摘要:扭曲的石墨烯单和双层系统的超晶格产生了按需多体状态,例如Mott绝缘子和非常规的超导体。这些现象归因于平坦带和强库仑相互作用的组合。然而,缺乏全面的理解,因为当电场应用以改变电子填充时,低能带的结构会发生强烈的变化。在这里,我们通过应用微型注重角度分辨的光发射光谱光谱光谱光谱光谱传递到位于原位门配,我们可以直接访问扭曲的双层石墨烯(TBG)和扭曲的双重双层石墨烯(TDBG)的填充相关的低能带。我们对这两个系统的发现处于鲜明的对比:可以在简单模型中描述掺杂的TBG的掺杂依赖性分散体,将依赖于填充的刚性带转移与多体相关的带宽变化相结合。在TDBG中,我们发现了低能带的复杂行为,结合了非单调带宽变化和可调间隙开口,这取决于栅极诱导的位移场。我们的工作确立了在扭曲的石墨烯超晶格中低能电子状态的电场可调节性的程度,并且可以支持对所得现象的理论理解。关键字:扭曲的双层石墨烯,Moire ́超级晶格,扁平带,微摩尔,原位门控,带宽重归于
具有可视化化学,结构和神经生物学至关重要的纳米级亚细胞结构。尤其是四氧化os已被广泛用于选择性脂质成像。尽管使用无处不在,但脂质膜中的oSmium物种形成以及电子显微镜(EM)中图像对比的机制始终是开放的问题,限制了改善染色方案并改善生物样品的高分辨率成像的努力。以我们最近的成功使用光发射电子显微镜(PEEM)来对小鼠脑组织进行15 nm的亚细胞分辨率图像,我们已经使用PEEM来确定脂质膜中OS染色的化学对比机制。os(iv)以OSO 2的形式产生脂质膜中的聚集体,导致了状态的电子结构和电子密度的强烈空间变化。OSO 2具有金属电子结构,可逐渐增加费米水平附近状态的电子密度。将金属OSO 2沉积在脂质膜上,可以强烈增强生物材料的EM信号。膜对比机械的这种不明显
宽带隙半导体有可能表现出负电子亲和势 (NEA)。这些材料可能是冷阴极电子发射器的关键元素,可用于平板显示器、高频放大器和真空微电子等应用。结果表明,表面条件对于获得负电子亲和势至关重要。在本文中,角度分辨紫外光发射光谱 (ARUPS) 用于探索金刚石和 AlGaN 表面的影响。紫外光发射在表征电子发射方面的价值在于该技术强调了发射过程的影响。为了充分表征电子发射特性,还需要采用其他测量方法,例如场发射的距离依赖性和二次电子发射。最近,这些测量方法已用于比较 CVD 金刚石膜的特性。[l] 半导体的电子亲和势定义为将电子从导带最小值移到距离半导体宏观较远的距离(即远离镜像电荷效应)所需的能量。在表面,该能量可以示意性地显示为真空能级与导带最小值之间的差异。电子亲和力通常不依赖于半导体的费米能级。因此,虽然掺杂可以改变半导体中的费米能级,并且功函数会相应改变,但电子亲和力不受以下因素的影响
基于石墨炔 (GY) 和石墨炔 (GDY) 的单层代表了下一代二维富碳材料,其可调结构和性能超越石墨烯。然而,检测原子级厚度的 GY/GDY 类似物中的能带形成一直具有挑战性,因为该系统必须同时满足长程有序和原子精度。本研究报告了在表面合成的金属化 Ag-GDY 薄片中形成具有介观(≈ 1 μ m)规律性的能带的直接证据。采用扫描隧道和角度分辨光电子光谱,分别观察到费米能级以上实空间电子态的能量相关跃迁和价带的形成。此外,密度泛函理论 (DFT) 计算证实了这些观察结果,并揭示了蜂窝晶格上双重简并的前沿分子轨道产生接近费米能级的平坦、狄拉克和 Kagome 能带。 DFT 建模还表明原始薄片材料具有固有带隙,该带隙保留在具有 h-BN 的双层中,而吸附诱导的带隙内电子态在 Ag-GDY 装饰银的 (111) 面的合成平台上演变。这些结果说明了通过原子精确的二维碳材料中的分子轨道和晶格对称性设计新型能带结构的巨大潜力。
摘要自1911年发现超导性以来,追求高过渡 - 温度(T C)超导体一直是凝结物理学的核心重点。在丘比特和基于铁的超导体中的突破性超过了40 K麦克米兰极限,并将其确定为高温超导体。在2019年,在平面 - 平面无限层镍酸盐薄膜中报道了超导性,尽管t c <40 k。2023年,在高压加工的高压力摄入量下,biLayer ruddlesden-popper(RP)镍的液体氮气 - 温度超导率。在这里,使用巨大的氧化原子层逐层外观(goall-epitaxy)[1],我们报告(LA,PR)3 Ni 2 O 7膜中的环境压力超导性[2],具有40 k的发作t c。超导体 - 绝缘体过渡阶段图[3]。角度分辨光发射光谱(ARPES)测量[4,5]揭示了孔掺杂孔的多轨fermi表面。沿着布里渊区的对角线发现具有颗粒 - 孔对称特性的温度依赖性能隙[6]。这些环境压力镍超导体为揭示高温超导性机制提供了一个新的平台。参考文献[1]国家科学评论,NWAE429(2024)。[2]自然,doi:10.1038/s41586-025-08755-Z(2025)。[3] Arxiv:2502.18068。[4] ARXIV:2501.09255。[5] ARXIV:2501.06875。[6] ARXIV:2502.17831。查询:3943 6303
在LA 3 Ni 2 O 7(LNO)中发现高t C超导性(SC)引起了极大的关注。以前,有人提出NI-3 D Z 2轨道对于实现LNO中的高t c sc至关重要。其中预制的库珀对通过与3 d x 2 -y 2轨道的杂交获得相干性,形成SC。但是,我们持有不同的观点,即层间配对S -Wave SC是由3 d x 2 -y 2轨道诱导的,这是由强层间层互动相互作用驱动的。为了包括两个e g轨道的效果,我们建立了一个两轨双层t -j模型。我们的计算表明,由于无双重占用限制,3 d x 2-y 2频段和3 d z 2键带的分别被大约2和10的倍数,这与最近角度分辨的光发射镜头测量值一致。因此,由于难以发展相干性,因此在3 d z 2轨道中几乎无法诱导高温SC。但是,在逼真的相互作用强度下,3 d x 2 -y 2轨道可以很容易地实现。带有电子掺杂,3 d z 2个带逐渐潜入费米水平以下,但t c继续增强,这表明LNO中的高t c s s c s s s c c s s no不需要。带有孔掺杂,T C最初掉落然后上升,并伴随着从BCS到BEC型超导体过渡的交叉。
Terahertz(THz)辐射覆盖了约0.1至30 THz的范围。它在基础研究和未来应用中拥有巨大的希望,1,2,因为THZ频率范围与物质的所有阶段,即等离子体,气体,液体和固体相吻合。3,例如,THZ辐射可以共同引起传导 - 电子传输,等离子体,激子,库珀对,Phonons或镁元。4因此,THZ光谱是研究广泛材料中基本过程的强大工具。thz辐射不仅是一种探针:高振幅THZ来源的发展可以控制物质5-7的集体激发,例如8-11的磁铁中的磁子或驾驶phonons。目前,THZ电场在台式系统中达到1 mV/cm的峰值强度,并且在大规模用户设施(例如自由电子激光器)中超过10 mV/cm。17在激发脉冲激发时,最近观察到了物质的不同阶段(例如,拓扑,磁性和结构)之间的超快切换。8,18–25 THZ激发也可以与其他良好的实验探针(例如角度分辨光发射光谱,26个扫描隧道显微镜,27-29或X射线衍射)结合使用。30,31将THZ光谱与如此强大的
摘要:铅卤化物钙钛矿材料和光学谐振器之间的强耦合使这些新兴半导体的光物理特性既可以控制,又可以观察基本物理现象。然而,实现光学定义明确的激子跃迁的光学质量钙钛矿量子点(PQD)膜的困难阻止了这些材料中强光耦合的研究,这是光电领域的核心。在本文中,我们证明了在金属谐振器中多腔激素极化子的室温下形成,它们嵌入了高度透明的邻苯二颗元素量子点(CSPBBR 3 -QD)固体,这通过对系统的吸收和发射特性的重新配置来揭示。我们的结果表明,在CSPBBR 3 -QD光腔中,似乎不存在或补偿Biexciton相互作用或大型极性形成(通常被调用以解释PQD的特性)的影响。我们观察到,强耦合可以显着降低光发射线宽度,以及光吸收的超快调制,可通过激发通量来控制。我们发现,北极星与深色态储层的相互作用在确定杂交光量子点固体系统的发射动力和瞬时吸收特性方面起着决定性的作用。我们的结果应作为将来对PQD固体作为极化材料进行研究的基础。关键字:量子点固体,钙钛矿,强烈的激子 - 光子耦合,偏振子,光学微腔
摘要:轻度收获和分子内能量漏斗是自然光合作用的基本过程。可以通过研究能够模仿自然系统的人工轻度收获天线的研究来解密调节此类过程效率的主要结构,动态和光学特性的全面知识。树枝状聚合物是一些探索最多的人工轻度收获分子。然而,它们必须是良好的和高度分支的共轭结构,从而产生分子内能梯度,以保证有效和单向能量转移。在此,我们探索了负责在大型,复杂的聚(苯基 - 乙烯烯)树突中型中高度有效的能量漏斗的不同机制的贡献,其建筑的设计尤其旨在使最初吸收的光子朝着空间上吸收的光子降低其表面,从而避免了环境,从而使最初吸收的光子朝着空间上的局部局限于环境,从而避免了环境。为此,通过使用非绝热激发态分子动力学来模拟非辐射光诱导的能量弛豫和重新分布。以这种方式,定义了先前由时间分辨光谱法报道的激子迁移的两个可能的直接和间接途径。我们的结果刺激了在基于分子的光子设备中应用的新合成树状聚合物的未来发展,在这些光子设备中,可以通过在不同分子内能传递途径之间的详细平衡之间的变化来预测光发射效率的增强。■简介
化学替代通常用于探索材料中的新基础状态,但疾病的作用经常被忽略。在MN取代的BAFE 2 AS 2(MNBFA)中,尽管在标称孔掺杂相的相位观察到了超导性(SC)。相反,出现了玻璃磁相,与S = 5 /2 MN局部自旋相关。在这项工作中,我们使用角度分辨光发射光谱(ARPES)对MNBFA的电子结构进行了全面研究。我们发现MN会导致电子口袋的小且特异性的降低,仅部分破坏了嵌套条件。基于对光谱特性的分析,我们观察到所有频段,电子散射速率随MN含量的函数的增加。这被解释为增加的带不连贯性,我们认为这是抑制MNBFA磁顺序的主要因素。此发现将MNBFA电子带结构的特性与这些材料中观察到的玻璃磁性行为联系起来,并表明由于散布了Fe衍生的激发的集体磁杂质行为,因此不存在SC。此外,我们的分析表明,自能量[IM(E B)]虚拟部分的结合能(E B)依赖性通过分数缩放(IM(E B)∝√-E B)最好描述。这些结果表明,MN将MNBFA调为Bafe 2 AS 2中相关的Hund的金属与BAMN 2 AS 2中的Hund的绝缘体之间的MNBFA变为电子障碍相。
