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World File Search SystemQorvo
高性能国防和航空航天解决方案
雷达（L、S、C、X、Ku 波段）当今的先进雷达系统需要更强大、更强大的功能，以检测各种日益增长的全球威胁。Qorvo ® 拥有专为这些应用而设计的最大的高性能波束形成器 IC、MMIC 和分立元件产品组合。无论您想要在哪个频段运行，我们都可以提供您所需的产品和信号链专业知识，以保持领先地位。凭借最近对 Anokiwave 的收购，Qorvo 处于独特的地位，可以为客户提供独特的功能和差异化优势。通过使用集成所有核心波束控制和控制功能的硅波束形成器 IC 以及我们先进的 GaAs/GaN T/R FEM，客户可以将 RF 前端安装在辐射元件晶格内，用于降低 SWaP-C 和可观测性的平铺 X 波段低剖面天线。
半导体
Markets News 6 5G smartphone shipments soar 458% YoY in Q1 • GaN & SiC power semiconductor market to exceed $4.5bn by 2027 •Lighting LED price hike in Q2 to drive market to $6.709bn in 2021 Microelectronics News 12 Qorvo acquires MEMS-based sensor provider NextInput •Qorvo's quarterly revenue up 36% year-on-year • Skyworks reports record March-quarter revenue of $1.172bn, up 53% YoY Wide-bandgap electronics News 16 Raytheon & GlobalFoundries partner on GaN-on-Si for 5G and 6G • Navitas to go public • Cree's quarterly revenue growth of 21% YoY driven by 50% growth for devices • Infineon agrees SiC material supply & development contract with SDK • STi2GaN product family launched for汽车使用材料和加工设备新闻35 AXT每季度超过3000万美元； supplies first 8” GaAs wafers • Aixtron's Q1 revenue up 21% YoY, driven by opto • OIPT breaks ground on new manufacturing facility LED News 50 Nanosys acquires micro-LED firm glo - • Sundiode develops stacked RGB micro-LED pixel devices on a single wafer • KAUST fabricates red InGaN-based micro-LEDs Optoelectronics News 58 II–VI gains extra $410m from Apple's Advanced Manufacturing Fund • IQE expands VCSEL portfolio with turnkey IQVCSEL product line • BluGlass to begin reliability testing of packaged lasers Optical communications News 62 QSFP-DD MSA announces Hardware Spec 6.0 & CMIS revision 5.0 Photovoltaics News 66 Solliance partners achieves record tandem solar cell efficiencies • First Solar joins Responsible Business Alliance
Wolfspeed计划德国的新硅碳化物设备fab
市场新闻6季度季度智能手机发货率达到18.3％，同比达到30030万，在第4季度/2022 Q4/2022 Microelectronics News 8 Macom以3850万欧元的价格收购Ommic，Skyworks的季度收入•Android相关库存中的季度季度的季度销量下降到Qorvo的第三季度，Quret intern inter-Meating tew teel triff tew where defter-Quorvo的季度越来越多，Qorvo的季度越来越多。 electronics News 14 Wolfspeed chooses Germany for site of largest SiC device fab, with investment from ZF • onsemi and VW collaborate on SiC for EVs • Microchip investing $880m to expand SiC and silicon capacity • Gallium Semi opens Philippines manufacturing facility • European project PowerizeD kicked off, targeting intelligent power electronics Materials and processing equipment News 30 Veeco buys Epiluvac • Veeco grows 2022年的收入为11％，尽管与智能手机相关的5G RF弱点驱动的第四季度下降了10.5％，但AXT的收入在第四季度缩小，INP受到中国冷却数据中心市场和5G电信的INP的打击，•AIXTRON•AIXTRON•AIXTRON在G10-ASP MOCVD System News News News News News leds Lavels with Mic with news patters patters pattry sic pattry pattry pattry patrround y Mic wardlipt• Ultra-COCTACT显示器光电新闻44 Photonis获取Xenics•Trumpf投资于INP PIC的量子技术启动Quside•Bluglass启动首先激光；确保首次购买订单•Nuburu和Tailwind最终确定业务组合光学通信新闻52 Lumentum的季度收入同比增长13.3％•IMEC合作将SIN WaveGuide Technology与Active Silicon Photonics Platform
brandes-u-s-s-value-equity-strategy-notes- ...
本季度的Brandes美国价值股票策略下跌0.19％的费用净收入和0.09％的费用，表现优于其基准Russell 1000 Value Index，下降了1.98％。截至2024年12月31日，年度化总回报1年5年10年Brandes美国价值股权综合（净）15.62％11.58％9.98％Brandes Brandes美国价值股票综合（GROSS）16.16％12.21％10.65％10.65％Russell 1000价值1000价值1000价值指数14.37％8.67％8.67％8.48％以前的绩效是未来的效果。一个人不能直接投资于指数。收益包括对所有股息的再投资，并通过任何适用的外国预扣税减少，而没有所得税的规定（如果有）。积极的贡献者尽管基准的总体下降，但本季度的金融部门对此表示赞赏，并且我们的超重和股票选择辅助了相对绩效。我们在大型货币中心银行（尤其是富国银行和花旗集团）中的职位得益于稳健的收入结果和市场预期美联储削减税率的放缓。此外，金融技术公司Fiserv取消了回报。在工业中的持股也为绩效做出了积极贡献。其他贡献者包括与技术相关的控股Flex和Alphabet，以及药品分销商McKesson。所有三家公司均报告收益超过了共识估计，并且字母从其新的量子计算芯片的揭幕中获得了额外的提升。绩效削弱医疗保健是基准中表现最差的部门之一。因此，我们的超重损害了相对的回报，尽管我们的持股总体上比指数中的持股更好。HCA Healthcare，Cigna，Sanofi和CVS在对潜在监管变化的市场担忧中都拒绝了，其中包括涉及健康保险公司如何认识其药房福利经理（PMB）业务的利润的问题。当我们监视不断发展的环境时，我们想指出，Cigna和CVS在过去几年中已经采取了行动，以提高透明度，并越来越多地朝着更简单的费用服务模型迈进。在我们的经验中，市场倾向于对与潜在的医疗改革相关的不确定性过度反应，这通常成为围绕选举的重点。这可以创造有吸引力的投资机会。与Cigna和CVS交易的收益低于10倍，我们认为市场担忧的价格超过了股票的价格。在医疗保健之外，批评者包括我们的半导体持有量微米和Qorvo。尽管收入阳性的结果阳性，但在修改其收益指导下降后仍下降了，主要是因为其智能手机末端市场仍然周期性降低，因为在大流行期间需求从其升高的水平范围内归一化。该公司还引用了消费者偏好的转变（尤其是在中国市场），鉴于Qorvo更多地专注于高端智能手机市场，因此低端智能手机的潜在需求是其半导体的潜在需求。但是，由于市场转变的风险增加，我们将该位置保持在较小的分配中。在目前的估值基于低于中期收益的情况下，我们相信Qorvo继续提供有吸引力的安全余量（市场价格折扣，以估计我们对内在价值的估计）。同时，微米在半导体市场的弱点上倒闭。，我们在今年早些时候对微米的地位进行了修整，当时市场对内存半导体在人工智能（AI）的建筑中的作用感到兴奋，但随后我们在智能手机和PC上股票下跌后，在本季度末购买了更多股份（个人
在金属沉积过程中，MIM顶部金属剥离与过渡流相关的研究Chang'e Weng，Tertius Rivers，Moreen Minkoff，
对金属沉积过程中的MIM顶部金属剥离的研究Chang'e Weng，Tertius Rivers，Moreen Minkoff，Ron Herring，Richard Ducusin，Richard Ducusin，Jinhong Yang Yang和Joseph Chinn Qorvo，2300 Ne Brookwook Wookwwood，Ne Brookwood Parkway，Hillsboro，Hillsboro等503-615-9820关键字：MIM，过渡流，脱皮，溅射，金属，Knudsen编号，电容器泄漏相关测试失败的电容器摘要研究揭示了金属绝缘仪金属金属（MIM）顶部金属剥离和金属沉积工具之间的相关性。简介金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容是基于GAA的RF技术的重要组成部分1,2,3,4。MIM电容器由底部金属板，介电层和顶部金属板组成。MIM电容器的制造涉及多个过程步骤。互连金属零层通常用作MIM底板。在该金属下方或顶部的缺陷可能导致MIM电容器缺陷4。氮化硅或氧化物被广泛用作电容器介电层，并使用PECVD过程沉积。介电层厚度和粗糙度的变化直接影响电容器性能。蒸发或溅射的Ti/pt/au金属堆栈通常用作MIM顶部金属。由于MIM顶部金属通过层间介电VIA连接到下一个上部金属层，因此在MIM金属沉积过程中形成的缺陷也可能导致电容器和通过与通过相关的参数故障。由于MIM过程的复杂性，在过程中无法在串联检测到的缺陷可以在各种过程步骤中形成。过程取决于缺陷的性质和位置，过程控制监视器（PCM）和Diesort测试可以筛选出一些有缺陷的模具，但是除非使用更具破坏性的测试，否则可能无法检测到某些缺陷。MIM电容器的缺陷通过PCM和Diesort测试是一个可靠性的问题。手机制造商和RF设备制造公司的研究都表明，MIM电容器故障是许多早期现场故障的主要原因1,3,4。在Qorvo中，开发了一种电压斜坡方法来检测MIM电容器缺陷4。评估每个单个模具，并在低压区域4中筛选出缺陷的模具。通常需要改进过程来解决相关的测试失败。在本文中，我们讨论了迪索（Diesort）在迪索（Diesort）检测到的电容器泄漏故障的研究，该泄漏失败与MIM顶部金属剥离有关。
基于UWB室内定位系统中的基于XGBoost的多类NLOS通道
超宽带（UWB）基于位置的服务中的视力（NLOS）识别技术准确的非线识别技术对于无人机通信和自动导航等应用至关重要。然而，使用二进制分类（LOS/NLOS）的当前方法过多地简化了现实世界中的复杂性，具有有限的概括和对变化室内环境的适应性，从而降低了定位的准确性。本研究提出了一个极端的梯度提升（XGBOOST）模型，以识别多级NLOS条件。我们使用网格搜索和遗传算法优化模型。最初，网格搜索方法用于确定整数超参数的最有利值。为了实现优化的模型配置，遗传算法用于微调浮点高参数。模型评估利用了使用Qorvo DW1000 UWB设备获得的广泛的现实测量数据集，涵盖了各种室内场景。实验结果表明，我们提出的XGBoost在开源数据集中达到了99.47％的最高总体准确度，精度为99％，召回99％，F-SCORE为99％。此外，基于本地数据集，该模型的性能最高，精度为96％，精度为96％，召回97％，F评分为97％。与文献中当前的机器学习方法相反，该建议模型提高了分类精度，并有效地解决了NLOS/LOS识别作为多类传播通道。这种方法提供了一种强大的解决方案，具有在各种数据集类型和环境中的概括和适应性，以提供更可靠，准确的室内定位技术。
晶圆级光学制造
市场新闻 6 功率半导体器件需求上升，推动宽带隙市场发展 微电子新闻 8 Fraunhofer IAF 报告创纪录的 640GHz InGaAs MOSHEMT 晶体管 •富士通荣获 IEEE HEMT 里程碑奖 •Qorvo 融资 2 亿美元 宽带隙电子新闻 14 SiCrystal 将向 ST 供应价值 1.2 亿美元的 150 毫米 SiC 晶圆 •II–VI 签署协议，供应价值 1 亿美元的 SiC 基板 •住友开始生产 150 毫米 GaN-on-SiC •GaN Systems 从 SPARX 获得资金 •IVWorks 融资 670 万美元 •GaN 电源充电器在 CES 上展出 •JST 的 NexTEP 计划生产基于 THVPE 的块状 GaN 生长设备 材料和加工设备新闻 33 Shin-Etsu 获得 Qromis 的 GaN 基板技术许可 •Aixtron 获得 PlayNitride 的 μ LED 生产资格 •BluGlass 和 Luminus合作评估 RPCVD 隧道结级联 LED LED 新闻 42 Plessey 在硅上开发原生红色 InGaN LED，用于 μ LED 显示屏 • TowerJazz 与 Aledia 合作开发纳米线 LED 工艺 • MICLEDI 从 imec.xpand、PMV、FIDIMEC 融资 450 万欧元 • Nakamura 将获得 NAS 奖 光电子新闻 43 TDK 投资 SLD Laser • ON Semi 与 SOS LAB 合作开发 LiDAR • Ambarella、Lumentum 与 ON Semi 合作开发 3D 感应 光通信新闻 51 II–VI 在 150mm GaAs 上推出高速数据通信 VCSEL，用于消费电子产品中的光纤 HDMI 电缆 PV 新闻 58 晶科能源与上海空间电源研究所合作
2017 年 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1. HKMG p-MOSFET 中 NBTI 的最新进展以及 2.现代 FINFET、ETSOI 和全栅极环绕 III-V 晶体管中自热的新挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（印度理工学院，孟买）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学）• 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车集团 • AlGaN/GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔
2017 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1.NBTI 在半导体领域的最新进展HKMG p-MOSFET 和 2。现代 FINFET、ETSOI 和全栅极 III-V 晶体管中自热的新兴挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（孟买印度理工学院）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学） • 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车公司 • AlGaN /GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔
晶圆级光学制造
市场新闻6微型芯片收入达到2024年的23亿美元微电子新闻8 Qorvo，以创建异质的集成包装RF生产和原型化中心； acquires UWB software provider 7Hugs Labs • Imec's Advanced RF program to develop 6G device technology Wide-bandgap electronics News 16 ROHM and UAES open joint lab in Shanghai •Infineon launches first 1200V transfer-molded SiC integrated power module •GTAT to supply SiC boules to Infineon •DENSO adopts SDK's 150mm SiC epiwafers Altum wins two-year ESA合同•HRL目标是首先W波段N极高的低噪声放大器•EPC增强了欧洲销售团队•200mm Wafers材料和加工设备新闻35 AXT合并Boyu和Jinmei的IGAN和A-PRO共同开发650V GAN设备；从Dingxing•GlobalWafers接管Siltronic•Umicore合格的VCSELS 6英寸GE Wafers•IQE开发IQGEVCSEL 150技术；创始人纳尔逊（Nelson）将放弃首席执行官角色•血浆 - 塞姆（Plasma-therm）获得OEM的PVD，RTP和Etch Business Led News 52 Aledia在300mm硅Wafers上生产首个微型筹码•Porotech•Porotech推出了首个原住民Red Ingan LED Epiwafer for Micro-Newss•Osram unde usram unde usirs•OSR uviirs usecers•OSR uv-cyers usectron uv-cyecron uv-cyecron uv-cyers usecron uv-cyecron， SLD Laser •ROHM develops VCSEL module technology • NUBURU raises $20m • Hitachi High-Tech acquires VLC Photonics Optical communications News 68 POET unveils first flip-chip directly modulated lasers • Lumentum acquires TriLumina assets •Ayar Labs raises $35m • Lumentum sampling first 100G PAM4 directly modulated lasers Photovoltaics News 86 NREL和UNSW提高了两连通效率的记录，至32.9％