底漆设计:对于在快速循环条件下有效扩增,我们建议在80bp和200bp之间的扩增子长度。与所有制造商主人混合了较短的扩增子长度,反应可以循环越快。放大长度不得超过400bp。引物应使用默认引物3设置(https://bioinfo.ut.ee/primer3/)的预测熔点约为60°C。对于Taqman®探针,选择接近5'底漆的探针,避免终末鸟苷残基。对于Taqman®探针,选择接近5'底漆的探针,避免终末鸟苷残基。
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摘要 — 原子探针断层扫描是唯一能够以亚纳米分辨率测量所有化学元素的三维空间分布而不受质量或原子序数限制的技术。该技术在各种半导体器件的开发中发挥着重要作用。然而,在世界最发达地区之外,它仍然鲜为人知。考虑到这一点,本文旨在向巴西微电子学会介绍和讨论原子探针断层扫描技术,更重要的是,讨论它对纳米级器件开发的影响。首先,我们介绍原子探针断层扫描的工作原理和实验程序。接下来,我们介绍一些该技术在设备开发中应用的真实例子。最后,我们简要讨论了一个尚未实现的应用的可能性,即亚单层量子点的原子探针断层扫描。
YBCO探针安装在LN 2冷的STM系统中。获得了有关隧道电流特征的初步结果。在高V范围内观察到隧道电流的急剧增加,并且在低V范围内也获得了类似SIS的I-V曲线。
摘要 —本文介绍了一种用于解决晶圆上测试系统中探针-探针泄漏引起的误差项的先进校准方法。介绍了一种新的 12 项误差模型,用于晶圆上测试系统,包括矢量网络分析仪 (VNA)、频率扩展器(如果有)、电缆/波导、探针、探针接触垫和探针-探针泄漏。开发了一种两步校准过程和一种算法,该算法具有四个片上校准标准,包括一个未定义的直通、两对未定义的对称反射(例如开路-开路和短路-短路对)和一对已知匹配负载。此外,还提出了一种改进的匹配负载电路模型以提高精度。已经在 0.2 GHz 至 110 GHz 频率范围的失配衰减器上测试了该校准方法,并将结果与数值模拟和现有校准方法进行了比较。结果表明,衰减器的 |S 11 | 更连续,|S 21 |提高了1.7 dB。显然,所提出的校准方法具有更简单的校准过程和对校准标准的要求不那么严格,而校准标准是毫米波和太赫兹频率下晶圆系统校准的关键。更重要的是,新的校准方法更适合DUT具有可变长度的测量。
TiNiCu 0.1 Sn HH 合金(即 Ti 32.8 -Ni 32.8 -Sn 32.8 -Cu 1.6)的微观结构。主要动机
除了成像模式外,CAFM 还使用光谱模式测量局部电流-电压 (IV) 或电流-力 (IZ) 光谱。为了获得 IV 光谱,停止成像扫描并将尖端保持在固定位置,同时样品偏压上升或下降。绘制通过样品的电流与施加的偏压的关系图(图 3a)。用户可选择的参数包括斜坡的起始和结束电压、斜坡方向、斜坡速率以及各个斜坡之间的延迟时间。该软件可以记录单个光谱或多个光谱的平均值。对于某些测量,最好限制通过样品的电流。在这种情况下,软件为用户提供了一个“触发”选项,一旦达到用户选择的电流值,就会停止电压斜坡。为了获得 IZ 光谱,样品偏压保持不变,而扫描仪沿 Z 方向移动,类似于力-位移曲线的测量。绘制通过样品的电流与扫描仪的 Z 位置的关系图。同样,多个参数允许用户执行和控制特定的 IZ 斜坡实验。