次规划 (MSP-SQP) 优化求解器。在该框架内，首先将全芯片 CMP 模拟器迁移到神经网络，通过后向传播实现 8134 倍的梯度计算加速。在 CMP 神经网络模型的基础上，我们进一步实现了 NeurFill 的改进版本 (pNeurFill)，以缓解虚拟周长引起的 CMP 后高度变化。在每次虚拟密度优化迭代之后，都会基于给定的候选虚拟图案集进行额外的周长调整，以寻找最佳周长填充量。实验结果表明，提出的 NeurFill 优于现有的基于规则和模型的方法。与 NeurFill 相比，pNeurFill 中的额外周长调整策略可使高度变化平均减少 66.97 Å，质量提高 8.92%。这将为 DFM 提供指导，从而提高 IC 芯片的成品率。
事件评论 - 梅尔巴电池火
• The fire was reported to Idaho Power at 5:20 a.m., Monday Oct. 2 • Idaho Power arrived on-site at 6:02 a.m. • Neighbors were encouraged to evacuate, hotels offered • Fire responders reported on-site, no action needed • Roads were closed to maintain a 200 ft perimeter • Regular updates to fire, city, and county throughout event • Industrial Hygiene Professionals arrived to begin air quality testing
量子经济优势 Francesco Bova Avi ...
Roger G. Melko 获得加拿大自然科学与工程研究委员会 (NSERC)、加拿大研究主席 (CRC) 计划和 Perimeter 理论物理研究所的资助。Perimeter 研究所的研究部分由加拿大政府通过加拿大创新、科学和经济发展部资助，并由安大略省通过高等院校部资助。Avi Goldfarb 获得加拿大社会科学与人文委员会的资助。其完整披露声明可在 www.avigoldfarb.com/disclosure 上查阅。Francesco Bova 获得 CPA 安大略省会计创新研究中心的资助。我们感谢麻省理工学院数字计划研讨会参与者的有益评论。我们感谢创造性破坏实验室量子流的参与者，他们帮助我们了解了量子计算的商业方面。本文表达的观点为作者的观点，并不一定反映美国国家经济研究局的观点。
降低了延长的期限LED的表面重组，朝向电致发冷却的Krabben，L.M。van der； Gruginskie，n。埃尔登（Eerden），马顿·范（Maarten Van）；
摘要：iii-v半导体发光二极管（LED）是证明电致发冷却的有前途的候选人。但是，异常高的内部量子效率设计对于实现这一目标至关重要。可以防止基于GAAS的设备中统一内部量子效率的重要损失机制是周长侧壁的非辐射表面重组。为了解决此问题，提出了非常规的LED设计，其中从中央电流注入区到设备周边的距离延长了，同时保持恒定的前触点网格大小。这种方法有效地将周长移动到电流密度10 1-10 2 A/cm 2的电流密度以外的横向扩散。在P - I-N GAAS/INGAP双重杂结LED中，用不同尺寸和周长扩展制造的LED，通过将外周向接触距离从250μm扩展到250μm的前触点尺寸，可实现19％的外部量子效率。利用内部开发的光子动力学模型，估计内部量子效率的相对相对增加为5％。这些结果归因于由于较低的周边面积（p/a）比，周长重组的重组显着降低。但是，与通过增加LED的前触点网格大小来降低P/A比相反，目前的方法可以改进这些改进，而不会影响前触点网格下显微镜活性LED所需的最大电流密度。这些发现有助于在LED中进行电致发冷却的进步，并可能在其他专用的半导体设备中有用，在这些专用的半导体设备中，在外围重组是限制的。关键字：电致发冷却（ELC），微型LED（发光二极管），III-V半导体，电流扩散，周边重组，表面钝化