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高度调制的双半金属和半导体 γ-...
Changmeng Huan 1, 2 , Pu Wang 1, 2 , Binghan He 1, 2 , Yongqing Cai 3, * , Qingqing Ke 1, 2, *
2月27日9：30-10：45am -Algorithmic Alignment
Zi Liang, Pinghui Wang, Ruofei Zhang, Haibo Hu, Shuo Zhang, Qingqing Ye, Nuo Xu, Yaxin Xiao, Chen Zhang, Lizhen Cui Exploring Intrinsic Alignments within Text Corpus
Wenjun Liu*, Hemei Zheng, Kahwee Ang, Hao Zhang, Huan Liu, Jun Han, Weiguo Liu, Qingqing Sun*, Shijin Ding and David Wei Zhang* Temperature-stable bla
摘要：黑磷（BP）在电子和光电子应用方面表现出巨大的潜力，然而如何保持BP器件在整个温度范围内的稳定性能仍然是一个难题。本文展示了一种在原子层沉积AlN/SiO 2 /Si衬底上制备的新型BP场效应晶体管（FET）。电学测试结果表明，与传统SiO 2 /Si衬底上制备的BP FET相比，AlN衬底上的BP FET具有更优异的电学性能。在77至400 K的温度范围内，它表现出5 × 10 8 的大开关电流比、< 0.26 V/dec的低亚阈值摆幅和1071 cm 2 V −1 s −1的高归一化场效应载流子迁移率。然而，当温度升至400 K时，SiO 2 /Si衬底上的BP FET不再具有这些稳定的电学性能；相反，SiO 2 /Si 衬底上的 BP FET 的电性能却急剧下降。此外，为了从物理上了解 AlN 衬底上 BP FET 的稳定性能，进行了低频噪声分析，结果表明 AlN 薄膜
Yongqing Cai 蔡永青 - iapme
代表论文： 1. Yongqing Cai、Gang Zhang、Yong-Wei Zhang，单层 MoS 2 纳米带中极性反转的稳健载流子迁移率。J. Am. Chem. Soc. 136, 6269−6275 (2014)（ISI 统计的化学类高被引论文） 2. Yongqing Cai、Qingqing Ke、Gang Zhang、Boris I. Yakobson 和 Yong-Wei Zhang，磷烯中的高度流动原子空位。J. Am. Chem. Soc. 138, 10199-10206 (2016) 3. Yongqing Cai、Qingqing Ke、Gang Zhang、Yuan Ping Feng、Vivek B. Shenoy 和 Yong-Wei Zhang，磷烯的巨大声子各向异性和不寻常的非谐性：层间耦合和应变工程。Adv. Funct. Mater. 25, 2230-2236 (2015) (被选为期刊封面) 4. 袁家仁, 陈元平, 谢月娥, 张晓宇, 饶德伟, 郭彦东, 严晓红*, 冯元平*, 蔡永清*, 过渡金属二硫属化物中具有可调谐 Kubo 能隙和电荷注入的挤压金属液滴。过程。国家。阿卡德。科学。 USA 117, 6362-6369 (2020) 5. Devesh R. Kripalani、Yongqing Cai*、Jun Lou 和 Kun Zhou*，强边缘应力
大语言模型如何了解基因和细胞
chen fang ∗，《干细胞与生殖生物学国家主要实验室》，动物学研究所，中国科学院和中国科学院，中国北北北北北部科学学院Chen，Iflytek Co Ltd，中国Pengfei Wang，计算机网络信息中心，中国科学院，中国瓜亚河科学院，国家科学学院干细胞和生殖生物学的国家主要实验室，中国科学学院，中国YUANCHUN ZHOU中国Yuanchun Yuanchun Zhou，计算机网络信息中心，中国纽约市纽约市，纽约市，纽约市。动物学，中国科学院，中国