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量子点分子异质组装中的耦合
摘要：大规模胶体量子点 (QDs) 组件的设计及其与周围环境相互作用的研究对于提高基于 QD 的光电器件性能具有重要意义。了解在只有少数 QD 以较短的粒子间距离组装时发生的相互作用机制对于更好地促进电荷或能量转移过程至关重要。在这里，在溶液中制造由少量两种不同尺寸的 CdSe QD 形成的小异质组件，这些 QD 通过烷基二硫醇连接。通过将双功能间隔物的线性烷基链长度从纳米到亚纳米范围进行改变，可以调整粒子间距离。晶体学分析强调，参与 QD 之间连接的最近表面是 (101) 面。彻底的光谱研究使相互作用的纳米粒子之间的耦合机制得以合理合理化，范围从电荷转移/波函数离域到能量转移，具体取决于它们的分离距离。
![arxiv：2501.12738v1 [physics.ins-det] 2025年1月22日](/simg/g:\will\search\icon\source\b\b95ee388f82cdb17c04e4af84ffc415477b04f90.webp)
arxiv：2501.12738v1 [physics.ins-det] 2025年1月22日
色量热法引入了一种新颖的方法，用于通过将量子点（QD）技术集成到传统的均质量热计中，以实现高能物理（HEP）的热量计设计方法。QD的可调发射光谱为能量重建和均匀设备中的粒子识别提供了新的可能性。本文介绍了旨在验证基于QD基于QD的量量热法的可行性的色量热仪的初始概念设计。该研究通过详细的模拟评估了其预期性能，将结果与现有的量热技术进行了比较。通过嵌入闪烁体中具有不同排放特性的QD，我们旨在改善定时分辨率和纵向分割，从而为将来的HEP实验开辟了新的途径，以进行精确测量。尽管需要进一步的开发和验证，但QD增强检测器可能代表了将来的HEP实验的可行选择，为解决不断发展的粒子检测需求提供了附加的工具。
不同类型的掺杂剂在1.3 µm INAS/GAAS量子点激光器中的作用
组件[3，4]，但是SI光源的发展远远落后于其他组件[5-8]。组IV材料的间接带隙性质使它们效率低下，因为它们是泵送的发光来源[9]，而III – V QD激光器在直接在SI底物上生长的III – V QD激光器对实现高效率和低成本显示出希望。由于自组装QD的三维量子限制，INAS/GAAS QD激光器，这些激光器以低阈值电流密度[4、10-12]呈现出较高的性能[4、10-12]，并且对基于SI的PICS的温度和缺陷高度耐受性[13]受到了极大的关注[14-20]。然而，由于载体对较高状态和/或屏障状态的热激发，QD激光器的性能不足理论理想[21-24]。尽管电荷中立性可能
巨大的核心/壳CDSE/CDS量子点发射器
摘要：单光子来源对于推进量子技术至关重要，可扩展的集成是至关重要的要求。迄今为止，大规模光子结构中单光子源的确定性定位仍然是一个挑战。在这种情况下，胶体量子点（QD），尤其是核心/外壳配置，由于其解决方案的加工性而具有吸引力。但是，传统QD通常很小，约为3至6 nm，这限制了它们在大规模光子设备中的确定性位置和实用性。最大的现有核/壳QD是巨型CDSE/CDS QD的家族，总直径约为20至50 nm。推动超过此尺寸限制，我们使用逐步高温连续注射方法引入了巨大CDSE/CDS QD的合成策略，尺寸范围从30到100 nm。电子显微镜揭示了一个一致的六角形钻石形态，由十二个半极化{101̅1}方面和一个极（0001）刻面组成。我们还确定了破坏壳生长的条件，导致缺陷，岛屿和机械不稳定性，这表明将晶体颗粒生长到100 nm以上。厚CD壳在CDSE核上的逐步生长可以使发射QD的合成长度发光寿命为几微秒，并在室温下抑制眨眼。值得注意的是，具有100个CDS单层的QD具有高单光子发射纯度，二阶光子相关G（2）（0）值低于0.2。我们的发现表明，巨大的核心/壳QD可以有效地发出单个光子，这为需要确定性放置单光子源的量子光子应用铺平了道路。
Rybelsus 药品数量管理政策 – 每日
• 作为饮食和运动的辅助手段，可改善 2 型糖尿病成人患者的血糖控制。 剂量 Rybelsus 的推荐初始剂量为 3 毫克，每天一次 (QD)，连续 30 天。1 3 毫克剂量仅用于开始治疗，对血糖控制无效。服用 Rybelsus 3 毫克 QD 30 天后，将剂量增加至 7 毫克 QD。服用 7 毫克 QD 30 天后，如果需要额外的血糖控制，剂量可以增加至 14 毫克 QD。不建议服用两片 7 毫克药片来达到 14 毫克的剂量。如果漏服一剂，应跳过该剂量并在第二天服用下一剂。Rybelsus 应在当天第一次进食、饮料或其他口服药物前至少 30 分钟用 4 盎司白开水服用。药片应整片吞服，不得分割、压碎或咀嚼。每日服用 14 毫克 Rybelsus 的患者可从服用最后一剂 Rybelsus 的第二天开始，每周一次 (QW) 改用 0.5 毫克 Ozempic®（索马鲁肽皮下注射剂）。1 相反，服用 0.5 毫克 QW Ozempic 的患者可改用 7 毫克或 14 毫克 QD Rybelsus。Rybelsus 可能
半导体量子点-Sargent Group
Outlook：从化学的角度来看，需要在QD制造方面的进展来维持和改善所需的化学和光电特性，并具有高可重复性。这需要使用廉价的合成方法和能够将实验室规模QD属性保留到市场相关的体积的廉价合成方法。需要更好地理解QD表面，原子布置和元角色的尚未完整的图像，以推动进一步的进步。从监管的角度来看，需要增加注意力以获得不依赖重金属（例如CD，PB和HG）的高质量材料。纳米结构在每种应用中的毒性和生命周期分析中的作用越来越重要。从伴侣和光体物理学的角度来看，令人兴奋的机会在对电子高度密闭材料中电子的理解和利用中仍然存在，从而弥合了成熟的外观QD和仍在上升的胶体QD之间的差距。后者的尚未达到的质量（今天为易于制造而支付的价格）仍然是一个核心挑战，必须应对设备的进一步提高性能。从依据的角度来看，胶体QD制造必须提高到从实验室规模转换为大区域应用，例如滚动到滚动和喷墨印刷。光催化，其中使用光用于驱动化学转移，是一个新兴的QD感兴趣的领域。向前迈进，在启用了QD的新范围架构的设计中仍然存在机会。▪量子信息技术依赖于相干光和电子的转导，带来了新的挑战和机会来利用量子限制效应。
氧化铝矩阵中GE量子点的自组装
M. Buljan,1 S. R. C. Pinto,2 A. G. Rolo,2 J. Martín-Sánchez,2 M. J. M. Gomes,2 J. Grenzer,3 A. Mücklich,3 S. Bernstorff,4 and V. Holý5 1 Ruđer Bošković Institute, Bijenička cesta 54, 10000 Zagreb, Croatia 2 Centre of Physics and Department of Minho大学物理学，校园De Gualtar，4710-057 Braga，葡萄牙3 Forschungszentrum Dresden-Rossendorf，E.V.，P.O。Box 510119, 01314 Dresden, Germany 4 Sincrotrone Trieste, SS 14 km163, 5, 34012 Basovizza, Italy 5 Charles University in Prague, Ke Karlovu 5, 121 16 Prague, Czech Republic In this work we report on a self-assembled growth of a Ge quantum dot lattice in a single 600- nm-thick GE+Al2O3层在登高的底物温度下的GE+Al2O3混合物的磁控溅射沉积中。自组装导致在整个沉积体积内形成良好的三维三维四维四维四方量子点晶格。形成的量子点的大小小于4.0 nm，尺寸分布狭窄，堆积密度较大。可以通过更改沉积参数来调整量子点晶格的参数。通过扩散介导的成核和表面形态效应来解释量子点的自我顺序，并通过动力学蒙特卡洛模型模拟。I.最近的研究表明，与通常使用的融合二氧化硅相比，AL2O3矩阵具有许多优势，因为氧化铝具有更高的介电常数，出色的热和机械性能，并且更适合作为内存设备中的大门的建筑材料。17因此，在Alumina Matrix中生产了适用于新材料的Alumina Matrix中固定有序的GE QD的生产。引言半导体量子点（QD）在过去几年中已被广泛研究，因为它们具有有趣的物理特性和巨大的技术应用潜力。1-6正常订购的QD具有特殊的兴趣，因为空间规律性意味着QDS尺寸的狭窄范围，对于QDS的范围狭窄，对于更为明显的量子量化和集合的范围，其势能构成的范围非常重要，其势能效应，并因此效应，并在QD上效应，并且QD的效果效果很大。 Sio2或Al2O3（例如Sio2或Al2O3）具有许多有趣的属性，例如非常强的量子限制，电发光和光致发光，非线性折射率，长期保持电荷等可能性等等。10-16，因此它们在基于NAnotechnology中应用，尤其是基于QD的模拟和SENSORS。最近报道了二氧化硅基质中GE QD的自我排序增长，但7,8,18,19没有针对氧化铝进行类似的研究。值得注意的另一个重要特征是，仅通过晶体和无定形系统中的多层沉积才能实现QD晶格的自定序生长6,7，而在连续较厚的层中尚未发现类似的观察结果。在这里，我们介绍了在连续沉积GE+Al2O3混合物期间，氧化铝基质中GE QD的自组装生长的研究，产生了近似厚度为600 nm的单层。结果是形成了QD的大型且有序的三维3D QD晶格，其以身体为中心的四方BCT排列。调整沉积参数，可以操纵QD大小和QD晶格的参数。形成的QD的尺寸是均匀的，并且它们的空间密度可能非常大，因为它们的尺寸很小和距离。观察到的自我顺序的驱动力是通过表面形态学效应来解释的，即通过扩散介导的成核和表面最小值中成核的概率的结合。正如我们稍后显示的，氧化铝中GE QD的自我排序的特性不同于二氧化硅的自我序列。
支持信息Ingan量子点...
图S1呈现0.7×0.7 µm 2原子力显微镜（AFM）的扫描，最高未盖的Ingan量子点（QDS）层。使用以TESPA-V2尖端在敲击模式下操作的Bruker AFM进行测量。让我们提醒我们，在最后一个INGAN QD层沉积后突然停止了生长，并且底物温度迅速降低以保留表面。从图像中，QD密度为5×10 11cm2，QD高度（润湿层以上）为0.9±0.2 nm。通过测量图S1中大约15个识别的QD的峰到峰高谱的测量来提取此值及其误差线，并通过样品另一个区域的第二个图像中的类似分析进行了验证。测量是从高度曲线中手动提取的。
带有INAS/INGAAS Quantum Dot
1。简介。近几十年来，随着量子数据处理技术的促进，人们对能够在特定频率下以高量子效率发射的非古典光源越来越感兴趣[1]。实施此类来源的最有希望的方法之一是使用单个半导体量子点（QDS）[1-4]。材料系统的一系列允许基于QD的单光子源（SP）在宽广泛的范围内创建单光子源（SPS），从紫外线附近到电信C波段[5-9]。对于基于费用的量子加密应用，在电信C波段接近1.55μm中运行的SPS特别感兴趣，这是由于纤维中的光学损失最小而引起的[3，10]。当前，基于微孔子中的QD，在该光谱范围内获得单光子发射的主要方法。第一种方法涉及在INP屏障中生长INAS QD [5，11-13]，而第二种方法涉及直接在GAAS子仪上直接在INGAAS METAAS METAAS METAS-METAS-METAS-METAS-METAS-METAS-METAS-METAS-METAS QD上生长INAS QD [14-16]。然而，在INP
基于人工智能的数字病理学揭示了脂肪...
•雄性C57BL/6J Gubra-氨基蛋白-NASH（GAN）饮食诱导的肥胖小鼠，具有组织学确认的NAS（≥5）（≥5）和纤维化阶段（F2-F3）（F2-F3），并用TVB-3664进行治疗，并用TVB-3664治疗（替代fasn infasn i抑制剂，nefanstattate demifate in if nifanStat，30 mg/kg，或30 mg/kg，或quut），或者NMOL/KG，SC，QD）单独或组合12周（丹麦Gubra）。