3。RESULTS......................................................................................52 3.1.ZnO nanoparticles and their nanohybrids ..............................52 3.1.1.晶体结构......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 52 3.1.2。Nanostructures and morphology.......................................56 3.1.3.Chemical bonding............................................................64 3.1.4.X射线光电子光谱.............................................................................................................. 67 3.1.5。拉曼光谱法..................................................................................................................... 72 3.1.6。频段间隙........................................................................................................................................................... 75 3.1.7。光致发光发射光谱............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 77 3.2。ZnO nanorods ........................................................................83 3.2.1.结晶结构........................................................................................................................................................................................................................................................................................... 83 3.2.2。Morphology......................................................................84 3.2.3.光学特性......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 86 3.2.4。Electrical properties studied by I-V and I-t measuremesnts............................................................................88 3.3.Photodiodes............................................................................93 3.3.1.形态..................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 93 3.3.2。I-V characteristics in dark.................................................94 3.3.3.理想因素计算........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 95 3.3.4。I-V辐射下的I-V特征................................................................................................................................................................................................................................................................................. 95 3.3.5。I-t characteristics: UV on/off cycles...................................97 3.3.6.Figures of merit................................................................98
迷你电影制造商一个负担得起且紧凑的单元,适用于少量供应量的轻型应用。包括加热的柏拉图,压力机以及将聚合物样品融化为可重复的膜所需的一切,并使用您的Thermo Scientific FTIR光谱仪分析它们。允许对添加剂和其他聚合物特性进行定量分析,包括共聚物中的结晶度和单体比。紧凑型尺寸几乎可以在任何桌面或实验室长凳上使用,并且能够加热高达250°C。胶片可以按至50、100、250和500微米的厚度,并安装在随附的10毫米光圈采样卡中以进行传输分析归档。
根治性聚合是工业中聚合物合成的最重要的聚合物方法之一。1 - 4的特征特征包括高单体多功能性和功能群耐受性,从而使能够从具有不同反应性和不同功能组的乙烯基单体中制造聚合物材料。尤其是两个(或更多)单体1和2的共同体化(图1a)已通过将各种功能(例如极性和反应基团)赋予源自单体的聚合物材料来定制聚合物产物。最近,一位作者通过与传统的单体具有诱导分支诱导的单体的基本共聚,开发了结构控制的超支聚合物的合成,并且共聚率对于控制分支结构很重要。5 - 9
光响应性聚合物可通过光图案化方便地用于制造防伪材料。然而,一个尚未解决的问题是环境光和热量会损坏光响应性聚合物上的防伪图案。在此,通过对光响应性共轭聚合物 (MC-Azo) 进行光图案化和热退火,开发了光和热稳定的防伪材料。MC-Azo 在聚合物主链中含有交替的偶氮苯和芴单元。为了制备防伪材料,用偏振蓝光通过光掩模照射 MC-Azo 薄膜,然后在光子印章的压力下进行热退火。该策略生成了一种具有双重图案的高度安全的防伪材料,该材料对阳光和 200°C 以上的热量都很稳定。稳定性的关键在于热退火促进了链间堆积,从而将光响应性 MC-Azo 转化为光稳定材料。稳定性的另一个关键是共轭结构赋予 MC-Azo 良好的热性能。本研究表明,利用热退火促进链间堆积的可光刻共轭聚合物的设计为开发高稳定性和安全性的防伪材料提供了一种新策略。
其中,c为光速,f为频率,k和k′为常数。显然,v取决于Dk,而α与Df密切相关。因此,为了提高信号的传输速度和质量,必须降低Dk和Df。通常,介电材料在5GHz以上的高频下,Dk应低于2.5,Df应低于0.001,而很少有低k材料表现出如此低的Dk和Df。原则上,有机材料的Dk可以通过两种主要方法有效降低。7第一种方法是通过在分子的主链或侧链中引入低极化基团,例如C-F、Si-C和C-C基团,来降低分子的极化率。第二种方法是通过在聚合物上附加大分子基团和使用造孔技术来降低偶极密度。8
工程与设计516 High Street,WA 98229 MATH 341可以代替数学345。CSCI 141可以用140代替。engd@wwu.edu | 360.650.3380学生必须完成7个学分。选修课 - 请参阅网站以获取批准的课程,完整专业必须在春季季度结束前完成Phys 163。全专业必须完成PME 342和ENGR 225,到冬季季度结束3年。前学前班顾问:Lisa OCHS学生除了大型课程外还必须填写普通大学的要求。360.650.4132 lisa.ochs@wwu.edu
† 休假于伦敦城市大学工程学院,北安普顿广场,EC1V 0HB,英国。 * 通讯作者。njugunajak@yahoo.co.uk,电话:+ 48 12 6282695,传真:+48 12 6282038(J. Njuguna)。
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