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;路易吉·卡恰普蒂；塞尔吉奥·卡拉特罗尼；本杰明·卡努埃尔；基娅拉·卡普里尼；安娜·卡拉梅特；劳伦蒂乌卡拉梅特；马泰奥·卡莱索；约翰·卡尔顿；马特奥·卡萨列戈；瓦西利斯·查曼达里斯；陈玉傲;玛丽亚·路易莎·基奥法洛；阿莱西娅·辛布里；乔纳森·科尔曼；弗洛林·卢西安·康斯坦丁；卡洛·R·孔塔尔迪；崔亚欧;埃莉莎·达罗斯；加文·戴维斯；埃丝特·德尔·皮诺·罗森多；克里斯蒂安·德普纳；安德烈·德列维安科；克劳迪娅·德·拉姆；阿尔伯特·德罗克；丹尼尔·德尔；法比奥·迪·庞波；戈兰·S·乔尔杰维奇；巴贝特·多布里希；彼得·多莫科斯；彼得·多南；迈克尔·多瑟；扬尼斯·德鲁加基斯；雅各布·邓宁安；阿利舍尔·杜斯帕耶夫；萨扬·伊索；约书亚·伊比；马克西姆·埃夫雷莫夫；托德·埃克洛夫；格德米纳斯·埃勒塔斯；约翰·埃利斯;大卫·埃文斯；帕维尔·法捷耶夫；马蒂亚·法尼；法里达·法西；马可·法托里；皮埃尔·费耶；丹尼尔·费莱亚；冯杰;亚历山大·弗里德里希；埃琳娜·福克斯；纳瑟尔·加鲁尔；高东风;苏珊·加德纳；巴里·加勒威；亚历山大·高格特；桑德拉·格拉赫；马蒂亚斯·格瑟曼；瓦莱丽·吉布森；恩诺·吉斯；吉安·F·朱迪斯；埃里克·P·格拉斯布伦纳；穆斯塔法·京多安；马丁·哈内尔特；蒂莫·哈库利宁；克莱门斯·哈默勒； Ekim T. Hanımeli；蒂芙尼·哈特；莱昂妮·霍金斯；奥雷利恩·希斯；杰瑞特·海斯；维多利亚·A·亨德森；斯文·赫尔曼；托马斯·M·赫德；贾森·M·霍根；博迪尔·霍尔斯特；迈克尔·霍林斯基；卡姆兰·侯赛因；格雷戈尔·詹森；彼得·耶格利奇；费多·耶莱兹科；迈克尔·卡根；马蒂·卡利奥科斯基；马克·卡塞维奇；亚历克斯·凯哈吉亚斯；伊娃·基利安；苏门·科利；贝恩德·康拉德；约阿希姆·科普；格奥尔吉·科尔纳科夫；蒂姆·科瓦奇；马库斯·克鲁兹克；穆克什·库马尔；普拉迪普·库马尔；克劳斯·拉默扎尔；格雷格·兰茨伯格；迈赫迪·朗格卢瓦；布莱尼·拉尼根；塞缪尔·勒鲁什；布鲁诺·莱昂内；克里斯托夫·勒庞西·拉菲特；马雷克·莱维奇；巴斯蒂安·莱考夫；阿里·莱泽克；卢卡斯·隆布里瑟； J.路易斯·洛佩兹·冈萨雷斯；埃利亚斯·洛佩兹·阿萨马尔；克里斯蒂安·洛佩斯·蒙哈拉兹；朱塞佩·加埃塔诺·卢西亚诺；马哈茂德；阿扎德·马勒内贾德；马库斯·克鲁兹克；雅克·马托；迪迪埃·马索内特；阿努帕姆·马宗达尔；克里斯托弗·麦凯布；马蒂亚斯·梅斯特；乔纳森菜单；朱塞佩·梅西尼奥；萨尔瓦多·米卡利齐奥；彼得·米林顿；米兰·米洛舍维奇；杰里迈亚·米切尔；马里奥·蒙特罗；加文·W·莫利；尤尔根·穆勒； Özgür E. Müstecapl ioğlu ;倪伟头 ;约翰内斯·诺勒；塞纳德·奥扎克；丹尼尔 KL 爱;亚西尔·奥马尔；朱莉娅·帕尔；肖恩·帕林；索拉布·潘迪；乔治·帕帕斯；维奈·帕里克；伊丽莎白·帕萨坦布；埃马努埃莱·佩鲁基；弗兰克·佩雷拉·多斯桑托斯；巴蒂斯特·皮斯特；伊戈尔·皮科夫斯基；阿波斯托洛斯·皮拉夫齐斯；罗伯特·普朗克特；罗莎·波贾尼；马可·普雷维德利；朱莉娅·普普蒂；维什努普里亚·普蒂亚·维蒂尔；约翰·昆比；约翰·拉菲尔斯基；苏吉特·拉詹德兰；恩斯特·M·拉塞尔；海法 雷杰布·斯法尔 ;塞尔日·雷诺；安德里亚·里查德；坦吉·罗津卡；阿尔伯特·鲁拉；扬·鲁道夫；迪伦·O·萨布尔斯基；玛丽安娜·S·萨夫罗诺娃；路易吉·圣玛丽亚；曼努埃尔·席林；弗拉基米尔·施科尔尼克；沃尔夫冈·P。施莱希；丹尼斯·施利珀特；乌尔里希·施奈德；弗洛里安·施雷克；克里斯蒂安·舒伯特；尼科·施韦森茨；阿列克谢·谢马金；奥尔加·塞尔吉延科；邵丽静;伊恩·希普西；拉吉夫·辛格；奥古斯托·斯梅尔齐；卡洛斯·F·索普尔塔；亚历山德罗·DAM·斯帕利奇；佩特鲁塔·斯特凡内斯库；尼古拉斯·斯特吉乌拉斯；扬尼克·斯特罗勒；克里斯蒂安·斯特鲁克曼；西尔维娅·坦廷多；亨利·斯罗塞尔；古列尔莫·M·蒂诺；乔纳森·廷斯利；奥维迪乌·廷塔雷努·米尔恰；金伯利·特卡尔切克；安德鲁. J.托利；文森扎·托纳托雷；亚历杭德罗·托雷斯-奥胡埃拉；菲利普·特罗伊特兰；安德里亚·特罗姆贝托尼；蔡玉岱;克里斯蒂安·乌弗雷希特；斯特凡·乌尔默；丹尼尔·瓦鲁克；维尔·瓦斯科宁；维罗尼卡·巴斯克斯-阿塞韦斯；尼古拉·V·维塔诺夫；克里斯蒂安·沃格特；沃尔夫·冯·克利青；安德拉斯·武基奇斯；莱因霍尔德·瓦尔泽；王金;尼尔斯·沃伯顿；亚历山大·韦伯-日期；安德烈·温兹劳斯基；迈克尔·维尔纳；贾森·威廉姆斯；帕特里克·温德帕辛格；彼得·沃尔夫；丽莎·沃尔纳；安德烈·雪雷布；穆罕默德·E·叶海亚；伊曼纽尔·赞布里尼·克鲁塞罗；穆斯林扎雷；詹明生;林周;朱尔·祖潘；埃里克·祖帕尼奇
截至 2022 年 4 月 1 日的官员和雇员名录
SL NO 员工姓名 职位 薪资等级 组 联系方式 1 SRI. NILESH M DESAI DIST SCI 16 A 079-2691-3344 2 SRI. SURINDER SINGH DIST SCI 16 A 079-2691-5159 / 5194 3 SRI. RAJEEV JYOTI DIST SCI 16 A 079-2691-3349/3350 4 SRI. APURBA N BHATTACHARYA OUTS SCI 15 A 079-2691-2334/2355 5 SRI. TADEPALLI VENKATA S RAM OUTS SCI 15 A 079-2691-3312/3313 6 SRI. KAUSHIKKUMAR S PARIKH OUTS SCI 15 A 079-2691-2238 7 SRI. SUMITESH SARKAR OUTS SCI 15 A 079-2691-8351/8397 8 SRI. SOMYA S SARKAR OUTS SCI 15 A 079-2691-3853/3854/3890 9 SRI. DEBAJYOTI DHAR OUTS SCI 15 A 079-2691-4148 10 DR. B KARTIKEYAN OUTS SCI 15 A 079-2691-4736 11 DR. CH V NARASIMHA RAO OUTS SCI 15 A 079-2691-5273/5272 12 SRI.迪内什·库马尔·辛格 OUTS SCI 15 A 079-2691-2222/2288/2287 13 SRI。 DEVAL MEHTA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-2493/2448 14 SRI。 SANJAY D MEHTA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-8282 15 博士。 SANDIP R OZA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4017 16 KUM SHILPA PANDYA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-5027/5026 17 SRI。阿南德·维什努普拉萨德·帕塔克 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-8254/8297 18 SRI。拉杰什·库马尔 BAHL SCI/ENG-G 14 A 079-2691-2224/2292 19 SRI。阿贾伊·库马尔·拉尔 SCI/ENG-H 14 A 079-2691-4685/4630 20 博士。比马尔·库马尔·巴塔查里亚 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4092/4020 21 SRI。 AS PATEL SCI/ENG-G 14 A 079-2691-2742 22 SRI。 RAKESHKUMAR S SHARMA 科学/工程-G 14 A 079-2691-4812/4829 23 SRI. NITIN P THACKER 科学/工程-G 14 A 079-2691-2739/2794 24 DR. RAMESH DOSHI 科学/工程-G 14 A 079-2691-5158 25 SRI. JIGISH M PATEL 科学/工程-G 14 A 079-2691-2740 26 SRI. ANIL KUMAR SHAH 科学/工程-G 14 A 079-2691-4871/4834 27 SRI. AH BHATT 科学/工程-G 14 A 079-2691-5042 28 DR.卡金德拉·库马尔·苏德 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-3608/3683/3633 29 博士。 MILIND B MAHAJAN SCI/ENG-H 14 A 079-2691-2114/2115/2148 30 博士。 SUBHASH CHANDRA BERA SCI/ENG-H 14 A 079-2691-8346/8396 31 博士 SMT ARUNDHATI MISRA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4133/4187 32 博士。 ATUL KUMAR VARMA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-6045 33 博士。拉什米·夏尔马 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-6044/6091 34 博士。 NITANT DUBE SCI/ENG-G 14 A 079-2691-6102/6101 35 SRI。 PRADEEP KUMAR SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4872 36 SRI。阿米特维克拉姆·库鲁卡尔 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-3808 37 SRI。 ASHISH B MISHRA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4248/4291 38 博士。乔利达尔 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-5274/5260 39 SRI。 ARUP KUMAR HAIT SCI/ENG-G 14 A 079-2691-3541/3540 40 SRI。马尼什·M·梅塔 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-3871/5041/5048 41 SMT。 BARKHA GUPTA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-3845/3807 42 SMT。 ARTI SARKAR SCI/ENG-G 14 A 079-2691-3891/3801 43 SRI。阿米特库马尔 B 戴夫 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-5414 44 SRI。尼拉吉·马瑟 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-2101/2198 45 博士。 M 森蒂尔·库马尔 SCI/ENG-H 14 A 079-2691-3841/3802 46 博士。 S 曼蒂拉·穆尔蒂 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4162 47 SRI。钱德拉·普拉卡什·夏尔马 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-3857/3885 48 SRI。沙希坎特·沙玛 SCI/ENG-G 14 A 079-2691-6202/6298 49 博士。 AS ARYA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4107 50 博士。 ISH MOHAN BAHUGUNA SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4024/4090 51 博士。 PARUL D PATEL SCI/ENG-G 14 A 079-2691-3339/3338 52 DR KUM MINI RAMAN SCI/ENG-G 14 A 079-2691-4340
陆生非常长的基线原子干涉法
J. Tolley；酷刑文森特；亚历杭德罗·托雷斯·奥古拉； Treutlein Philipp；安德里亚长号； Yu-dai Tsai; Uphrecht Christian； Stefan Ulmer；丹尼尔·瓦卢克（Daniel Valuch）；村庄的巴斯科宁； Veronica-Accesses； Nicholay V. Vitanov； Vogt Christian；沃尔夫·冯·攀登； AndrásVukics； Reinhold Walser；金·王（Jin Wang）；伍兹·沃伯顿（Woods Warburton）；韦伯日期亚历山大；安德鲁·恩兹劳斯基（Andrew Wnzlawski）；迈克尔·沃纳（Michael Werner）；杰森·威廉姆斯；帕特里克·温德斯特（Patrick Windpassinger）；彼得·沃尔夫；丽莎·沃纳（Lisa Woerner）；安德鲁穆罕默德·雅希亚（Mohamed E. Yahia）； Emmanuel Zembrini Cross；穆斯林·扎里（Moslem Zarei）；明朗Zhan;林周； Jure Zupan; ErikZupanič
太空中的冷原子：社区研讨会总结和拟议路线图
Ivan Alonso 1，Cristiano Alpigiani 2，Brett Altschul 3，HenriqueAraújo4，Gianluigi Arduini 5，Jan Arlt 6，Leonardo Bardurina 7，AntunardBalaž8，Satvika Bandarupally 9，10，Barry C. Barry C. Barry C. Barish C. Barish C. Barish 11，Michele Barone 13 E Battelier 17，Charles FA Baynham 4，Quentin Beaufils 18，Aleksandar Beli´c 8，JoelBergé19，Jose Bernabeu 20，21，Andrea Bertoldi 17，Robert Bingham 22，23迭戈·布拉斯 24 , 25 , 凯·邦斯 26† , 菲利普·布耶 17† , 卡拉·布赖滕贝格 27 , 克里斯蒂安·布兰德 28 , 克劳斯·布拉克斯迈尔 29 , 28 , 亚历山大·布列松 19 , 奥利弗·布赫穆勒 4 , 30† , 德米特里·布德克 31 , 32 , 路易斯·布加略 33 , 谢尔盖·伯丁 34 , 路易吉·卡恰普奥蒂 35† , 西蒙尼·卡莱加里 36 , 泽维尔·卡尔梅特 37 , 达维德·卡洛尼科 38 , 本杰明·卡努埃尔 17 , 劳伦蒂乌-伊万·卡拉梅特 39 , 奥利维尔·卡拉兹 40† , 多纳泰拉·卡塞塔里 41 , 普拉提克·查克拉博蒂 42 , 斯瓦潘·查托帕迪亚伊 43 , 44 , 32 , Upasna Chauhan 45 , Xuzong Chen 46 , Yu-Ao Chen 47 , 48 , 49 , Maria Luisa Chiofalo 50 , 51† , Jonathon Coleman 34 , Robin Corgier 18 , JP Cotter 4 , A. Michael Cruise 26† , Yanou Cui 52 , Gavin Davies 4 , Albert De Roeck 53 , 5† , Marcel Demarteau 54 , Andrei Derevianko 55 , Marco Di Clemente 56 , Goran S. Djordjevic 57 , Sandro Donadi 58 , Olivier Doré 59 , Peter Dornan 4 , Michael Doser 5† , Giannis Drougakis 60 , Jacob Dunningham 37 , Sajan Easo 22 , Joshua Eby 61 , Gedminas Elertas 34 , John Ellis 7 , 5† , David Evans 4 , Pandora Examilioti 60 , Pavel Fadeev 31 , Mattia Fanì 62 , Farida Fassi 63 , Marco Fattori 9 , Michael A. Fedderke 64 , Daniel Felea 39 , Chen-Hao Feng 17 , Jorge Ferreras 22 , Robert Flack 65 , Victor V. Flambaum 66 , René Forsberg 67† , Mark Fromhold 68 , Naceur Gaaloul 42† , Barry M. Garraway 37 , Maria Georgousi 60 , Andrew Geraci 69 , Kurt Gibble 70 , Valerie Gibson 71 , Patrick Gill 72 , Gian F. Giudice 5 ,乔恩·戈德温 26 、奥利弗·古尔德 68 、奥列格·格拉乔夫 73 、彼得·W·格雷厄姆 44 、达里奥·格拉索 51 、保罗·F·格里恩 23 、克里斯汀·格林 74 、穆斯塔法·京多安 75 、拉特内什·K·古普塔 76 、马丁·海内尔特 71 、埃基姆·T·汉纳梅利 77 、莱昂尼·霍金斯 34 、奥雷利安·希斯 18 、维多利亚·A·亨德森 75 、瓦尔德马尔·赫尔 78 、斯文·赫尔曼 77 、托马斯·赫德 30 、理查德·霍布森 4† 、文森特·霍克 77 、杰森·M·霍根 44 、博迪尔·霍尔斯特 79 、迈克尔·霍林斯基 26 、乌尔夫·以色列森 59 、彼得·耶格利茨 80 、菲利普·杰泽81 , Gediminas Juzeli¯unas 82 , Rainer Kaltenbaek 83 , Jernej F. Kamenik 83 , Alex Kehagias 84 , Teodora Kirova 85 , Marton Kiss-Toth 86 , Sebastian Koke 36† , Shimon Kolkowitz 87 , Georgy Kornakov 88 , Tim Kovachy 69 , Markus Krutzik 75 , Mukesh Kumar 89 , Pradeep Kumar 90 , Claus Lämmerzahl 77 , Greg Landsberg 91 , Christophe Le Poncin-Lafitte 18 , David R. Leibrandt 92 , Thomas Lévèque 93† , Marek Lewicki 94 , Rui Li 42 , Anna Lipniacka 79 , Christian Lisdat 36† 、米娅·刘 95 、JL 洛佩兹-冈萨雷斯 96 、西娜·洛里亚尼 97 、约尔马·卢科 68 、朱塞佩·加埃塔诺·卢西亚诺 98 、Nathan Lundblad 99，Steve Maddox 86，MA Mahmoud 100，Azadeh Maleknejad 5，John March-Russell 30，Didier Massonnet 93，Christopher McCabe 7，Matthias Meister 28，Tadejemister 80，Mical 80 1，Gavin W. Morley 104，JurgenMüller42，Eamonn Murphy 35†，ÖzgürE。Musteğlu，Daniel O'She She。165 L oi 23，Judith Olson 107，Debapriya Pal 108，Dimitris G. Papazoglou 109，Elizabeth pasebet pasembou 4 Ki 111，Emanuele Pelucchi 112，Franck Pereira 18和Santos，Peter Achivski 17 13，114，
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电气溶胶喷射印刷封装：A
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装：线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗：关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究，以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo；Tabiera, Michael Tabiera；Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计，适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I；Kuo, Hung-Chun；Jhong, Ming-Fong；Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian；Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong；Bauer, Robert；Rau, Ingolf；Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer；Gierth, Karl Felix Wendelin；Meier, Karsten；Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层：综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型，用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙；李振松；苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递（UCIe）的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩（1,2）；甘汉臣（1,2）；周云燕（1）；雷波（1）；宋刚（1）；王启东（1） 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层（TSI）电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁；刘丹尼尔；蔡鸿明；李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司，鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装（FOPLP）中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战：材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas；安肯布兰德，马库斯；徐雷；弗罗利希，扬；阮香江； Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1)； Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装（SiP）应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司（苏州）有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火（FLA）方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所（IME） SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎，Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术（FLAT） 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar； Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑，博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板：一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin，Muhammad Ashraf； onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心，公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发：RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康；蔡礼乐；徐迅；帕瓦拉曼普里特；王杰；张理查德；符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1)；张理查德 (1)；林明强 (2)；张斯忠 (2)；杨旭蕾 (1)； Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装，用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架，用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆；刘军；曹帅；Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性：远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划：一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv；Hegedüs, János；Lipák, Gyula；Németh, Márton；Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung；Kim, Seoah； Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh；Venkataraman, Nandini；Tseng, Ya-Ching；陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1)；袁卡德摩斯 (2)；蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju；Dutta, Rahul；Cheemalamarri, Hemanth Kumar； Vasarla Nagendra，Sekhar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun；Kim, Dahee；Choi, Jaeyoung；Park, Wooseok；Choi, Younchan；Lee, Jeongho；Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue；Lau, Boon Long；Chia, Lai Yee；Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所（IME） SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化，以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金；吉伦，伯特；塔克，克拉斯；萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中，在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US
印度妊娠糖尿病有多普遍
妊娠期糖尿病 (GDM) 这种疾病在孕妇中经常被误诊。尽管关于这个主题的研究很多，但人们对其在印度不同地区的患病率仍然缺乏了解。本研究旨在为了解印度孕妇中 GDM 的全国和地区发生情况提供有价值的见解。我们最初搜索了 PubMed、Scopus、Google Scholar 和 ShodhGanga 等各种数据库，以确定相关研究。该综述纳入了估计印度不同邦 GDM 发病率的研究。在筛选了 2393 篇文章后，两位独立审阅者确定了 110 篇符合纳入标准的文章，总共提供了 117 个患病率估计值。使用汇总估计计算，估计大约 13% 的孕妇患有 GDM，95% 置信区间为 9% 至 16%。研究发现，农村人口的 GDM 患病率略低于城市人口。本综述强调了在筛查和诊断 GDM 时需要保持一致性，这可能导致印度不同邦的患病率不同。它强调了在实施州筛查计划时考虑人口特征、地理差异、诊断标准一致性、筛查时间、禁食与非禁食方法、成本效益和可行性等因素的重要性。该研究的结果为政策制定者提供了宝贵的建议，并可通过在全国范围内促进更健康的怀孕来改善孕产妇和新生儿的结果。孕妇妊娠期糖尿病 (GDM) 的患病率估计为 13%，置信区间为 9% 至 16%。在印度，通常使用 DIPSI 诊断标准，其次是 IADPSG 和 WHO 1999。对农村和城市人口的比较显示，农村地区的 GDM 患病率 (10.0%) 略低于城市地区 (12.0%)。本综述强调了对妊娠糖尿病的筛查和诊断缺乏共识，导致印度各邦的患病率各不相同。该研究考察了人口特征、地理差异、诊断标准一致性、筛查时间、禁食与非禁食方法、成本效益和可行性，并为政策制定者提供了建议。通过推广各州的筛查计划，本综述旨在改善孕产妇和新生儿的结果，并在全国范围内促进更健康的怀孕。印度妊娠期糖尿病 (GDM) 的患病率在不同地区存在很大差异，这使得诊断和治疗具有挑战性。2018 年制定了一项技术指南来解决不一致问题，但后续研究表明患病率存在很大差异。造成这种差异的因素包括遗传、人口和筛查实践的差异。最近的一项研究发现，近三分之一的孕妇在妊娠前三个月被诊断出患有 GDM，这凸显了有效筛查和管理计划的必要性。本系统评价旨在调查不同因素如何影响印度的 GDM 患病率，重点关注筛查标准、地理位置、采血技术和筛查时间。三位独立审阅者搜索相关研究，并通过协商一致解决任何分歧。第四位审阅者管理软件，帮助确保全面的搜索过程。团队在不知道作者姓名或机构的情况下筛选了标题和摘要。讨论分歧以达成共识。获取了选定研究的全文副本以收集更多信息。记录了排除研究的原因，并使用流程图介绍了研究纳入过程。两位审阅者独立从纳入的研究中提取相关数据。数据涵盖作者、出版年份、研究地点、样本量、诊断标准和 GDM 患病率。记录了每项研究中使用的 GDM 定义和筛查/诊断标准。使用 AXIS 工具评估研究质量，该工具可评估研究设计、报告质量和偏倚风险。使用同一工具确定偏倚。使用特定方法汇总不同研究中的 GDM 患病率以解释异质性。进行亚组分析和敏感性分析以分析高度异质性。使用 DoI 图和 LFK 指数评估出版偏倚。搜索了相关数据库，包括 PubMed（1883 个结果）、Scopus（345 个结果）、Google Scholar（92 个结果）和 ShodhGanga（未指定结果）。共确定了 2393 篇与妊娠期糖尿病 (GDM) 相关的文章。审查摘要后，选择了 117 篇文章进行进一步分析。作者联系了 13 位未提供全文文章的作者，但最终收到了其中 11 位的回复。最终数据集包含 117 篇符合纳入标准的文章。然后，文中提供了一个表格，其中显示了系统评价和荟萃分析中包括的 17 项研究的详细信息。该表提供了每项研究的研究环境、持续时间、样本量、参与者特征和 GDM 患病率的信息。这些环境包括医院和社区，分布在印度各地的城市和州。**印度的 GDM 研究** 2016 年 4 月至 2018 年 9 月，班加罗尔的一项医院研究发现，17.6% 的孕周 < 36 周的孕妇患有 GDM。在阿萨姆邦，2019 年 7 月至 9 月的一项社区研究报告称，16.67% 的孕周 = 24-28 周的孕妇患有 GDM。在布巴内什瓦尔，2017 年 3 月至 2018 年 10 月的一项医院研究发现，25.1% 的孕周 < 34 周的孕妇患有 GDM。**城市地区的 GDM 研究** 在旁遮普邦，两项基于医院的研究（A 和 B）分别报告 GDM 患病率为 6.6% 和 13%。在拉杰果德，2016 年 1 月至 3 月的一项基于医院的研究发现，11.5% 的孕周 = 21-28 周的孕妇患有 GDM。在韦洛尔，2015 年 2 月至 7 月的一项基于医院的研究报告称，14% 的孕周 = 24-28 周的孕妇患有 GDM。**城市地区的 GDM 研究（续）** 在勒克瑙，2019 年的一项基于医院的研究发现，19.6% 的孕周 = 24-28 周的孕妇患有 GDM。在德里坎特，一项从 2016 年 12 月至 2017 年 6 月进行的医院研究报告显示，18.7% 的孕周 = 24-28 周的孕妇患有 GDM。**城市地区 GDM 研究（续）** 在新德里，两项基于医院的研究（A 和 B）报告 GDM 患病率分别为 18.3% 和 7.87%。在本地治里，一项从 2013 年 4 月至 2014 年 3 月进行的医院研究发现，22.78% 的孕妇患有 GDM。**农村地区 GDM 研究** 在赖布尔，一项日期不详的医院研究报告显示，5.2% 的孕周 = 24-28 周的孕妇患有 GDM。在金奈（泰米尔纳德邦），两项基于医院的研究（A 和 B）报告 GDM 患病率分别为 16.1% 和 14.4%。在喀拉拉邦，2014 年 1 月至 10 月期间的一项医院研究发现，15.9% 的孕周 > 24 周的孕妇患有 GDM。**农村地区 GDM 研究（续）** 在泰米尔纳德邦，两项基于健康中心的研究（A 和 B）报告 GDM 患病率为 8.0%。2009 年至 2014 年间，对印度早产率进行了研究。这些研究包括来自城市医院、农村社区和其他环境的数据。以下是一些主要发现：* 总体而言，不同研究的早产率约为 10-20%。* 城市地区的早产率高于农村地区（34.9% vs 5.04%）。* 大多数研究报告孕妇的平均年龄范围为 21-30 岁。* 一些研究发现早产率因孕周范围而存在显著差异（例如，24-28 周的早产率高于其他）。总体而言，研究表明早产是印度的一个重大问题，不同地区和环境下的早产率各不相同。**妊娠期糖尿病患病率** 1994 年至 2020 年期间进行的一系列研究调查了印度各地区妊娠期糖尿病的患病率。 * 新德里、金奈和其他城市的研究报告称，平均年龄范围为 22.5 至 31.2 岁。 * 孕周范围为 24 至 32 周，一些研究专门关注妊娠中期和晚期。 * 城市研究表明患病率高于农村，范围从 3.2% 到 17.9%。 * 在金奈（17.8%）和贝尔高姆（16%）进行的另一项研究报告的患病率最高。* 各项研究的平均年龄范围相对一致，大多数在 23-26 岁之间。 * 城市地区的平均年龄往往高于农村地区。**研究** 1. **Tripathi R 等人 (2011)**：基于新德里医院的研究 * 平均年龄：25.9 ± 4.4 岁 * 孕周：24-28 周 * 患病率：15.49% 2. **Balaji V 等人 (2012)**：基于钦奈医院的研究（治疗中心） * 平均年龄：23.8 ± 3.48 岁 * 孕周：妊娠晚期 * 患病率：10.5% ... 等等，直到研究 #76：**Dwarkanath 等人(2020)**：果阿医院研究 * 平均年龄：31.2 岁 * 孕周：24-28 周 * 患病率：5.49% 此列表总结了 1990 年至 2021 年期间在印度进行的 27 项关于妊娠期糖尿病 (GDM) 的研究。这些研究在各种环境中进行，包括城市和农村医院以及不同地区的社区。样本量从 5 到 569 名参与者不等，共招募了 2,141 名女性。参与者的平均年龄在 23.15 岁至 30.63 岁之间。这些研究采用了不同的诊断标准，包括 WHO 1999、WHO 2013、DIPSI、IADPSG、Carpantan 和 Coustan 标准以及 ADA 指南。GDM 的患病率为 3.07% 至 33.37%，中位患病率约为 10%。这些研究在印度各地进行，包括马哈拉施特拉邦、卡纳塔克邦、泰米尔纳德邦、德里、古吉拉特邦、北方邦、比哈尔邦、恰蒂斯加尔邦、查谟和克什米尔邦、哈里亚纳邦和西孟加拉邦。研究结果强调了及早发现和管理 GDM 的必要性，以防止不良的产妇和胎儿结局。孕龄 23-28 周：* 印度，城市：+ Das Mukhopadhyay 等人 (2020)，基于加尔各答医院的研究 (14.1%，N=155)+ Punnose J 等人 (2018)，基于德里医院的研究 (16.4%，N=5991)+ Garg P 等人 (2017)，基于德里医院的研究 (20%，N=20)+ Shardha SO 等人(2016 年)，金奈 (泰米尔纳德邦) 基于医院的研究 (22.6%，N=54) + Jeeyasalan L 等人 (2016 年)，韦洛尔 (金奈) 基于医院的研究 (10.9%，N=3902) * 北方邦，城市： + Jain R 等人 (2016 年)，坎普尔基于医院的研究 (13.37%，N=7641) * 本地治里，城市： + Mitra S 等人 (2014 年)，本地治里基于医院的研究 (27.3%，N=83) * 海得拉巴，城市： + Pochiraju M 等人 (2014 年)，海得拉巴基于医院的研究 (17.02%，N=1143) * 金奈，城市： + Nallaperumal S 等人（2013 年），钦奈医院研究（66.6%，N=599）+ Uma R 等人（2017 年），钦奈（泰米尔纳德邦）医院研究（21.9%，N=247）其他研究：* 喀拉拉邦，城市：+ Madhavan A 等人（2008 年），科塔亚姆医院研究（7.5%，N=8）* 马哈拉施特拉邦，城市：+ Swami SR 等人（2008 年），马哈拉施特拉邦（印度西部）医院研究（7.7%，N=94）注：由于舍入误差，百分比加起来可能不等于 100%。此处给出的文章文本 2018 年的出版物是在 2006 年 1 月至 2016 年 12 月期间针对与之前研究相同的人群进行的，并且也在其他地方发表过。因此，两项研究的数据被合并进行分析，其中纳入了时间较长的研究。还使用了一项针对南印度孕妇的单独研究（2011-2012 年），但只包括了最近的研究。“印度妇女的 GDM 策略”项目于 2013 年至 2015 年在泰米尔纳德邦开展，并报告了两次，但两个版本都合并进行分析。一些研究被排除在外，因为它们是使用较大研究的数据单独报告的。另外五项研究使用了不同的人口子集，并被添加到分析中。Taneja 等人 2020 年在旁遮普邦进行的研究分为两个独立的分析，标记为 Taneja (A) 和 Taneja (B)。Siddique 等人的另一项研究也分为三个分析，标记为 Siddique (A)、B 和 C。钦奈市的一项社区研究被视为三项研究之一。患病率估计通常依靠毛细血管血糖 (CBG) 或血糖仪测量，而不是静脉血浆葡萄糖 (VPG)。三项研究结合了毛细血管和静脉血糖估计来确定孕妇的妊娠期糖尿病 (GDM) 患病率。在 3 项研究中，进行了比较评估以评估两种方法在诊断 GDM 方面的有效性。共有 93 项研究采用一步法估计 GDM 患病率，而只有 19 项研究采用两步法诊断。此外，5 项研究缺乏对其研究标准的清晰描述。使用 AXIS 工具进行偏倚风险评估，分析中纳入了 117 项研究。结果显示，大多数研究组成部分表现出低偏倚风险，包括客观性、设计的适当性和统计方法的准确性。然而，48 项研究未能提供对响应率偏差的清晰描述，而 22 项研究缺乏有关伦理同意的信息。此外，9 项研究报告了资金来源，但 28 项研究的资金来源仍不清楚。由于样本量证明不充分，57 项研究观察到高偏倚风险，90 项研究表明对一般人群缺乏普遍性。此外，87 项研究未能提供有关无反应者的信息。印度孕妇 GDM 患病率的最终汇总估计值为 13%（95% CI：9-16%，n = 117 项研究），各研究之间异质性很高。**妊娠期糖尿病 (GDM) 患病率的地区差异** 印度的地理区域在 GDM 患病率方面存在显著差异。北部地区（包括哈里亚纳邦和旁遮普邦）的 GDM 患病率最高，为 16.1%。相比之下，西部、中部和东部/东北地区的患病率较低，分别为 7%、12% 和 11.5%。 **研究结果** 对在城市地区进行的 92 项研究的荟萃分析发现，GDM 的总体患病率为 12.0% (9-16%)，而农村人口的患病率较低，为 10。0% (6-13%)。**诊断标准** 该研究还使用不同的诊断标准检查了 GDM 的患病率，包括 WHO 1999 和 DIPSI 标准。WHO 1999 标准得出的患病率略低，为 12.0%，而 DIPSI 标准得出的患病率为 13.0%。**方法** 该分析汇总了在印度不同地区进行的多项研究的数据，重点关注城市、半城市和农村地区。该研究使用荟萃分析技术来估计汇总的患病率。注意：我试图保留原文的结构和组织，同时对其进行改写以提高可读性。如果您需要任何进一步的帮助，请告诉我！此处给出的文本：2013 年 IADPSG/WHO 标准检测到妊娠期糖尿病 (GDM) 的患病率较高，为 17.0% [12.0–22.0%，I2 = 99%，n = 38 项研究]。相比之下，ADA 标准汇总患病率较低，为 7.0 [4.0–10.0%，I2 = 86%，n = 11 项研究]。C&C、NICE、NDDG 和 O′ Sullivan 等其他标准得出的患病率范围为 13.0% [3.0–24.0%，I2 = 99%，n = 9 项研究]。我们对出版偏倚的评估表明，全国汇总估计值没有不对称，但发现北部地区和西部地区存在问题。Katherine T Li 等人进行的一项系统评价基于截至 2016 年的 64 项研究，调查了印度各地的 GDM 患病率，范围为 0 至 41.9%。我们对 110 项研究进行了荟萃分析，发现孕妇总体 GDM 的汇总估计值为 13% [95% CI，9–16%]，异质性很高（I2 = 99%）。这种异质性背后的原因包括不同的研究人群、地理位置、持续时间和诊断方法。不同的筛查标准、孕龄、血液估计方法以及一步式与两步式程序也造成了患病率估计值的差异。我们的分析表明，与 IADPSG 和 DIPSI 相比，WHO 1999 标准检测到的 GDM 患病率更高，后者几乎与 12-13% 的汇总患病率相匹配。我们还发现使用不同标准的研究之间存在差异。据报道，DIPSI 的敏感性相当低，这引发了人们对其作为筛查和诊断工具的用途的质疑。这凸显了在我国需要一种更敏感的 GDM 诊断方法，以避免出现可能加重卫生系统的负担的假阴性病例。给定文本已改写如下：当前的妊娠期糖尿病 (GDM) 诊断标准被认为已经过时且缺乏准确性，尤其是在印度。 IADPSG（印度糖尿病、肥胖和代谢综合征协会）指南要求在口服 75 克葡萄糖负荷后对三份血液样本进行血糖评估，这对孕妇来说可能是一种侵入性且令人不快的检查。相比之下，DIPSI（糖尿病胰岛素抵抗葡萄糖不耐受综合征）标准使用 2 小时后抽取的一份血液样本来评估血糖。然而，研究表明，IADPSG 和 WHO 1999 标准都比当前的 DIPSI 指南更敏感。Mohan V 等人在 2014 年进行的一项比较研究发现，与 WHO 1999 标准和 IADPSG 标准相比，非空腹 OGTT 的敏感性较差。Tripathi R 等人在 2017 年进行的另一项研究也发现 75g 非空腹测试的敏感性较低，这可能导致大量患有 GDM 的女性被漏诊。关于 GDM 筛查时机的争论仍在继续，一些研究表明在妊娠前三个月进行早期筛查是有益的，而另一些研究则建议等到妊娠后期。2019 年的弗兰德共识建议在妊娠早期普遍筛查糖尿病，这可以改善围产期结果。然而，这种策略可能并不适用于所有患者，特别是在中低收入国家 (LMIC)。因此，审查结果表明，风险分层筛查和个性化方法可能是满足不同人群需求所必需的。与一小时测试相比，一小时 75 克 OGTT 的结果显示，在区分患有和未患有妊娠期糖尿病 (GDM) 的孕妇方面没有显著差异。使用国际糖尿病和妊娠研究组协会的空腹和一小时 75 克 OGTT 截止值显示出良好的诊断特性，可能将进一步检测减少五分之一。然而，在农村地区，空腹状态下获得产前护理是一项挑战。DIPSI 指南建议在怀孕期间的任何时间进行 GDM 测试，但由于灵敏度低和诊断不足而面临困难。使用静脉血浆葡萄糖 (VPG) 和毛细血管血糖 (CBG) 方法诊断 GDM 的血糖估计准确性存在矛盾的证据。一些研究发现 CBG 测量提供的结果与实验室 VPG 测量相似，而其他研究报告称 VPG 和 CBG 值在特定时间点略有不同。差异可能归因于人口特征、测量方法或设备性能。一项研究表明，使用 CBG 具有出色的诊断准确性，但需要进一步研究以制定统一的 GDM 管理计划，以减轻印度的糖尿病负担。毛细血管血糖 (CBG) 估计是资源有限环境中筛查妊娠糖尿病 (GDM) 的一种实用方法。该研究表明，CBG 估计可以成为一种可靠的 GDM 诊断方法，只需要极少的技术专业知识和设备 [71]。这项研究得出的结论是，毛细血管血液检测可以作为资源有限地区筛查 GDM 的一种有效且经济实惠的方法。然而，尽管有更准确的诊断方法，如 IADPSG 标准，由于采用三步程序，这些方法已被证明是有效的，但成本较高 [87]，因此仍需要进一步研究如何制定 GDM 诊断和管理的标准化指南。印度各邦的 GDM 患病率各不相同，凸显了该国的多样性，并强调了制定标准化协议的重要性。Mounika E 等人在南印度进行的研究表明，DIPSI 作为一种一步式筛查和诊断程序，耗时更少、经济实惠且可行 [47]。然而，与 DIPSI 相关的大量假阴性不容忽视。Swaroop N 等人的研究还发现，IADPSG 标准在诊断 GDM 方面是有效的，但需要通过更大规模的研究进一步验证 [90]。本综述主张使用 IADPSG 标准进行一步式 75 克 OGTT 是一种理想方法，尤其是在可行和实用的情况下。然而，在资源有限的国家，DIPSI 标准可以作为备用选项，在既经济有效又不损害临床平衡的情况下使用。我们的评论提出了关于在印度实施 GDM 普遍筛查计划所面临的挑战的有效观点。我们整合了 ShodhGanga 未发表的文献，并努力联系作者获取全文文章或必要信息，确保全面纳入数据。该评论强调，政策制定者需要就诊断孕妇 GDM 的普遍筛查测试达成共识，考虑诸如诊断标准差异（空腹与非空腹、一步法与两步法）以及使用毛细血管或静脉血估计等因素。鉴于本文文本，我们进行了妊娠期糖尿病 (GDM) 筛查方法的成本效益和可行性以及出版偏见评估。因为我们包括患病率研究，所以我们的结果可以推广到人群，而不管偏见如何。我们分析了印度的不同地理区域，发现了 GDM 的汇总患病率。作者认为，在全国范围内采取统一的方法可能并不切实际，并提出了一种针对特定地区的策略，以最大限度地利用资源并有效发现病例。我们的审查旨在为政策制定者提供循证指南，以制定印度 GDM 筛查的共识建议。通过分析各种因素，我们旨在为 GDM 的诊断和管理制定有效的策略。本研究的作者对有关高血糖和不良妊娠结局 (HAPO) 的现有文献进行了广泛的审查。审查的研究选自各种数据库，包括来自妊娠期糖尿病是一个重要问题的中低收入国家 (LMIC) 的数据。文本似乎是与妊娠期糖尿病 (GDM) 相关的参考文献或引文列表。参考文献包括期刊文章、会议论文集和各个组织的指南。有些文章讨论了印度的 GDM 患病率，而其他文章则提出了该病的诊断标准。从文中可以获得以下一些具体要点：* 已经有多项研究调查了印度的 GDM 患病率。* 国际糖尿病和妊娠研究组协会 (IADPSG) 制定了 GDM 的诊断标准。* 一些研究评估了 GDM 筛查计划的有效性。* 诊断和管理 GDM 的方法多种多样，包括使用空腹血糖水平和 HAPO 研究的诊断标准。总体而言，该文似乎是与 GDM 相关的参考文献的集合，而不是一篇单独的文章或论文。1. 发表在 Pract（2013；19：653–657）上的一项研究调查了亚洲印度孕妇的双峰血糖分布及其与妊娠期糖尿病诊断的相关性。2. Punnose 等人的研究(2018) 在印度北部德里的一项医院研究中发现，尽管传统危险因素有所增加，但 2006 年至 2015 年间“妊娠期高血糖”的患病率保持稳定。3. 发表在《Can J diabetes》（2018；42：500–504）上的一项研究调查了使用空腹血糖水平简化国际糖尿病和妊娠研究组针对南亚成年人口的妊娠期糖尿病诊断算法。4. Nayak 等人 (2013) 根据 IADPSG 诊断标准研究了患有和未患有妊娠期糖尿病的女性的胎儿-母亲结局。5. Mitra 等人 (2014) 的一项研究预测了妊娠期糖尿病患者的产前胰岛素需求量。6. Taneja 等人 (2020) 的研究探讨了维生素 D 补充对母亲结局的影响。 7. Seshiah 等人 (2009) 研究了妊娠各个阶段的妊娠期糖尿病。8. Saxena 等人 (2022) 评估了印度妊娠期糖尿病研究组标准对妊娠期糖尿病的诊断准确性及其与胎儿-母亲结局的相关性。9. Todi 等人 (2020) 将国际糖尿病和妊娠研究组协会标准与国家健康与护理卓越研究所的妊娠期糖尿病诊断指南进行了比较。10. Saxena 等人 (2017) 的一项研究比较了非空腹 DIPSI 和 HbA1c 与空腹 WHO 标准对妊娠期糖尿病的诊断准确性。11. Tripathi 等人（评估了非空腹状态下75克葡萄糖负荷对妊娠糖尿病的诊断效果）。研究了印度妊娠期糖尿病研究组（DIPSI）标准作为妊娠期糖尿病诊断测试的有效性。研究发现，DIPSI标准可以准确诊断妊娠期糖尿病。其他研究也证实了DIPSI标准的有效性，其中一些将其与其他诊断标准（如国际糖尿病和妊娠研究组协会 (IADPSG) 指南）进行了比较。一些研究人员使用不同的诊断标准（包括 DIPSI 标准）探讨了妊娠期糖尿病的患病率。总体而言，结果表明 DIPSI 标准是诊断印度妊娠期糖尿病的可靠工具。**建议和指南** 一些组织已经制定了诊断和管理妊娠期高血糖的指南。 * 国际糖尿病和妊娠研究组协会 (2010) 就妊娠期高血糖的诊断和分类提出了建议。 * 世界卫生组织 (1999) 对糖尿病及其并发症（包括妊娠期糖尿病）进行了定义、诊断和分类。 * 美国糖尿病协会 (2007) 制定了糖尿病医疗保健标准，包括诊断和管理妊娠期糖尿病的指南。 **筛查测试标准** 研究人员已提出各种筛查测试标准来检测妊娠糖尿病。这些包括： * Carpenter 和 Coustan (1982) 的筛查测试标准，建议使用 50 克葡萄糖激发试验，然后进行口服葡萄糖耐量试验。 * O'Sullivan 和 Mahan (1964) 的标准，建议使用口服葡萄糖耐量试验来诊断妊娠糖尿病。 **妊娠糖尿病研究** 许多研究调查了不同人群中妊娠糖尿病的患病率和风险因素。一些值得注意的发现包括： * 来自印度的一项研究发现，患有妊娠糖尿病的女性的产妇和新生儿结局较差（Ghosh 和 Ghosh，2013）。 * 另一项印度研究发现，患有妊娠糖尿病的孕妇早产和低出生体重儿更为常见（Tellapragada 等人，2016）。 **妊娠期糖尿病筛查** 研究还调查了不同筛查测试对检测妊娠期糖尿病的有效性。一些值得注意的发现包括： * 印度的一项研究发现，血浆果糖胺可用作妊娠期糖尿病的筛查测试（Menon 等人，2008 年）。 * 另一项印度研究发现，75 克血糖后两小时测试可有效诊断妊娠期糖尿病，但与所需的干预类型无关（Kumar 等人，2018 年）。 **结论** 这些研究和指南强调了诊断和管理妊娠期高血糖对预防母婴并发症的重要性。需要进一步研究以制定有效的妊娠期糖尿病筛查测试和管理策略。在古吉拉特邦拉杰果德的一家三级医疗中心进行了一项研究，以检查妊娠期糖尿病 (GDM) 的严重程度及其影响因素。研究发现，GDM 患病率因多种因素而异。还回顾了其他研究，比较了血糖仪毛细血管血糖估算与静脉血浆葡萄糖估算在 GDM 筛查和诊断中的作用。结果表明，两种方法之间没有显著差异。此外，一项社区研究比较了疑似 GDM 女性的静脉血浆葡萄糖和毛细血管全血糖水平。研究结果表明，这两种方法都能有效检测 GDM。还回顾了其他几项研究，其中一项研究了印度果阿产前母亲的 GDM 发病率和风险因素。另一项研究调查了管理 GDM 病例的血糖水平是否可以预测产妇和胎儿的结果。还研究了布巴内斯瓦尔市区一家医院的孕妇中 GDM 的患病率、风险因素和发病率。一项系统综述和荟萃分析研究了印度的 GDM 筛查和诊断。印度妊娠期糖尿病研究组制定了妊娠期糖尿病 (GDM) 指南。还研究了非空腹血糖测试在诊断 GDM 中的敏感性。研究了印度北部农村地区的血糖水平分布，以及妊娠期高血糖女性的后代可能出现的先天性畸形。最后，一项研究检查了妊娠早期筛查 GDM 的证据，另一项研究回顾了 2019 年关于妊娠早期筛查显性糖尿病的弗兰德共识。以下研究讨论了与孕妇妊娠期糖尿病 (GDM) 相关的各个方面。研究表明，肥胖是印度围产期护理面临的重大挑战，一项研究发现，简单的筛查程序可以准确诊断 GDM。另一项研究强调了在妊娠期筛查 GDM 时考虑昼夜节律的重要性。还研究了血糖测试对不同葡萄糖负荷的反应，研究结果表明需要通用标准来标准化 GDM 诊断。此外，研究人员调查了血液中静脉和毛细血管葡萄糖测量的可比性。在印度城市和农村地区进行了患病率研究，采用了国际妊娠期糖尿病研究组协会 (IADPSG) 和世界卫生组织 (WHO 1999) 的 GDM 诊断标准。研究结果表明，GDM 患病率因地区而异，一些研究表明，某些母亲特征与较高的患病风险有关。此外，还回顾了关于 GDM 对妊娠结局影响的研究，强调了早期诊断和有效管理以预防并发症的重要性。对当前证据的全面回顾还涵盖了筛查方法、诊断标准、以及妊娠期糖尿病的治疗方法。总体而言，这些研究为孕妇妊娠期糖尿病的复杂性提供了宝贵的见解，强调需要标准化的诊断标准、有效的筛查程序和及时的干预措施，以确保最佳结果。东亚和东南亚妊娠期糖尿病的患病率：系统评价和荟萃分析，CL、Pham NM、Binns CW、Duong D Van、Lee AH（2018）强调了该地区对这种疾病日益增长的关注。随后，Muche AA、Olayemi OO、Gete YK（2019）在 Archiv Pub Health 上发表的一项研究根据更新的国际诊断标准研究了非洲妊娠期糖尿病的患病率和决定因素。国际糖尿病联合会的《IDF 糖尿病图谱》第 8 版（2017）全面概述了全球糖尿病状况。印度的研究，如 Kalra P、Kachhwaha C、Singh H 对拉贾斯坦邦西部妊娠期糖尿病患病率和结果的研究（2013 年）以及 Arora GP、Thaman RG、Prasad RB、Almgren P、Brøns C、Groop LC 等人对印度北部旁遮普邦风险因素和患病率的分析（2015 年），为了解该地区的情况提供了宝贵的见解。其他值得注意的研究包括 Ambrish M、Beena B、Sanjay K 对印度妊娠期糖尿病的探索：科学与社会（2015 年）、Rajput R、Yadav Y、Nanda S、Rajput M 对哈里亚纳邦一家三级医院的患病率和风险因素的研究（2013 年），以及 Seshiah V 对印度妊娠期糖尿病的回顾（2004 年）。 Coustan DR、Lowe LP、Metzger BE、Dyer AR (2010) 的 HAPO 研究为制定新的 GDM 诊断标准做出了重大贡献。Reddi Rani P、Begum J 关于妊娠期糖尿病筛查和诊断的文章全面概述了该领域的当前知识状态。Koning SH、van Zanden JJ、Hoogenberg K、Lutgers HL、Klomp AW、Korteweg FJ 等人对 GDM 新诊断标准的研究揭示了这些标准对诊断率和妊娠结局的影响。Venkatesh SRKD (2018) 制定的病毒性肝炎诊断和管理国家指南为医疗保健提供者管理妊娠期糖尿病患者提供了一个框架。 Vanlalhruaii RS、Prasad L、Singh N、Singh T 对曼尼普尔妇女血压与妊娠期糖尿病相关性的研究（2013 年）以及 Gopalakrishnan V、Singh R、Pradeep Y、Kapoor D、Rani AK、Pradhan S 等人使用 IADPSG 标准对患病率的评估（2015 年）等患病率研究为了解区域背景提供了宝贵的见解。印度妊娠期糖尿病研究小组的妊娠期糖尿病诊断和管理指南（2021 年）为医疗保健提供者管理患有这种疾病的患者提供了全面的框架。许多研究调查了南亚人群中妊娠期糖尿病的发展和诊断。研究人员已经开发出评估该主题横断面研究质量的工具，包括一个名为 AXIS (2016) 的批判性评估工具。一些研究探讨了印度孕妇中 GDM 的患病率和预测因素，发现尽管传统风险因素有所增加，但患病率仍然保持稳定。其他研究调查了各种 GDM 诊断标准的诊断准确性，包括国际糖尿病和妊娠研究组协会 (IADPSG) 标准和国家健康和护理卓越研究所 (NICE) 指南。这些研究还检查了与 GDM 相关的胎儿母亲结果，包括产前胰岛素治疗的必要性。此外，研究人员还探讨了维生素 D 补充剂对母亲结果的作用，并比较了不同的诊断工具，例如空腹血糖水平和糖化血红蛋白 (HbA1c) 测试。总体而言，这些研究有助于更好地了解南亚人群，特别是印度女性的 GDM，并强调了准确诊断和管理这种疾病的重要性。期待明天的会议讨论我们的策略。明天和大家开会讨论我们的策略。明天的会议我们将见到大家并详细讨论我们的策略。给出文章文本这里各种研究已经研究了用于估计孕妇血糖水平的不同方法的准确性和可靠性。印度妊娠期糖尿病研究组 (DIPSIG) 开发的一步式 DIPSI 测试作为妊娠期糖尿病 (GDM) 的筛查工具而广受欢迎。研究人员将使用血糖仪进行的毛细血管血糖估计结果与使用一步式 DIPSI 测试进行的静脉血浆葡萄糖估计结果进行了比较。一些研究表明这些方法在准确性方面具有可比性，而其他研究表明每种方法的局限性和潜在偏差。还在印度各地人群中研究了 GDM 的发病率和风险因素。一项系统性回顾和荟萃分析发现，使用不同的方法筛查和诊断 GDM 会影响产妇和胎儿的结果。其他研究调查了印度城市地区医院孕妇中 GDM 的患病率、风险因素和发病率。此外，关于非空腹血糖测试在诊断 GDM 方面的有效性仍存在争议。一些研究人员认为这些测试可能不够灵敏，无法准确诊断 GDM，而另一些人则认为它们可以成为一种有用的筛查工具。总体而言，这些研究强调了印度 GDM 诊断和管理方面需要更多的研究和标准化。本文讨论了妊娠期对葡萄糖耐量试验 (GCT) 的反应及其对妊娠期糖尿病 (GDM) 筛查的意义。GCT 用于诊断 GDM，全球有 2-10% 的妊娠患有该病。本文强调了标准化标准对诊断 GDM 的重要性，因为不同的测试和临界值可能导致不同的诊断。本文还回顾了使用不同诊断标准对印度各地区 GDM 患病率的研究。研究表明，GDM 的患病率因地区、城市与农村环境以及所用的诊断标准而异。一些主要发现包括：* 城市地区的 GDM 患病率高于农村地区。* 印度通常使用 WHO 1999 标准来诊断 GDM。* 一些研究也使用了 IADPSG 标准。* GDM 的患病率为 3% 至 13.9%，具体取决于地区和诊断标准。总体而言，本文强调了标准化诊断标准和检测方案的必要性，以确保准确诊断和管理 GDM。研究调查了不同地区和人群（包括城市和农村地区）中孕妇糖尿病酮症酸中毒 (DKIP) 的患病率。研究共涉及 32 家医院和社区机构，共有 4,113 名参与者。研究发现，DKIP 的年龄范围为妊娠 24 至 32 周，28 周的女性患病率最高。总体患病率估计约为 10-20%。城市和农村的结果各不相同，但总体而言，城市地区的患病率高于农村地区。研究还强调了不同地区在人口统计和社会经济因素方面的差异。例如，一些地区 21-30 岁女性的比例较高，而其他地区的女性年龄范围则较大（18-45 岁）。就具体发现而言，某些人群的患病率最高，例如患有妊娠糖尿病或已有疾病的人群。这些研究还强调了及时诊断和治疗 DKIP 对预防母亲和胎儿并发症的重要性。以下研究于 2008 年至 2019 年在印度进行，重点关注妊娠期间的妊娠期糖尿病 (GDM)。这些研究以农村和城市地区的医院和卫生中心为基础。 * 在泰米尔纳德邦，三项研究发现约 8-13% 的女性患有 GDM。 * 在旁遮普邦，一项研究发现城市地区约有 9% 的女性患有 GDM，而另一项研究发现农村地区的患病率更高 (34.9%)。 * 浦那的一项社区研究发现，妊娠周龄少于 24 周的农村女性的患病率为 9.5%。 * 在北方邦，一项研究发现城市地区 41.9% 的女性患有 GDM。 * 在古吉拉特邦进行的其他研究，泰米尔纳德邦、罗塔克、蒂鲁吉拉利、因帕尔、海得拉巴、查谟、焦特布尔、加尔各答和哈里亚纳邦报告的患病率从 1.7% 到 41.9% 不等。这些研究强调了在怀孕期间监测 GDM 的重要性，特别是在医疗保健机会有限的农村地区。**印度妊娠期糖尿病研究** 1994 年至 2020 年间，共进行了 25 项研究，以调查印度不同地区的妊娠期糖尿病。**主要发现：** * 不同研究中，妊娠期糖尿病的患病率从 3.2% 到 18.9% 不等。* 患有妊娠期糖尿病的女性平均年龄从 23.4 岁到 31.2 岁不等。* 大多数研究都是以医院为基础的，也报告了一些以社区为基础和半城市/农村的研究。* 在大多数研究中，孕周通常在 24 至 28 周之间。 **值得注意的研究：** * 在钦奈（2005-2007 年）进行的一项研究发现，城市女性的妊娠期糖尿病患病率很高（17.8%）。 * 在迈索尔（1997-1998 年）进行的一项研究报告称，城市女性的患病率较低（6.65%）。 * 在西姆拉（2014-2015 年）进行的一项研究发现，城市女性的患病率相对较高（6%）。**趋势：** * 妊娠期糖尿病的患病率似乎随着时间的推移而增加，一些研究报告的患病率高于之前进行的研究。请注意，我试图保留原文中的基本信息，同时以更简洁明了的方式呈现。如果您需要进一步说明，请告诉我！**印度妊娠期糖尿病的患病率** 印度妊娠期糖尿病 (GD) 的患病率因研究和地区而异。共确定了 100 项研究，包括城市和农村地区。 **城市研究** 大多数研究是在城市地区进行的，某些城市的 GD 患病率较高。例如：* 新德里的一项研究发现，16.06% 的女性患有 GD。* 孟买的一项研究发现，7.5% 的女性患有 GD。* 德里的一项研究发现，37.3% 的女性患有 GD。**农村研究** 相比之下，农村地区的 GD 患病率较低。例如：* 马哈拉施特拉邦农村的一项研究发现，4.8% 的女性患有 GD。* 西孟加拉邦的一项研究发现，11% 的女性患有 GD。* 哈里亚纳邦的一项研究发现，13.6% 的女性患有 GD。**使用不同标准的研究** 一些研究使用不同的标准来诊断 GD，这可能影响报告的患病率。例如：* 一项使用 IADPSGN 标准的研究发现，与使用 DIPSIN 标准的研究（7.5%）相比，GD 的患病率更高（30.6%）。**局限性和未来研究方向** 这些研究强调需要对印度不同地区（包括农村地区）的 GD 患病率进行更多研究。此外，还需要制定更准确的 GD 诊断标准，以提高报告的患病率的准确性。注意：我在保留其原意和结构的同时对文本进行了改写。我还删除了一些细节，以使其简洁易读。如果您希望我添加任何具体信息或澄清某些观点，请告诉我！这项研究分析了印度各医院的研究数据，重点关注 2014 年 1 月至 2015 年 6 月期间出生的早产儿。结果显示：* 在泰米尔纳德邦金奈，母亲的平均年龄约为 26 岁，孕龄范围为 24-28 周。* 在金奈的 Vellore，研究的城市人口平均年龄为 25.2 岁，孕龄范围为 28-42 周。* 在马尼帕尔（南印度）、坎普尔（北方邦）、本地治里、海得拉巴和金奈进行的其他研究显示了不同的结果，但总体而言，早产儿的平均出生年龄约为 20-30 岁。研究还报告了不同地区 IADPSGN（宫内新生儿诊断和严重程度预测的氨基酸评分）值的差异，评分越高表示早产越严重。研究还报告了患有 DIPSIN（早产新生儿多巴胺输注综合征）的母亲比例，范围从 5.2% 到 17.02%。这些研究的持续时间不一，包括 15 年，参与者人数也各不相同，但总体上为印度城市地区早产婴儿的健康和结局提供了宝贵的见解。