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探索交替磁性 MnTe 的电子能带结构
在本研究中，我们利用偏振相关角分辨光电子能谱 (ARPES) 研究了六方 MnTe (0001) 块体单晶的电子能带结构。样品通过混合化学计量量的细粉 Mn 和 Te 来制备，并在 10 -5 pa 的真空石英安瓿中密封。我们通过固相反应法生长 MnTe 单晶并将其切割成 (0001) 面。为了获得干净的表面，我们对样品进行了溅射和退火。我们使用 2kV 的束流能量进行溅射，退火温度为 330 摄氏度。通过反复的溅射和退火循环，我们最终得到了干净的表面。通过俄歇电子能谱检查表面的杂质，并通过尖锐的六方低能电子衍射 (LEED) 斑点确认了长程有序。偏振相关 ARPES 实验是在配备 ASTRAIOS 电子分析仪的 HiSOR BL-9A 上进行的。我们将光子能量设置为 40 eV，温度设置为 200K。入射光的偏振方向由波荡器磁铁配置控制。
nodal自我...
在高t c酸酯中发现的异常奇怪的金属相并不遵循费米液体中所述的常规凝结原理，并给理论带来了巨大的挑战。电子自我能量的高度精确的实验确定可以为奇怪金属的理论模型提供测试床，而角度分辨的光发射可以作为频率，动量，温度和掺杂的函数。在这里我们表明，在（pb，bi）2 sr 2-x la x cuo 6+δ的（pb，bi）中的恒定光谱函数中，恒定的能量具有非洛伦兹线形状，与依赖k的自我一致。这为有抱负的理论提供了新的测试。在这里，我们表明，通过具有k依赖性的缩放指数的功率定律可以很好地捕获实验数据，并通过掺杂顺畅地演变出来，这种描述自然而然地从反DE保姆/基于综合的基于理论的半学性范围内出现。这将全息方法引起了人们的关注，用于定量建模强烈相互作用的量子材料（例如铜质奇怪的金属）。
一种新型铁电Rashba半导体
快速、可逆、低功耗操控自旋纹理对于下一代自旋电子器件（如非易失性双极存储器、可切换自旋电流注入器或自旋场效应晶体管）至关重要。铁电拉什巴半导体 (FERSC) 是实现此类器件的理想材料。它们的铁电特性使得能够通过可逆和可切换的极化对拉什巴型自旋纹理进行电子控制。然而，只有极少数材料被确定属于此类多功能材料。这里，Pb 1 − x Ge x Te 被揭示为一种新型的纳米级 FERSC 系统。通过温度相关的 X 射线衍射证明了铁电相变和伴随的晶格畸变，并通过角分辨光电子能谱测量了它们对电子特性的影响。在少数纳米厚的外延异质结构中，较大的 Rashba 自旋分裂表现出随温度和 Ge 含量变化的宽调谐范围。本研究将 Pb 1 − x Ge x Te 定义为用于自旋电子学应用的高电位 FERSC 系统。
2024年诺贝尔生理学或医学奖
筛选是一种与周围电荷屏蔽电场相关的普遍现象，已被广泛采用作为修改材料特性的一种手段。虽然大多数研究都依赖于到目前为止通过掺杂或门控进行筛选的静态变化，但在这里我们证明筛选也可以推动超快时间尺度上不同量子状态的发作。通过使用时间和角度分辨的光发射光谱谱，我们表明，强烈的光学激发可以驱动1T-TISE 2，这是一种原型电荷密度波材料，几乎可以立即从偏离半金属状态的一个。通过系统地比较随时间和激发强度与理论计算的频段结构的变化，我们发现该状态的外观很可能是由于筛选长度的急剧减少而引起的。总而言之，这项工作展示了光激励如何使tise 2中非平衡半金属相的筛选驱动的设计，可能在其他强相关的材料中为高度筛选的阶段提供了一般途径。
通过n ...
摘要：EUCD 2 AS 2作为少数磁性Weyl半候选材料之一引起了人们的极大兴趣，尽管最近，有新兴的报道声称其具有半导体的电子结构。为了解决这一辩论，我们确定了N型EUCD 2作为2晶体的生长，使用角度分辨光发射光谱（ARPES）直接可视化导带的性质。我们表明，在热电和霍尔效应测量中，LA掺杂导致N型传输特征，在N型掺杂水平为2-6×10 17 cm-3的晶体中。p-和n型掺杂样品在9 K处表现出抗磁磁性序列。在6 K处进行的ARPES实验清楚地表明，在价值频带最大值高于价值的0.8 eV处的传导带的最小值，这进一步证实了通过观察0.71-0.72 −0.72 – 0.72 – 0.72 ev band base base defuse fiffuse Reflebance Reflebanse vanse vanse vance vance vance bap sagob。在一起，这些发现明确地表明EUCD 2 AS 2确实是一个具有巨大带隙的半导体，而不是拓扑半学。■简介
高级材料-2023 -volckaert.pdf -Purdue Physics
通过AD原子沉积对量子物质的电子结构进行修改允许对电子和磁性的定向设计。在本研究中使用了此概念，以调整基于MNBI 2 TE 4的磁性拓扑绝缘子的表面电子结构。这些系统的拓扑带通常是强烈的电子掺杂的，并与表面状态的多种表面状态杂交，这些状态将显着拓扑状态置于电子传输和实际应用的范围。在这项研究中，微焦点角度分辨光发射光谱（微摩尔）可直接访问MNBI 2 TE 4和MNBI 4 TE 7的终止依赖性分散体。所得的带结构变化被发现是高度复杂的，涵盖了覆盖范围依赖性的双极掺杂效应，去除表面状态杂交以及表面状态带隙的塌陷。此外，发现掺杂带弯曲会产生可调的量子井状态。这种广泛的观察到的电子结构修饰可以提供新的方法来利用拓扑状态和富含锰二硫化锰的表面电子结构。
观察室温金属反铁磁铁CRSB中的自旋分裂
最近，在理论上提出并实现了电子状态的自旋分裂（SS）的非常规的抗铁磁铁，其中包含指向不同方向的矩矩的磁性sublattics通过一组新型的符号来连接。这样的SS是实质性的，依赖性的，并且与自旋 - 轨道耦合（SOC）强度无关，使这些磁铁有望用于抗磁性旋转旋转。在此结合了角度分辨光发射光谱（ARPE）和密度功能理论（DFT）计算，这是一项对CRSB的系统研究，是一种金属旋转式抗速率抗fiferromagnet候选，具有Néel温度T n = 703 K。数据揭示了沿平面外和平面动量方向的CRSB的电子结构，从而使各向异性K依赖性SS与计算结果非常吻合。在非对称动量点下，此类SS的大小至少达到至少0.8 eV，这显着高于最大的已知SOC诱导的SS。这种化合物扩大了抗磁性旋转型材料的材料的选择，并且很可能会刺激随后对在室温下起作用的高效率旋转器件的研究。
在聚焦离子束形样品中控制晶体裂解的表面光谱
我们对量子材料的理解通常是基于通过光谱均值（最著名的是角度分辨光发射光谱（ARPE）和扫描隧道显微镜的精确确定其电子光谱的。都需要原子清洁和平坦的晶体表面，这些表面是通过在超高真空室中进行原位机械裂解来制备的。我们提出了一种新的方法，该方法解决了当前最新方法的三个主要问题：（1）切割是一种高度的稳定性，因此是一种效率低下的过程； （2）断裂过程受散装晶体中的键支配，许多材料和表面根本不会切割； （3）裂解的位置是随机的，可以防止在指定的感兴趣区域收集数据。我们的新工作流程是基于微型晶体的聚焦离子光束加工，其中形状（而不是晶体）各向异性决定了裂解平面，可以将其放置在特定的目标层上。作为原则证明，我们显示了ARPES沿AC平面的SR 2 RUO 4的微裂解和SRTIO 3的两个表面取向产生，这是众所周知的很难裂解立方钙钛矿。
固溶体 Ti y Nb 2-y CT x MXenes 中的电子特性与 M 位成分的关联
在电磁干扰屏蔽、天线和电化学能存储与转换电极等应用中，MXene 薄膜需要具有高电导率。由于采用基于酸蚀的合成方法，因此很难分解化学成分和薄片尺寸等因素对电阻率的相对重要性。为了了解内在和外在因素对宏观电子传输特性的贡献，对 Ti y Nb 2- y CT x 系统中的固溶体进行了控制成分和结构参数的系统研究。特别是，我们研究了金属（M）位成分、薄片尺寸和 d 间距对宏观传输的不同作用。硬 x 射线光电子能谱和光谱椭圆偏振法揭示了 M 位合金化引起的电子结构变化。与光谱结果一致，低温和室温电导率以及有效载流子迁移率与 Ti 含量相关，而薄片尺寸和 d 间距的影响在低温传输中最为突出。该结果为设计和制造具有广泛电导率的 MXene 提供了指导。
XPS化学状态映射在光学和微电子中
摘要。XPS成像的强度在于它具有（i）在样品表面上找到小图案的能力，（ii）以微分辨率分辨率告知有关在表面检测到的元素的化学环境。在这种情况下，由于它们的可调性和可变性，基于锶的钙钛矿似乎对这种光发射实验进行了很好的适应。这些功能性氧化物在新兴的光电和微电源应用中具有巨大的潜力，尤其是对于透明的导电氧化物。图案化的异质结构Srtio 3 /srvo 3是使用脉冲激光沉积使用阴影掩模生长的。然后通过串行采集模式下的XPS映射分析此堆栈。Ti2p和V2P核心水平成像清楚地介绍了SRTIO 3和SRVO 3域。将广泛讨论SR3D核心水平的XPS映射：锶是两种具有非常相似化学环境的氧化物的共同元素。尽管SR3D图像中的对比度较低，但由于地形的影响，这两种材料还是可辨别的。添加，使用SR3D FWHM图像是证明这两个阶段的真正资产。最后，通过主成分分析进行数据处理使我们能够在锶原子上提取重要的光谱信息。