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空气等离子切割 C41 - 矢量焊接
电磁干扰更少，因此切割位置附近的任何电子、无线电、电视、电话和计算机系统都不会出现问题。由于没有触发电弧所需的高电压，因此对割炬和相应连接电缆的电应力更小 与市场上其他割炬（无高频）相比更加简单，因此降低了触发电弧的机械气动运动中发生卡住的风险。易磨损（电极、尖端、喷嘴、扩散器等），这要归功于通过减少绝缘厚度（不危及安全参数）获得的更好的割炬冷却效果
空气等离子切割 C101 - 矢量焊接
由于没有触发电弧所需的高电压，因此焊枪和相应的连接电缆上的电应力更小 与市场上其他焊枪（无高频）相比更加简单，从而降低了触发电弧的机械气动运动中发生卡住的风险。易磨损（电极、尖端、喷嘴、扩散器等），这要归功于通过减少绝缘厚度（不危及安全参数）获得更好的焊枪冷却效果
01/06/2024等离子真空系统
超高真空（UHV）条件现在可以很容易地实现和维护，这要归功于真空泵技术的新发展，例如低温涡轮分子泵，这些发展对于要达到高准确性以防止污染的过程至关重要。泄漏检测和
表征无血浆细胞的DNA变体与肿瘤的表征
结果中有39.5％的114例患者在可报告的临床基因中至少提出了一种致病性或可能的致病性CH变体。我们发现所有BRCA2变体的79.9％是CH起源的，占CHEK2的79.4％，BRCA1的68.5％，41.9％的ATM，6.3％NRA，6.2％BRAF，2.4％KIT，2.3％KRAS，2.3％KRAS和1.8％的EGFR。对于65-69岁的患者，CH变体分类的中位数率为17％，而70-74岁的患者为29％，75-79岁的患者为33％，80岁以上的患者为50％。我们发现，在许多通常用PARP抑制剂治疗的癌症类型中，否则可吸毒靶标的CH速率很高，包括乳腺癌，女性生殖道，卵巢，胰腺，胰腺，前列腺和子宫内膜癌。
主要抑郁症中的血浆氨基酸：
应对对重度抑郁症（MDD）的有效和个性化干预措施的开发提出的巨大挑战需要对等离子体氨基酸发挥及其在MDD病理学和药理学中的影响的复杂作用进行全面理解。氨基酸，由于它们在神经传递，代谢和免疫调节中的不可分割功能，因此在这种复杂的疾病中成为关键实体。我们的主要目标需要通过对等离子体氨基酸，MDD和药房策略之间的相互作用进行细致研究来揭示基本机制和揭开量身定制的处理。通过对现有文献进行彻底而详尽的审查，我们已经确定了有关MDD中血浆氨基酸的相关研究，从而发现了与健康同伴相比，MDD患者中氨基酸的特征中的值得注意的干扰。具体而言，色氨酸，苯丙氨酸和酪氨酸的代谢中的破裂，它们是必不可少的神经交易剂的前体，已成为前瞻性生物标志物，以及对depression病理生理学的关键因素。amnio酸在MDD中起着至关重要的作用，并且可能代表一个有吸引力的药理靶标，需要更多的研究才能完全揭示其潜在机制。关键词：主要抑郁症（MDD），血浆氨基酸，病理生理学，生物标志物，色氨酸含量
使用等离子体技术（SMPT-2025）的表面修饰
关于研讨会的目的是组织SMPT-2025的目的是熟悉汽车，纺织品，塑料，模具和生物医学等工业部门，并使用IPR开发的血浆技术的当前发展和表面修饰的挑战。此事件还旨在使用等离子体技术协助启动。AIC-IPR是由IPR建立的ATAL孵化中心，该中心是政府Niti Aayog的Atal Innovation Mission计划。的印度，积极支持初创企业和行业开发先进的技术解决方案。
使用UPLC- ...
摘要目的：我们正在进行的研究旨在建立一种经过验证的方法，用于测量使用UPLC MS/MS的等离子体中的Empagliflozin。材料和方法：钠葡萄糖CO转运蛋白抑制剂（SGLTI），一种新型的糖尿病药物。非胰岛素依赖性糖尿病和成年糖尿病是2型糖尿病的先前名称。empagliflozin是第一个SGLT2抑制剂一种药物，它降低了心血管风险2型糖尿病和先前存在的心血管疾病的风险。empagliflozin D4作为内部溶液（IS）。液态萃取用于在Synergi上分离2.5µ融合 - 反向相100A（100 mm×2.0 mm），2.5 µm色谱柱。甲醇的混合物：作为流动相，使用75:25体积比的0.2％甲酸。流速设置为0.3µL/min。校准曲线是线性和绘制的。结果：开发的方法是从人血浆溶液中确定雌激素的准确，精确，灵敏的方法。HPLC级中乙酸乙酸乙酯和水是雌激素的首选溶剂。用离心机和LV氮蒸发剂用乙酸乙酯和水进行LLE提取。乙酸乙酯用作非极性溶剂，水用作极性溶剂进行液体液体提取。lle是一个低成本提取过程，与固体液体提取相比。报告的方法适用于生物等效性和药代动力学研究。
原子层沉积 Al2O3 作为热氧化和等离子氧化的屏障
电子邮件：stephane.calvez@laas.fr 简介 原子层沉积 (ALD) 纳米厚的 Al 2 O 3 层或其他电介质层已被证实是一种有效的方法，可用于创建敏感材料封装层，防止其因周围大气中的水分和氧气含量而发生降解 [1,2]。另外，由氧气（分别是水）引起的半导体材料向绝缘体的腐蚀转变，称为干（湿）氧化，通常用于微电子和光子器件以及集成电路的制造，作为引入实现晶圆上光学路由 [3–6] 和/或电连接所需的电和/或光子限制的一种方式。特别是在硅光子器件制造中，后者的工艺通常涉及将硅层在高温或等离子体中暴露于水/氧气中，并通过厚度大于 100 nm 的 SiN x 掩模实现局部氧化保护 [3,4]。在此背景下，我们在此报告了使用 ALD 沉积的 Al 2 O 3 作为节省材料的氧化屏障以防止硅晶片的等离子诱导或高温热氧化的能力的研究。样品制备通过热 ALD 在硅晶片上沉积具有纳米厚度的 Al 2 O 3 薄膜。低压热 ALD 沉积由重复循环组成，每个循环包括 300 ms 的三甲胺铝 (TMA) 脉冲，然后在 N 2 下进行 2800 ms 的吹扫，150 ms 的水蒸气脉冲，以及在 N 2 下进行 6700 ms 的第二次吹扫。这里测试了两个沉积温度，90°C 和 150°C。使用可变角度光谱椭圆偏振法（使用 Accurion EP4 系统）测量所得层厚度。图 1 显示了 Al 2 O 3 厚度随沉积循环次数变化的记录。在 0 个循环时，测量到的厚度对应于天然氧化硅（测量到约 2 纳米）。在 15 个沉积循环之前，成核开始以异质生长（见图 1 插图）。超过 15 个循环后，沉积厚度以每循环生长率 (GPC) 0.19 纳米/循环线性增加，并且与沉积温度的依赖性较弱。随后使用紫外光刻和湿法蚀刻对 Al 2 O 3 涂层样品进行图案化，以获得具有 Al 2 O 3 保护和未保护硅区域的样品。使用稀磷酸（去离子水/H 3 PO 4 (37%) 1/1 溶液）在精确的 67°C 温度下进行层蚀刻，蚀刻速率为 30 纳米/分钟。分别用水和丙酮进行冲洗和清洁。测试了两种类型的氧化：干热氧化和等离子氧化。干热氧化方案包括在 5L/min 的 O 2 流量下从 30°C 开始线性升温（8.2°C/min），然后在 9L/min 的 O 2 流量下以 1000°C 进行恒温步骤，然后在 5L/min 的 O 2 流量下以 -16.3°C/min 的温度衰减。低压 O 2 等离子体氧化在 Sentech Si-500 设备中进行，使用 30 分钟的重复处理，其中样品受到 O 2 等离子体处理，RF 功率为 800W，基板温度保持在 100°C 以下。在这两种情况下，通过成像光谱椭圆偏振法测量处理过的样品的保护区和未保护区的氧化厚度。图 2 左侧显示，如果 Al 2 O 3 厚度大于 ~9 nm（45 个循环），则干氧化不会进行，而对于更薄的覆盖层，干氧化会减少。SEM 横截面（如图 2 中的插图所示）进一步证实了这一观察结果。类似地，观察到等离子体氧化导致氧化物生长遵循平方根定律的时间依赖性（Deal 和 Grove 模型 [7]），但对于（30 次循环）Al 2 O 3 涂层样品部分，其氧化速率降低。
螺旋推进器等离子体建模：二维流体……
假设螺旋天线发射所吸收的功率已知，推导了螺旋推进器腔内磁化等离子体流的轴对称宏观模型。从设计和操作参数的角度讨论了电离、约束、亚音速流和生产效率。获得了理想等离子体条件的解析解和简单的缩放定律。然后将腔模型与外部磁喷嘴模型匹配，以表征整个等离子体流并评估推进器性能。评估了热、电和磁对推力的贡献。能量平衡提供了腔和喷嘴中离子和电子之间的功率转换，以及光束功率、电离损失和壁面损失之间的功率分配。评估了推进器的效率，并确定了效率低下的主要原因。喷嘴中无碰撞电子群的热力学行为被认为是鲜为人知的，并且对于完全等离子体膨胀和良好的推力效率至关重要。 VC 2013 美国物理学会。[http://dx.doi.org/10.1063/1.4798409]
ISTEQ 宽带等离子光源 - XWS-65
ISTEQ 的 XWS-65 光源产品经过专门开发，可用于多种应用，包括光谱学、高分辨率显微镜、薄膜测量、表面计量等。该光源基于尖端技术，受欧盟和美国专利保护。