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辐射硬化的RADFET读数系统的设计
摘要 - 在辐射环境（例如空间）中，吸收剂量和剂量率的测量是一项常见的任务。这是用称为辐射剂量计的专用仪器来完成的。在空间任务中最常用的辐射剂量计中是基于辐射敏感的场效应晶体管（RADFET）的。 在本文中，我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念，以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。 在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片（MPSOC）进行的。 使用嵌入式静态随机访问存储器（SRAM）对粒子通量的集成框架控制器（SRAM）实现了自主选择操作和耐故障模式，从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。。在本文中，我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念，以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片（MPSOC）进行的。使用嵌入式静态随机访问存储器（SRAM）对粒子通量的集成框架控制器（SRAM）实现了自主选择操作和耐故障模式，从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。
辐射和对辐射敏感的晶体管的自发退火，门氧化物厚度为400和1000 nm
我们研究了50 Gy（H 2 O）对辐射敏感的P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 磁性晶体效应晶体管，其栅极（RADFET）具有400和1000 nm的氧化物氧化物厚度（RADFETS），并具有0和5 V的栅极。辐照后（ir），在室温下进行自发退火（SA），而在门口没有电压。我们介绍了由MIDGAP技术确定的固定陷阱和开关陷阱的行为，以及在IR和SA期间由电荷泵送技术确定的快速开关陷阱的行为。剂量晶体管的一个非常重要的特征是褪色，它代表了SA期间辐射辐射的阈值电压的恢复。9100小时后的最大褪色约为15％，除了磁氧化物厚度为1000 nm，栅极电压为5V的RADFET，其含量约为30％。提出了一个用于褪色的拟合方程，它很好地拟合了实验褪色值。
辐射敏感 MOSFET 受到各种正栅极偏压的照射
摘要 对辐射敏感的金属氧化物半导体场效应晶体管 (RADFET) 经 110 Gy(H 2 O) 伽马射线辐照。在不同正栅极偏压下辐照过程中的阈值电压 VT 结果表明，VT 随栅极偏压的增加而增加。辐照过程中的阈值电压偏移 Δ VT 拟合得很好。分析了辐射过程中固定陷阱 (FT) 和开关陷阱 (ST) 对 Δ VT 的贡献。结果表明，FT 的贡献明显高于 ST。提出了一个描述阈值电压偏移及其分量对栅极偏压依赖性的函数，该函数与实验值非常吻合。研究了辐照后 RADFET 在室温下无栅极偏压的退火情况。阈值电压的恢复（称为衰减）会随着辐射期间施加的栅极偏压而略有增加。 Δ VT 表现出与固定状态引起的阈值电压分量 Δ V ft 相同的变化，而由于开关陷阱引起的阈值电压分量 Δ V st 没有变化。
SM2597.PDF-传感器和材料
我们研究了50 Gy（H 2 O）对辐射敏感的P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 磁性晶体效应晶体管，其栅极（RADFET）具有400和1000 nm的氧化物氧化物厚度（RADFETS），并具有0和5 V的栅极。辐照后（ir），在室温下进行自发退火（SA），而在门口没有电压。我们介绍了由MIDGAP技术确定的固定陷阱和开关陷阱的行为，以及在IR和SA期间由电荷泵送技术确定的快速开关陷阱的行为。剂量晶体管的一个非常重要的特征是褪色，它代表了SA期间辐射辐射的阈值电压的恢复。9100小时后的最大褪色约为15％，除了磁氧化物厚度为1000 nm，栅极电压为5V的RADFET，其含量约为30％。提出了一个用于褪色的拟合方程，它很好地拟合了实验褪色值。