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会议记录 - SMEITS
今年是塞尔维亚机电工程师和技术人员协会 (SMEITS) 于 1969 年 12 月举办首届流程工业设备研讨会以来的半个世纪。如此悠久的传统证实了本次会议在工艺工程师和相关专业工程师的教育和聚集方面的重要性，没有他们的支持和参与，大会就不会有如此重要的意义。论文集作为一个整体，经过处理后将出版在光盘上，将获得 CIP 和 ISBN 号。许多展出的作品将获得 DOI 标记，这可确保显着提高文本的可见性和引用。《Procesne tehnika》的编辑与作者达成一致，选择了在该杂志今年的两期中发表的论文，并且该文集仅包含这些论文的摘要。今年Processing的国际化特征是由来自7个国家的16件提交作品的外国参赛者以及来自12个国家的科学委员会成员实现的。大会上发表论文的官方语言是塞尔维亚语和英语。大会的主要目标是创新和扩展流程工业、能源、采矿、公用事业部门（自来水厂、供热厂）工程师的知识，并支持研究人员展示研究项目的成果。加工主题包括基本加工操作——机械、流体机械、热、扩散、化学和生物化学，以及加工工厂和设备（仪器和机器）。加工计划 '19 涵盖以下领域： 加工工业的设计和开发；机器、仪器和装置的建造；工业厂房建设和安装的准备和管理；工业和实验室测量；材料、产品、机器和设备的测试和认证；新设备和工业系统的研究和开发。在 11 个主题领域内，有 69 篇论文被接受，作者将在大会的两天期间展示这些论文，并在海报会议中展示部分论文。加工圆桌会议的主题是“根据气候变化领域的法规，工业界的义务”。草案中的《气候变化法》及其附则规定了对某些工厂的CO 2 排放进行监测、核查和报告的义务。此外，在加入欧盟之前，工业工厂必须大幅改变其运营方式并改进技术和生产，以避免在股票市场和/或金融面板上购买超过 CO 2 的 CO 2 减排量的成本2排放。圆桌会议的介绍性发言包括专题： • 塞尔维亚工业工厂的温室气体排放以及减少温室气体排放的可能方法，Aleksandar Jovović，机械工程学院，贝尔格莱德，
SPIE的会议录
糖尿病性肾病（DN）是美国终末期肾脏疾病（ESRD）的主要原因。dn是根据肾小球形态分级的，在肾脏活检中具有空间异质表现，使病理学家对疾病进展的预测变得复杂。病理学的人工智能和深度学习方法已显示出对定量病理评估和临床轨迹估计的有望。但是，他们通常无法捕获大规模的空间解剖结构，并且在整个幻灯片图像（WSIS）中发现的关系。在这项研究中，我们提出了一个基于变压器的多阶段ESRD预测框架，建立在非线性维度降低，每对可强化的肾小球之间的相对欧几西亚像素距离嵌入以及相应的空间自我自我性别机制之间用于可靠的上下文。，我们开发了一个深层变压器网络，用于编码WSI并使用来自首尔国立大学医院DN患者的56个肾脏活检WSI的数据集进行编码并预测未来的ESRD。Using a leave-one-out cross-validation scheme, our modified transformer framework outperformed RNNs, XGBoost, and logistic regression baseline models, and resulted in an area under the receiver operating characteristic curve (AUC) of 0.97 (95% CI: 0.90-1.00) for predicting two-year ESRD, compared with an AUC of 0.86 (95% CI: 0.66-0.99)没有我们的相对距离嵌入，而AUC为0.76（95％CI：0.59-0.92），而无需降解自动编码器模块。关键词：糖尿病性肾病，变压器，自我注意，终末期肾脏疾病，数字病理，分割，虽然样本量较小的可变性和概括性既有挑战性，但我们基于距离的嵌入方法和过度拟合的缓解技术产生了结果，这表明使用有限的病理数据集为未来的空间意识到WSI研究的机会。
抽象程序
乳腺癌仍然是全球三重阴性乳腺癌（TNBC）女性中诊断得最多的癌症之一，占约15％至20％的癌症。TNBC的治疗具有挑战性，因为它对激素疗法没有反应，并且经常会产生对化学疗法的抵抗力。天然产品长期以来一直在传统医学中被用作改善健康和治疗疾病的补救措施。重要的是，它们在现代药物发现中具有关键作用。最近，人们对从天然来源寻找生物活性剂作为替代或互补方式的生物活性剂对常规治疗和合成药物的兴趣越来越多。特别是对于癌症的治疗，在全球范围内，发病率和死亡率一直在上升。Ziiphus nummularia是属于鼠李菜科的小灌木丛，已被广泛用于传统医学中，以治疗各种疾病。其传统的治疗用途可能归因于其在生物活性化合物中的丰富性及其药理学特性的丰富性，包括抗氧化剂，抗炎，抗癌性活动。然而，其植物化学组成或针对侵略性TNBC的化学预防作用仍在探索很差。在本研究中，制备了Z. Nummularia（Zne）叶片的乙醇提取物，并通过色谱分离。zne降低了MDA-MB-231细胞（TNBC细胞系）的生存能力，ZNE分数6（F6）表现出最强的活性。ZNE和F6富含植物化学物质，HPLC-PDA-MS/MS分析鉴定出了几种F6的化合物，其中F6特别富含咖啡因苯苯。ZNE和F6在DPPH分析中均显示出有效的抗氧化活性，但在MDA-MB-231细胞中促进了活性氧（ROS）的产生。抗氧化剂N-乙酰基半胱氨酸（NAC）钝化的作用。NAC还钝化了ZNE和F6诱导的TNBC细胞活力的降低。我们还证明了ZNE和F6在G1处诱导细胞周期停滞，并触发了凋亡和自噬介导的细胞死亡。这是通过Ki67和Bcl-2蛋白水平的降低以及p38，p21，p27，rb，caspase 3，bax和lc3b的增加证实的。ZNE和F6也抑制了转移相关的细胞过程。也就是说，ZNE和F6处理的MDA-MB-231细胞的细胞迁移，侵袭和对胶原蛋白的粘附降低。这得到了MMP-9和整联蛋白β1水平的降低支持。此外，ZNE和F6还减少了诱导型一氧化氮合酶（INOS）的产生，并抑制了摩擦内血管生成。还发现，通过抑制RAW 264.7巨噬细胞中LPS刺激的炎症反应，ZNE具有有效的抗炎特性。通过靶向NF-κB途径，它显着降低了iNOS，环氧合酶-2（COX-2）的mRNA和蛋白质表达。综上所述，我们的发现表明，Z. nummularia富含植物化学物质，可以减弱TNBC的恶性表型，并可能为发现新药铅的创新途径提供用于治疗TNBC和其他癌症的新药物。801
SPIE 会议纪要
新生儿缺氧缺血性 (HI) 脑损伤的光学生物标志物可以提供持续的、床边损伤程度评估的优势；迄今为止的研究主要集中于检查不同的光学测量脑生理信号和特征组合以实现此目的。为了最大限度地扩大所考虑的生理特征范围，已经开发出一个多模光学平台，从而可以对脑损伤获得独特的生理见解。在本文中，我们使用一种最先进的混合宽带近红外光谱仪 (bNIRS) 和扩散相关光谱仪 (DCS) 仪器 FLORENCE 和机器学习管道来评估损伤严重程度。我们在临床前新生儿模型（新生猪）中证明，我们的方法可以识别不同的 HI 损伤严重程度（对照、轻度、重度）。我们表明，基于 K 均值聚类的机器学习流程可用于区分对照组和 HI 仔猪，准确率为 78%，区分轻度损伤仔猪和重度损伤仔猪，准确率为 90%，还可区分 3 个仔猪组，准确率为 80%。因此，该分析流程展示了如何将来自多种仪器的光学数据处理为脑健康指标。
SPIE 会议纪要
ZnMgO 固溶体体系之所以受到关注，是因为通过改变其成分可以调整许多重要的物理特性。该合金体系在室温下覆盖了直接带隙 3.36 eV（ZnO）和 7.8 eV（MgO）之间的宽紫外 (UV) 光谱范围，因此对短波长光学应用非常有吸引力，例如紫外探测器 [1-3] 和光发射器 [4-6]。Zn 1-x Mg x O 体系 [7,8] 通过调整体系中的成分（x 参数值），可以模拟宽光谱范围内的光学、发光和光电特性。通过改变成分，可以生产用于短波长 UV-A（320-400 nm）、UV-B（280-320 nm）和 UV-C（200-280 nm）辐射的装置 [9,10]。这些材料的纳米结构化，特别是纳米结构薄膜的生产，是模拟特定性能的另一个元素。各种技术已用于制备 ZnMgO 薄膜，如脉冲激光沉积 (PLD) [11]、等离子体增强原子层沉积 (PE-ALD) [12]、热液 [13]、化学浴沉积 (CBD) [14]、射频等离子体辅助分子束外延 (RF-MBE) [15-18]、DC [19, 20] 和 RF [21-23] 磁控溅射、化学气相沉积 (CVD) [24]、金属有机化学气相沉积 (MOCVD) [25, 26]、气溶胶沉积 [27-31] 和溶胶-凝胶旋涂 [30, 32-35]。气溶胶沉积法具有易于控制和处理化学品和基材以及对化学计量具有出色控制的优点。由于采用非真空设备、低温处理、低缺陷密度和低环境影响，该方法适合于以更快的速度和低成本制备高质量大面积薄膜。该方法可以在相当短的时间内沉积薄膜，易于掺杂，并制备具有良好电学和光学性质的均匀薄膜。
SPIE的会议录
The H2020-SPACE-ORIONAS Project “Lasercom-on-chip” for High-speed Satellite Constellation Interconnectivity A. Osman a , I. Sourikopoulos a , G. Winzer b , L. Zimmermann b , A. Maho c , M. Faugeron c , M. Sotom c , F. Caccavale g , A. Serrano Rodrigo h , M. Chiesa h , D. Rotta h ，G。B. Preve I，J。Edmunds D，M。Welch D，S。Kehayas D，W。Dorward J，F。Duport E，R。Costa F，D。Mesquita F和L. Stampoulidis A Leo Space Photonics R＆D，Lefkippos Tech。公园，27 Neapoleos Str。，Ag。Paraskevi，15341，雅典，希腊B IHP GmbH，法兰克福（Oder），德国C Thales Alenia Space，26 AV。J-F Champollion，31037 Toulouse Cedex 1，法国D Gooch和Housego，Broomhill Way，Torquay，Torquay，Devon，Devon，TQ2 7QL，英国E IIII-V LAB，“ NOKIA BELL LABS”的联合实验室，“ NOKIA BELL LABS”，“ THALES REANCESS READIODS READICY
SPIE的会议录
增强现实（AR）展示是多年来一直是一个热门话题，因为它们为高投资回报提供了潜力。在AR显示器和智能眼镜在市场上更加接受之前，有许多技术挑战将出现许多技术挑战。技术挑战之一是紧凑而轻巧的光学器件的光学设计，能够将增强图像投影到视力线上，并舒适。在波导技术中正在取得重大进步，以生产大型FOV和眼箱。同样，轻型发动机也被开发为较不笨重，更高效。在本文中，我们介绍了有关如何通过Trilite Technologies开发的下一代激光束扫描仪（LBS）的见解，可以与不同的组合器集成并为不同的AR显示器和智能眼镜架构实施。LBS的独特设计借出了自身，以不同的配置为不同的配置，如波导和组合器的不同设计和布局所决定的。此外，下一代磅的极低剖面使眼镜从字面上看聪明。关键字：激光束扫描，LBS，AR，XR，VR，HMD，Microdisplays
SPIE 会议纪要
光子生物传感器的制造是在 200 毫米绝缘体上硅技术平台上实现的。虽然光子生物传感器是从晶圆顶部构造的，但微流体通道是通过背面释放工艺局部引入的，该工艺结合了干湿蚀刻。对于 760 µ m 厚的硅基板的局部背面蚀刻，采用了深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺和硬掩模，二氧化硅与硅的选择性非常高（SiO2:Si 选择性为 1:200）。这保证了对埋层氧化物 (BOX) 的严格控制。我们选择了 RIE 和湿蚀刻的组合来去除 BOX，因为如果仅使用 RIE，波导结构可能会受损。纯化学湿蚀刻的缺点是由于 BOX 的蚀刻速率低，工艺时间延长。图 1 a 显示了制造的光子传感器芯片。可以在其他地方找到制造过程的全面描述。7 – 9
SPIE的会议录
硅环谐振器调制器（RRMS）具有减少足迹和功耗并增加波长多路复用（WDM）发射器的调制速度的巨大潜力。但是，RRM的光学特性对制造变化高度敏感，这使它们在设计量生产或大量WDM通道方面具有挑战性。在这项工作中，我们提供了一种RRM设计，该设计经过专门设计和实验验证，以降低对制造变化的敏感性。这包括对抗性过度和不足的暴露（±30 nm横向偏差）的敏感性分析以及耦合部分内蚀刻深度变化（±10 nm深度变化）的敏感性分析。对于我们的设计，偏离目标耦合强度的偏差将两倍提高。使用标准的CMOS兼容过程在Soi晶圆上制造了提议的设备。我们演示了以上灭绝比以上的RRM，OMA更好，即-7 dB（2 V pp）和29 GHz的电光带宽，仅在32 GB/s下显示仅受我们的测量设置的开放式眼睛图。测得的耦合系数与模拟值非常吻合。此外，我们应用了相同的设计修改来实现低掺杂的RRM和基于环的添加 - 滴滴 - 磁材（OADMS）。模拟和测量的耦合系数之间的一致性（我们确定为设备性能可变性的主要来源），进一步证实了我们的设计修改的有效性。这些结果表明，可以利用所提出的设计，以大规模地，尤其是在WDM系统中的大规模制造基于谐振的设备。
SPIE 会议纪要
在集总元件 (LE) 配置中驱动电光调制器可实现较小的占用空间、降低功耗并提高高速性能。传统直线 LE 调制器的主要缺点是需要较高的驱动电压，这是由于其移相器较短所致。为了解决这个问题，我们引入了一种具有蛇形移相器的 Mach-Zehnder 调制器 (M-MZM)，它可以在 LE 配置中驱动，同时保持光学移相器长度与行波调制器 (TW-MZM) 相同的数量级。需要考虑的设计限制是设备的光学传输时间，它限制了整体电光带宽。首先，我们回顾了与 TW-MZM 相比 LE 调制器的整体功耗改进以及带宽增强，同时还考虑了驱动器输出阻抗和线或凸块键合的寄生效应。然后，我们报告了使用标准 CMOS 兼容工艺在绝缘体上硅 (SOI) 晶片上制造的基于载流子耗尽的 M-MZM 的设计、实现和实验特性。制造的 M-MZM 具有低掺杂 (W1)、中掺杂 (W2) 和高掺杂 (W3) 结，需要 9.2 V pp、5.5 V pp 和 3.7 V pp 才能完全消光，光插入损耗分别为 5 dB、6.3 dB 和 9.1 dB。对于所有三个 M-MZM，使用 50 Ω 驱动器和终端电阻以 25 Gb/s 记录睁眼图。对于无终端电阻的 M-MZM，可以实现更高的数据速率，前提是将低输出阻抗驱动器通过引线或凸块键合到调制器上。最后，我们将 M-MZM 与 TW-MZM 的功耗进行比较，结果显示 M-MZM 在 25 Gb/s 时功耗降低了 4 倍。