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光电重复性和稳定性的飞行和地面验证
哪怕是 1 pC 的小电荷在高精度惯性参考仪器的测试质量 (TM) 上积累，也会降低其性能。这些仪器中最灵敏的部分需要采用非接触式电荷管理系统，TM 是自由浮动的，其电荷由带有 TM 电荷测量的反馈回路中的光电子补偿。三项太空任务已成功展示了这一技术：2004 年发射的相对论任务、重力探测器-B (GP_B)、2015 年发射的 LISA 探路者 (LPF) 和 2014 年在沙特卫星 4 号上发射的 UV-LED 任务；前两个任务使用 254 nm Hg 放电线，最后一个任务使用一组 255 nm UV-LED。UV-LED 在可靠性、寿命、开关速度、功耗、重量和体积方面都比放电源有了显著的改进。消除电荷测量和反馈系统（以下称为被动）的电荷管理技术可降低这些系统引入的复杂性和干扰影响，因此成为积极研究和开发工作的主题。被动电荷管理主要取决于给定系统的光发射特性的稳定性和可重复性。为了支持这项工作，我们提供了一组 16 个不同配置和 255 1 nm 中心波长的 UV-LED 的全面飞行特性数据。飞行数据是 2014 年 12 月至 2015 年 12 月期间使用沙特卫星 4 号上的 UV-LED 仪器获取的。我们通过与 2020 年 9 月 4 日至 2020 年 10 月 8 日期间的飞行配置相当的地面测量来支持我们的结果。所有结果都证实了 UV-LED 在太空环境中的出色可靠性，与地面研究的结果完全一致，并支持使用 LED 进行被动电荷管理的方法。我们发现，在 255 nm LED 的照射下，TM 的平衡电位与紫外线强度无关，可在长达六个月的时间内重现约 6 mV 或 6 fC/pF。平衡电位的值取决于 TM 与其外壳之间的电场几何形状，因此也取决于仪器的精确配置。
![arxiv：2404.09946v1 [cs.lg] 2024年4月15日](/simg/6\6f3e91109d4c9b5c2b050e91d284a2d57d9350f6.webp)
arxiv：2404.09946v1 [cs.lg] 2024年4月15日
1 Krausz，F。＆Ivanov，M。Attosecond Physics。修订版mod。物理。81，163，（2009）。 2 Corkum，P。＆Krausz，F。Attosecond Science。 nat。 物理。 3，381-387，（2007）。 3 Nisoli，M。＆Sansone，G。Attosecond Science的新边界。 prog。 量子。 电子。 33，17-59，（2009）。 4 Ghimire，S。等。 观察大量晶体中高阶谐波产生。 nat。 物理。 7，138-141，（2011）。 5 Cavalieri，A。L.等。 凝结物质中的光谱法。 自然449，1029-1032，（2007）。 6 Hassan，M。T.等。 光学脉冲并跟踪结合电子的非线性响应。 自然530，66-70，（2016年）。 7您，Y。S。等。 无定形固体中的高谐波产生。 自然通讯8，1-5，（2017）。 8 Paasch-Colberg，T。等。 半导体中电流的亚周期光控制：从多光子到隧道状态。 Optica 3，1358-1361，（2016）。 9 Koya，A。N.等。 超快等离子体学的进步。 应用物理评论10，（2023）。 10 Heide，C。等。 电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。 Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。 11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。81，163，（2009）。2 Corkum，P。＆Krausz，F。Attosecond Science。 nat。 物理。 3，381-387，（2007）。 3 Nisoli，M。＆Sansone，G。Attosecond Science的新边界。 prog。 量子。 电子。 33，17-59，（2009）。 4 Ghimire，S。等。 观察大量晶体中高阶谐波产生。 nat。 物理。 7，138-141，（2011）。 5 Cavalieri，A。L.等。 凝结物质中的光谱法。 自然449，1029-1032，（2007）。 6 Hassan，M。T.等。 光学脉冲并跟踪结合电子的非线性响应。 自然530，66-70，（2016年）。 7您，Y。S。等。 无定形固体中的高谐波产生。 自然通讯8，1-5，（2017）。 8 Paasch-Colberg，T。等。 半导体中电流的亚周期光控制：从多光子到隧道状态。 Optica 3，1358-1361，（2016）。 9 Koya，A。N.等。 超快等离子体学的进步。 应用物理评论10，（2023）。 10 Heide，C。等。 电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。 Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。 11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。2 Corkum，P。＆Krausz，F。Attosecond Science。nat。物理。3，381-387，（2007）。 3 Nisoli，M。＆Sansone，G。Attosecond Science的新边界。 prog。 量子。 电子。 33，17-59，（2009）。 4 Ghimire，S。等。 观察大量晶体中高阶谐波产生。 nat。 物理。 7，138-141，（2011）。 5 Cavalieri，A。L.等。 凝结物质中的光谱法。 自然449，1029-1032，（2007）。 6 Hassan，M。T.等。 光学脉冲并跟踪结合电子的非线性响应。 自然530，66-70，（2016年）。 7您，Y。S。等。 无定形固体中的高谐波产生。 自然通讯8，1-5，（2017）。 8 Paasch-Colberg，T。等。 半导体中电流的亚周期光控制：从多光子到隧道状态。 Optica 3，1358-1361，（2016）。 9 Koya，A。N.等。 超快等离子体学的进步。 应用物理评论10，（2023）。 10 Heide，C。等。 电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。 Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。 11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。3，381-387，（2007）。3 Nisoli，M。＆Sansone，G。Attosecond Science的新边界。prog。量子。电子。33，17-59，（2009）。4 Ghimire，S。等。观察大量晶体中高阶谐波产生。nat。物理。7，138-141，（2011）。 5 Cavalieri，A。L.等。 凝结物质中的光谱法。 自然449，1029-1032，（2007）。 6 Hassan，M。T.等。 光学脉冲并跟踪结合电子的非线性响应。 自然530，66-70，（2016年）。 7您，Y。S。等。 无定形固体中的高谐波产生。 自然通讯8，1-5，（2017）。 8 Paasch-Colberg，T。等。 半导体中电流的亚周期光控制：从多光子到隧道状态。 Optica 3，1358-1361，（2016）。 9 Koya，A。N.等。 超快等离子体学的进步。 应用物理评论10，（2023）。 10 Heide，C。等。 电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。 Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。 11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。7，138-141，（2011）。5 Cavalieri，A。L.等。凝结物质中的光谱法。自然449，1029-1032，（2007）。6 Hassan，M。T.等。 光学脉冲并跟踪结合电子的非线性响应。 自然530，66-70，（2016年）。 7您，Y。S。等。 无定形固体中的高谐波产生。 自然通讯8，1-5，（2017）。 8 Paasch-Colberg，T。等。 半导体中电流的亚周期光控制：从多光子到隧道状态。 Optica 3，1358-1361，（2016）。 9 Koya，A。N.等。 超快等离子体学的进步。 应用物理评论10，（2023）。 10 Heide，C。等。 电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。 Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。 11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。6 Hassan，M。T.等。光学脉冲并跟踪结合电子的非线性响应。自然530，66-70，（2016年）。7您，Y。S。等。无定形固体中的高谐波产生。自然通讯8，1-5，（2017）。8 Paasch-Colberg，T。等。 半导体中电流的亚周期光控制：从多光子到隧道状态。 Optica 3，1358-1361，（2016）。 9 Koya，A。N.等。 超快等离子体学的进步。 应用物理评论10，（2023）。 10 Heide，C。等。 电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。 Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。 11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。8 Paasch-Colberg，T。等。半导体中电流的亚周期光控制：从多光子到隧道状态。Optica 3，1358-1361，（2016）。9 Koya，A。N.等。 超快等离子体学的进步。 应用物理评论10，（2023）。 10 Heide，C。等。 电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。 Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。 11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。9 Koya，A。N.等。超快等离子体学的进步。应用物理评论10，（2023）。10 Heide，C。等。 电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。 Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。 11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。10 Heide，C。等。电子相干性和在石墨烯中电子光控制中的相干性。Nano Letters 21，9403-9409，（2021）。11 Lucchini，M。等。 通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。 12 Tao，Z。等。11 Lucchini，M。等。通过attosecond Spectroscopicy揭示了局部激子的相互交织的原子和批量性质。12 Tao，Z。等。12 Tao，Z。等。自然通信12，1021，（2021）。直接对固体光发射中ATTSENT最终寿命的时间域观察。科学353，62-67，（2016）。13 Lucchini，M。等。 在多晶钻石中的动态动力学Franz-keldysh效应。 科学353，916-919，（2016）。 14 Baudisch，M。等。 石墨烯中狄拉克费物的超快非线性光学响应。 自然通讯9，1018，（2018）。 15 Hui，D.，Alqattan，H.，Sennary，M.，Golubev，N。＆Hassan，M。Attosecond Electron显微镜和衍射。 在印刷中，（2024）。13 Lucchini，M。等。在多晶钻石中的动态动力学Franz-keldysh效应。科学353，916-919，（2016）。14 Baudisch，M。等。石墨烯中狄拉克费物的超快非线性光学响应。自然通讯9，1018，（2018）。15 Hui，D.，Alqattan，H.，Sennary，M.，Golubev，N。＆Hassan，M。Attosecond Electron显微镜和衍射。在印刷中，（2024）。
“ Weyl Semimetal NBP中的拓扑Lifshitz”
nbp是一种非中心对称拓扑WEYL半学，具有两个关键特征：Weyl点（WP），它们在其大量内通过时间逆转对称（TRS）在其大量内保护，及其在表面上的扩展，称为表面Fermi Arc [1]。这些表面费米弧与韦尔葬礼之间的动态相互作用是各种非凡现象的来源，例如极高的磁磁性，显着的迁移率，量子振荡和手性磁效应。因此，理解并在战略上操纵这些费米弧非常重要[1-3]。在我们的研究中，我们进行了角度分辨光发射光谱（ARPES）实验，以探索NBP的Fermi表面的变化，NBP（一种半学），随后蒸发了铅（PB）和Niobium（NB）。我们专注于在其（001）表面上在磷（P）和niobium（NB）终止上分裂的原始单晶。我们的观察结果表明，与未表现出这些特征的NB端端表面不同，P端的表面显示出独特的勺子和领带形的表面状态。当我们将PB的单个单层（ML）应用于P端的NBP时，我们注意到了一个重要的拓扑Lifshitz Transition（TLT）。这种过渡重新排列了一对桥接邻近的布里鲁因区，改变费米表面并引起费米能量的转移。相反，将约0.8 mL的NB添加到P端的NBP中，其电子结构接近TLT的临界点，从而导致部分转化。[1] H. F. Yang等人，Nat。社区。10，3478（2019）。10，3478（2019）。尽管在费米表面进行了这些修饰，但表面费米弧仍继续连接到拓扑保护的Weyl点。此外，NB终止的NBP，覆盖1.9 mL的Pb显示出其琐碎的表面状态的变化，这是普通的Lifshitz过渡的结果。[2] A. Bedoya-Pinto等，Adv。mater。33，2008634（2021）。[3] S. Souma等人，物理学。修订版b 93，161112（r）（2016）。该研讨会将在203室的英语现场提供，尽管可以使用变焦 - 但在IP PAS网站上提供了链接。
d-d库仑相关性在磁化铁磁铁中的至关重要作用GD6（MN1 – XMX）23（M = Fe，Co）
众所周知，在元素金属中，过渡金属（TM）d-电子u dd的现场库仑能量明显小于f-electron稀有（re）金属的u f f f f f f f f f。因此，在RE-TM金属合金中通常会忽略U DD。与U F F相比，U DD的值低，但我们量化和阐明了U DD在RE -TM合金的部分填充D频带中的重要作用。我们研究了典型的RE-TM铁磁系列GD 6（Mn 1-X M X）23（M = Fe，Co; x =0。0，0。3），显示出有前途的磁性特性。使用恒定的光发射和恒定的初始状态光谱法用于识别价带中的Mn 3 d，fe 3 d和Co 3 D d d状态的部分密度（PDOS）。光子能量依赖性光谱演化使我们能够将MN，FE和CO 3 D pDOS中的下部哈伯德带和两孔相关卫星分开。使用cini-sawatzky方法，我们确定平均u dd = 2。1±0。4 eV，2。2±0。4 eV和2。9±0。4 eV。与Fe 3 D状态相比，CO相对较大的U DD在费米水平（E F）的连贯特征（E F）的DOS较低，而下Hubbard频带中的DOS较高，远离GD 6中的E F（Mn 0。7 CO 0。 3）23与GD 6（Mn 0。）相比 7 Fe 0。 3）23。 结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。 75 eV，对应于u dd = 1。7 CO 0。3）23与GD 6（Mn 0。7 Fe 0。 3）23。 结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。 75 eV，对应于u dd = 1。7 Fe 0。3）23。结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。75 eV，对应于u dd = 1。为了了解库仑相关性在电子结构和磁性特性上的作用，使用密度功能理论与现场库仑相关性（DFT + u）进行了电子结构计算（DFT + U）。65 EV和J DD = 0。9 ev。此外，使用计算出的GD和MN PDOS以及已知的光电离截面，模拟的GD 6 MN 23频谱与实验价带谱相当一致。结果表明D-D相关性在存在大型F-F相关性的情况下的关键作用，以调整RE-TM金属层的电子结构和磁性。
ruo2中的多频道传输
对RUO 2的基础研究始于60年前，当时它被确定为高度金属的氧化物[1-3]。 其化学稳定性和直接合成意味着它迅速发现应用是精度电阻的组成部分，并且早期也被鉴定为用于半导体设备的潜在屏障材料[4]。 在过去的二十年中，它已经看到了作为催化剂的兴趣[5]，以及可能的应用作为锂储存材料[6]。 在过去的几年中，实验和理论工作表明，即使是如此简单且众所周知的材料也可以容纳物质的外来状态。 ruo 2已成为一种候选材料，该材料托有altermagnetism，在该状态下，由于磁性和晶体lattices的不同符号，共线抗磁性排序也破坏了时间逆转对称性[7]。 但是，该系统中的磁有序并未得到很大的观察。 单晶体上的中子散射测量值检测到通常在金红石结构中禁止的磁反射，该反射在金红石结构中被禁止，该磁反射约为1000k [8]。 谐振X射线散射[9]随后在晶体和薄膜上都进行了类似的观察。 此后，依赖于时间逆向对称性破坏的异常特性在RUO 2的薄膜中观察到，包括自旋转运[10，11]，磁性菌群二科运动[12]和异常的霍尔效应（AHE）[13]。 自旋分辨光发射[14]还发现了al术状态预期的D-波对称性。 最近的争议在参考文献中得到了很好的总结。对RUO 2的基础研究始于60年前，当时它被确定为高度金属的氧化物[1-3]。其化学稳定性和直接合成意味着它迅速发现应用是精度电阻的组成部分，并且早期也被鉴定为用于半导体设备的潜在屏障材料[4]。在过去的二十年中，它已经看到了作为催化剂的兴趣[5]，以及可能的应用作为锂储存材料[6]。实验和理论工作表明，即使是如此简单且众所周知的材料也可以容纳物质的外来状态。ruo 2已成为一种候选材料，该材料托有altermagnetism，在该状态下，由于磁性和晶体lattices的不同符号，共线抗磁性排序也破坏了时间逆转对称性[7]。但是，该系统中的磁有序并未得到很大的观察。单晶体上的中子散射测量值检测到通常在金红石结构中禁止的磁反射，该反射在金红石结构中被禁止，该磁反射约为1000k [8]。谐振X射线散射[9]随后在晶体和薄膜上都进行了类似的观察。依赖于时间逆向对称性破坏的异常特性在RUO 2的薄膜中观察到，包括自旋转运[10，11]，磁性菌群二科运动[12]和异常的霍尔效应（AHE）[13]。自旋分辨光发射[14]还发现了al术状态预期的D-波对称性。最近的争议在参考文献中得到了很好的总结。似乎有大量的Altermagnetic效应观察到有关磁性的某些原始观察结果，尤其是在散装晶体中的问题[15，16]。muon光谱法通常对局部力矩非常敏感，在散装RUO 2中没有磁性[17]。16的计算提出了一个假设，即仅在化学计量材料被孔掺杂时才出现RUO 2中的Altermagnitism。非常清楚，尽管众所周知，但在应用磁场中，RUO 2的散装特性的研究相对较少。在本文中，我们介绍了
石墨烯量子点的光学特性
石墨烯量子点（GQD）的荧光性能，即小型单层或多层石墨烯含量[1，2，2，2，3，4，5，6，6，7，7，7，8，9，10，11，12]光伏[3，10]，传感[5，9]或光催化[2，5，10]设备。在这些特性的核心上，发射状态的性质受到了多种自上而下和自下而上的可用合成技术的阻碍。可能的候选物可能范围从固有的π -π∗转变（在固定的SP 2系统中）到包括e在内的边缘状态。 g。富含氧气的官能团或碳样锯齿形位点。结果，影响发射波长的主要因素仍在争论。原始的GQD特性已在密度功能理论（DFT）和时间依赖性的TD-DFT水平上探索，并清楚地强调了通过量子结合的量子和降低GQD大小的量子的开放和光学间隙[13，14]。进一步的工作证明了功能化[15、8、14、16、17、18]和/或掺杂[14、19、20、21、22]可以显着影响GQD的电子和光学特性。这些研究阐明了可以在经过实验上观察到的各种光致发光特性，鉴于所选的合成途径和边缘处理，但据报道了原始GQD的一些有趣的特性[23，24，25，26，27，28]。特别是发现最低激发的光学过渡偶极子。这可以在吸收峰和发光峰之间的较大的stokes移动中表现出来，或者，如果存在有效的非辐射衰减通道，则在光致发光的淬灭中。这些特性与所考虑的理想拟光的高几何对称性相关[24，26，28]。在本研究中，我们表明，原始GQD中的低谎言深度激发的存在是植根于基础石墨烯格子和电子孔手性对称性的六边形对称性的一般特性。此外，此属性也保留给与高对称形状显着偏离的结构。这些结论是由从头算在现实的GQD上进行的多体绿色功能计算来确认的。我们认为，手性对称性施加了一定的能量量表，即使空间对称为
补充信息：BI 1 -x SB x拓扑绝缘子的表面状态的自旋和轨道电荷转换理论
光发射实验是在安装在Soleil存储环（法国圣奥宾）上的Cassiopee梁线上进行的。光束线托管两个端站。使用具有线性水平极化的20个EV入射光子，用于测量费米表面和带分散体的高分辨率ARPES端域。它配备了科学R4000电子分析仪。样品上的光子斑点大小为50×50 µm 2，总体动能分辨率（考虑到光子能和电子动能分辨率）的总分辨率为10 meV。第二个终端是一个自旋分辨的ARPES实验，其中梁的大小约为300×300 µm 2。它配备了MBS A1-Analyzer，并带有2D检测器进行ARPES测量。接近该2D检测器，一个1×1 mm 2孔收集具有明确定义的动能和动量的光电子。它们被发送到一个旋转操纵器中，能够沿Ferrum Vleed自旋检测器的磁化轴定位任何自旋组件，该轴是由Fe（100）-p（1×1）O表面[1，2]制成的，该旋转式旋转式探测器被沉积在W-靠基层上。沿选定方向的自旋极化与收集的两个信号的差成正比，以相反的氧化物靶标的磁化。为了减少仪器造成的测量不对称性，每个极化方向都采集了四个测量，从而逆转了Ferrum磁化强度和电子自旋方向。1×1 mm 2孔引入了动能和波矢量的整合。然后通过p = s -1（iσ + - iσ - ） /（Iσ + +iσ-）确定极化，其中我们估计检测器的Sherman功能在0.15和0.3之间[3]。对于动能，它对应于使用的通行能量的0.23％（在我们的情况下为10 eV），因此对应于23 MeV。与分析仪的能量分辨率（该通行能量为10 MEV，入口缝隙为400 µm），总体动能分辨率为25 MeV。对于波矢量，1 mM孔径对应于总（30°）角范围的4％的积分，这给出了1.2°。在20 eV光子能量时，对于费米水平的电子，这给出了k分辨率约为0.048°a -1。分析仪光学元件是可移动的，可以在大型2D（30°×30°）角范围内收集电子。为了在费米级别绘制自旋纹理，将分析仪设置为适当的动能，而光学器件则沿两个x和y垂直方向移动0.2◦。在每个步骤中测量两个面内旋转组件。
宏观制服2DMoiré超级晶格，可控角度Gregory Zaborski Jr. 1，Paulina E. Majchrzak 2，Samuel Lai 1，Amalya C. Johnso
摘要Moiré超级晶格是通过精确堆叠范德华（VDW）层设计的，对探索密切相关的1-4和拓扑现象的巨大承诺具有巨大的希望。但是，这些应用已通过常见的制备方法阻止了：苏格兰胶带去角质单层的撕裂7。它具有低效率和可重复性8，以及扭曲角度不均匀性，界面污染9，微米尺寸8的挑战，以及在升高温度下脱离twist的趋势10。在这里，我们报告了一种有效的策略，可以构建具有高产量吞吐量，接近统一的收益率，原始接口，精确控制的扭曲角度和宏观尺度（至百万计）具有增强的热稳定性的高度一致的VDWMoiré结构。我们进一步证明了各种VDW材料的多功能性，包括过渡金属二甲化物，石墨烯和HBN。Moiré结构的膨胀尺寸和高质量的大小和高分辨率映射可将相互空间回折的晶格和具有低能电子衍射（LEED）和角度分辨光发射光谱光谱光谱（ARPES）的Moiré迷你带结构进行高分辨率映射。该技术将在基本研究和互惠设备的大规模生产中都有广泛的应用。主要的莫伊尔超晶格是由两个晶格晶格平面之间的界面干扰引起的，这些晶格晶格平面与晶格常数和/或对齐角不同。具有可调的带填充和掺杂条件，Moiré超级晶格成为研究电子11，Ickitons 12，Solitons 13和拓扑带结构的集体行为的多功能平台。6,14在特定的扭曲角度（即范德华（VDW）双层界面的魔法角度），这些超级峰值大大降低了电子动能，从而使库仑相互作用占主导地位，从而促进了强电子相关性，从而导致了FERMI水平附近的平坦电子带。15,16除了双层外，最近的实验发展正在探索混合尺寸系统中的Moiré系统，具有更健壮的超导性和更丰富的兴奋性物理学16-19。例如，为扭曲的石墨烯/石墨结构展示了魔术角的Van Hove奇异性。20在石墨烯/石墨系统上的最新传输测量图说明了单个准二维杂交结构的形成，这是通过栅极可调的Moiré电位和石墨表面状态组合的21,22，其中散装晶体的性质被超级晶体势能调整为在界面处的超级乳势。
![arxiv：2501.13026v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年1月22日](/simg/b\bed151e8b46660dc4b0af7aa755c9f95e7d9698e.webp)
arxiv：2501.13026v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年1月22日
自2005年发现石墨烯以来，相互作用的2D电子系统中特殊地面的形成引起了人们的关注[1]。除了磁有序外，还报告了有关最近实验中的电荷顺序和与Mott阶段配对的报道[2-4]。在WSE 2 /WS 2层[5，6]和α -rucl 3 [3，4]中的最新实验中，我们分析了在双层激子中存在莫特相的条件，并且在量子和热波动方面的稳定性及其稳定性。氯化氯化物α-相（α -rucl 3）是一种具有强旋轨耦合的分层化合物，以其有趣的电子特性而闻名，尤其是其在量子材料中的潜在使用和自旋液体相[7-12]。其电子结构受RU 4 d轨道和晶体场效应的影响。α相具有强旋轨耦合的特征，该耦合表现出多轨蜂窝状莫特绝缘阶段[3，7，13-19]。对于相关电子系统的研究，此阶段特别有趣。已经对α -rucl 3的蜂窝晶格的电子结构的作用进行了广泛研究，使用光发光表格[14]，拉曼散射[20-22]，光发射光谱[23]，THZ光谱[24，25]，x-雷雷镜[26] intrastry sptription [26] intrastry Sptiptrys [26] [27]。尽管Mott Gap的大小正在争论中，但在实验研究中已经证明了Mott绝缘子在α -RUCL 3中的存在[13，17，21，23]。Qiu等。 参考文献中报告。 1。Qiu等。参考文献中报告。1。调查Mott绝缘子的核心任务之一应解决带电颗粒分布的刚度。这在很大程度上取决于间隙的大小相对于跳跃速率以及材料的化学掺杂。通过化学掺杂Mott绝缘子来调整材料特性是非常具有挑战性的。具有示例性莫特绝缘子的有前途的候选者是α -rucl 3，顶层的石墨烯是α -rucl 3。而α -rucl 3带有孔，而额外的石墨烯片充当电子储层。[3]如何量身定制由石墨烯和α -rucl 3组成的范德华异构结构等电子结构。该材料的示意图如图然后，石墨烯层的电子和α -rucl 3层中的孔会受到有吸引力的层间相互作用，从而导致激子的形成[28]。在此设置中，激子的密度通过电子的密度控制，后者通过连接到石墨烯片的电栅极调节[3]。栅极电压诱导激子气体的有效化学电位µ。与化学掺杂相反，来自石墨烯的掺杂提供了连续的可调节性，并且不会引入不希望的晶格失真。分别对电子和孔的内部排斥可以产生电荷密度波或广义的Wigner晶体[29]。电荷顺序也可能是由电子 - 波相互作用引起的[30]。基于自一致的Hartree-fock或连贯的电位近似[31]的最新计算表明，如果对材料的特定细节计算自我能量，则复杂的自我能量可以描述实验结果的合理近似来描述实验结果。不参考特定的显微镜机制，这是对双重