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短波
电阻器。全新和未使用过的 Erie 和 Dubilier 电阻器。我们已获得另一批优质电阻器，现提供如下。1 瓦 8/6/100，2 瓦 12/6/100，1 瓦 9 型绝缘 15/-/100，1 瓦标准型 15/-/100，2 瓦 20/-/100，5 瓦 25/-/100。所有值均在 100 欧姆和 6.8 兆欧姆之间。或取 100 个样品，如下所示：20 瓦、25 瓦、20 1 瓦绝缘、20 1 瓦标准、10 2 瓦、5 5 瓦，至少有 30 个不同值，价格为 14/-。线绕。5 瓦。以欧姆为单位的数值。15、20、25、50、75、100、150、175、200、250、500、750、1000，所有线端均为每打 6/- 元。各种规格。美国 GROVES、UEI。玻璃。25 欧姆 5 瓦、175 欧姆、200 欧姆和 3k、7 瓦、175 欧姆 10 瓦、2k 20 瓦、5k、8k、10k、15k、25 瓦特，每个均为 1/6。Groves。I lkin。玻璃 25k 和 50k 80 瓦，每个为 3/- 元。 RCA 8k 和 16k 120 瓦，每只 3 /-。美国旋入式元件，用于 4336 Tx 5/6。示波器。由著名的英国制造商制造。黑色裂纹钢外壳，尺寸 12 x 8 x 箱。用于交流电源 230/200v 50cy。电子管尺寸 3 英寸（绿色）。硬电子管时基连续可变，从 5 到 250,000 cds 推挽式“x”偏转电路，TB 波形引出到单独的端子，用于摆动器工作或同步。提供回扫抑制。推挽式“Y”偏转电路，电平从 15 到 300,000 cos 所有常用控制和使用直流电压表测量交流波形幅度的装置。单独的同步放大器，无控制交互。配有所有测试导线和说明手册。它们是全新的，装在原装纸箱中。并且代表着 19/10/0 英镑的不可重复的便宜货。Carr。已付。电子键控器。230v 50cy。交流电源。我们自己生产。灰色裂纹钢外壳 9 x 7 x 6 英寸。适用于所有 5 个阀门。控制点、划和间距，速度控制连续可变，从每分钟 10 个以下到每分钟 60 个，字符完美形成。这是精密的一流操作，操作简单。Carr。已付 612/10/0。晶体。1000 kc Valpey、Bliley 或 Somerset，标准针距，20/-。RCA 100 kc 子标准，20/-。Western Elec。500 kc Ft 243 支架，英寸针距，7/6。全系列 Western IF 自由波段。450、465 Kc 等，每种 12/6。业余和商业波段。G3 Si Xtals 经过精密研磨，并经过酸蚀以达到最终频率。有 Ft 243 支架、¡in. 英国、;in. 美国或 ;in. P.5 支架可供选择。您可以自行选择 2 Mc 到 10 Mc 的频率。我们将以每台 15/- 的价格将所选频率的 1 Kc 以内发货，并准确校准频率。明确标记。小数点 frgs 会收取少量额外费用。我们还承担校准或重新磨平您自己的晶体，收费非常合理且象征性。本月特价。7290 Kc ñin. IOx 型标准英国支架、GEC、标准等。每个 7/6。CONNOISSIEUR 轻型拾音器。Connoissieur 标准轻型拾音器，配有输入变压器，全新且已装箱。定价 E4/10/5 含税。结算价为每个 £1/6/10。可批量出口。美国信号兵团。轻型速度键。1.38 带曲臂。3/9。同上，带短路杆 5/-。美国信号 J5a 防火 3/-。英国皇家空军 Mk2 Nr2 2/-。ATKINS 465 Kc IF 变压器。粉尘铁芯调谐每个 4/6，同上 Wearite 552 型，每个 465 Kc 6/-。Weymouth P2 微型 IF，每个 465 Kc 4/ -。Wearite 线圈 P 型。以下产品现在仅以每件 2/- PA、4、5、6 和 7 的价格提供。PHF4、5、6 和 7。- F04、5 和 6。AF、RF、BFO。Weymouth 线圈。以下产品每件 2/6，DAI、DA3、DA6、KAI、KH I、KOI、DH6、DOI、DO3、DO6、HOI、HO4、KO2、KA2、HA4、MSC3、QI IF 滤波器、CS3 W3 每 het 三波，每对带电路 4/-。Weymouth 和 Wearite 线圈组也可用，详情请咨询。
产品目录 - RC Allen 仪器
Kelly Manufacturing Company 是 R.C.Allen 系列仪器的制造商。KMC 是世界上最大的通用航空飞机仪器制造商，位于堪萨斯州威奇托市中心。KMC 还是 FAA 授权维修站，可为所有 R.C.Allen 仪器提供保修维修和服务维修。R.C.Allen Inc. 由 Ralph C. Allen (1884-1967) 于 1932 年在密歇根州大急流城创立。后来，它被称为 R.C.Allen Business Machines Inc.，是领先的商用机器制造商之一。数以千计的旧 R.C.如今，全国各地仍可找到 Allen 收银机、加法机和打字机。第二次世界大战爆发时，对大量飞机的需求推动了 R.C.Allen Business Machines 进入航空领域。R.C.Allen 拥有制造战争所需精密仪器的设施。数千台 R.C.Allen Turn 和 Bank 仪器安装在战机上，帮助盟军赢得战争。战后，R.C.Allen 继续作为主要政府承包商，并为朝鲜战争制造仪器。在此期间，为军用喷气式飞机制造了数千台速率陀螺仪发射器。在和平时期，该公司为土星火箭开发了超小型陀螺仪，当时有 20 个特殊陀螺仪同时在轨道上运行。到 1972 年，R.C.Allen 是世界上最大的通用航空飞机仪表制造商。1977 年，R.C.Allen Business Machines Inc. 被出售，仪器部门迁至世界航空之都堪萨斯州威奇托。在新的所有权下，它成为 R.C.Allen 飞机仪表和开发部门 (A.I.D.)。1996 年，凯利制造公司 (KMC) 收购了 A.I.D.成为 R.C.Allen 系列的新制造商。如今，R.C.Allen 仍然保持着其作为全球航空业最值得信赖的飞机仪器系列的地位。KMC 为各种军用和通用航空飞机制造各种优质仪器。随着 RCA 2600 数字姿态指示器和应急备用电源 (ESP) 电池备份的推出，KMC 始终处于航空技术和安全性的前沿。
核子测量仪的技术数据
核子测量仪或核子控制系统 (NCS) 已广泛应用于工业领域，以提高产品质量、优化工艺并节省能源和材料。人们认为，NCS 技术是目前最需要的放射性同位素技术之一。经济效益已得到工业界的证实和认可。全世界的工业领域安装了数十万台核子测量仪。其中许多可从多家制造商处购买。然而，相当一部分 NCS 尚未作为标准产品进入市场，新一代核子装置的开发仍在进行中。对 NCS 技术的需求正在稳步增长；许多发展中成员国对这项技术很感兴趣。多年来，国际原子能机构为促进 NCS 的工业应用做出了巨大贡献，特别是在东亚 (RCA) 和拉丁美洲 (ARCAL) 的区域 TC 项目中。取得了重大进展，使发展中成员国能够将这项技术引入到明确的工业加工领域。已经组织了多次会议，目的是讨论 NCS 技术的现状和前景并编写该主题的技术报告。2000 年 11 月召开了 NCS 目录顾问会议；2002 年 6 月组织了放射性示踪剂和 NCS 技术研发技术会议，2003 年 5 月举行了编写低活度核子测量仪设计和应用技术文件顾问会议。来自发达和发展中成员国的公共机构和私营公司的专家参加了这些会议，并提供了反映在本出版物中的经验和反馈。本报告旨在提供核子测量方法和技术的基本信息，这些方法和技术应用于自然资源勘探和开发以及制造业的主要目标领域。报告回顾了最常用技术的基本原理，并附上了核子测量仪主要典型模型的信息表。该材料包含有关 NCS 技术的实用信息，可帮助放射性同位素专家向最终用户推广该技术，并帮助他们选择最合适的替代方案来解决特定问题或测量特定过程中的某个参数。行业经理和决策者将找到有用的信息，以更广泛地使用 NCS 技术。国际原子能机构感谢所有会议参与者的宝贵贡献。负责本出版物的国际原子能机构官员是物理和化学科学部的 J. Thereska 和 Joon-Ha Jin。
年度成果目标计划 - 指示
指令一般概述这些说明旨在为完成年度成果目标计划提供帮助：绩效目标，实际和绩效叙事。为了您的方便，每年向所有国家难民协调员提供个性化表格，其中ORR从上一年批准的年度成果目标计划中输入的目标数据。对于每个数据点，请查看输入的信息并进行任何必要的更改。设定目标时，州/机构应建立旨在改善上一年实际情况的目标，同时根据对您州的就业市场和经济环境的知识来维持现实的方法。其他考虑因素包括就业服务的预期案件和/或局限性的就业服务以及影响客户进入就业的各种力量的局限性。为您的方便起见，这些说明附上了最终的完成清单。这是一种工具，可帮助您确保正确完成年度成果目标计划。它仅供您使用，不需要与您的年度成果目标计划：绩效目标，实际和绩效叙述。完成的年度成果目标计划：每年11月30日，应通过电子邮件将绩效目标，实际目标和实际绩效叙述提交给RADS数据库。如果您需要帮助，请通过goran.debelnogich@acf.hhs.gov或（330）907-3480与您的区域代表或Goran Debelnogich联系。1。仅接受州现金援助的难民也应包括在此类别中。案件在实际领域（上一年）的实际领域中，输入未建立的活跃的，可就业的成年人数量，这些成年人通过援助类别招募了就业能力服务。该表格将通过添加每个援助类别的难民数量来自动计算总案件。尚未获得有需要家庭的临时援助的难民（TANF），也不应将难民现金援助（RCA）纳入不应包括联邦现金援助的类别。案件量仅由45 CFR 400.154（a）（c）（d）和（e）下定义的那些积极接收就业服务的难民组成。这些部分的全文可以在ecfr.gov上找到。在FY [本年度]目标下的可用领域中，输入拟议的未建立活跃的，可就业的成年人，将通过援助类别招募就业服务。
ACM 参考格式：Shravya Channamadhavuni、Sven Thijssen、Sumit Kumar Jha 和 Rickard Ewetz。2021 年。使用模拟内存计算加速 AI 应用：挑战和机遇。在 2021 年大湖区 VLSI 研讨会 (GLSVLSI '21) 论文集上，2021 年 6 月 22 日至 25 日，虚拟活动，美国。ACM，美国纽约州纽约，6 页。 https://doi.org/10.1145/3453688.3461746
通过重新思考计算堆栈的所有层，包括硬件、软件和软硬件基本方法和方案 [1, 2, 4]。由于有望同时实现密集存储和节能模拟处理，基于非易失性电阻技术的内存计算已成为克服上述挑战的一种有吸引力的解决方案。非易失性电阻器件是一种具有可编程电阻的双端器件，可以使用忆阻器 [11, 35]、电阻随机存取存储器 (ReRAM) [23, 38]、相变存储器 (PCM) [20, 39] 或自旋转移力矩磁性随机存取存储器 (STT-RAM) [18, 31] 来实现。通过将新兴设备集成到电阻交叉阵列 (RCA) 中，可以在模拟域中执行近似矩阵向量乘法 (MVM)。这是很有希望的，因为计算比数字域中的能源效率高得多（数量级）[17]。通过将矩阵存储在内存中并现场执行计算，数据移动也大大减少[9, 32]。此外，MVM 是许多 AI 应用中的主要计算，例如深度学习 [22]、图像处理 [24] 和图形分析 [34]。利用模拟内存计算的主要挑战是，各种错误和变化源可能会降低计算精度。这包括设备写入错误、非零阵列寄生效应、有限的设备产量、电阻漂移、温度变化、随机电报噪声和有限的设备耐久性。此外，在模拟域中引入的任何错误都可能损害加速应用程序的功能正确性。例如，神经网络的硬件分类准确性可能明显低于软件级别。相反，数字计算系统中的稳健性问题只会引入时序违规，可以使用动态电压频率缩放 (DVFS) 来缓解。为了在系统级性能上提供保证，需要在设备级、算法级和软件应用程序级进行协同创新。虽然设备级研究人员不断尝试改进制造设备的特性，但开发所需的算法和软件级支持变得迫在眉睫。在本文中，我们回顾了使用模拟内存计算加速 AI 应用所面临的挑战、解决方案和未来研究方向。第 4 节概述了未来研究的机会。第 2 节讨论了模拟矩阵向量乘法的基本概念、目标 AI 应用以及不同误差的建模。第 3 节回顾了在算法和软件层面上提高对误差的鲁棒性的最新解决方案。第 5 节总结了本文。
A.封面栏杆创新的弹性项目（RIR）...
愿景和机会阿拉斯加和国家正处于一个关键的过渡点，这是一代人的机会，可以通过投资基本的电气基础设施来增强弹性和发展燃料多样性，低碳经济。该州最大但有岛的电网为该州75％的人口提供服务，包括多元化和服务不足的社区，主要商务和运输中心，战略军事基地以及主要矿产矿床的通道区域。然而，由于人口相对较低的成本，电气系统不符合48个州的最低标准。这种缺陷限制了电网的弹性，并破坏了迎接清洁能源未来的能力。在此交叉路口，阿拉斯加州的集体任务以及相互联系的轨道电力公用事业，是为了建立一个弹性，干净，智能和低成本的电网。该网格必须支持燃料多样性的能源环境，该燃料多样性能够驱动阿拉斯加的可持续经济发展，并确保向铁丝网消费者及其他地区提供具有成本效益的能源。轨道带公用事业和州有一个愿景：铁丝网中的协作未来，我们的社区聚集在一起，共享资源，以增强和建立一个智能，清洁的电网，向我们的居民，我们的国防基础设施以及与任何来源的清洁，低成本的能源相邻的居民，我们的国防基础设施以及邻近的社区。团队将在像布拉德利湖项目管理委员会（BPMC）这样的结构下工作，该组织拥有32年的成功项目开发和管理历史。一支创新的团队已组装，以管理该项目，该项目由该地区的相关决策者组成：代表阿拉斯加州，阿拉斯加监管委员会（RCA）的阿拉斯加能源管理局（AEA）和五个构成Railbelt Electric Grid的电力公司。Railbelt创新的弹性项目（RIR）将构建与现有的单个区域领带平行的新输电线路，并向格里利堡的DOD地面基地导弹防御设施提供循环传输馈电，并与当前岛屿的铜谷电力联合会与Railbelt Grid互连。该项目将结合在充满挑战的海洋环境中安装的高压直流电流（HVDC）潜艇。该电缆电路将需要重大的创新，这将在本文档后面更全面地描述。阿拉斯加人热衷于筹集资金，以应对其独特的能源挑战。Araska州长Mike Dunleavy和国际电气工人兄弟会的商业经理1547，强调了这一目的：“现在，我们对参与者的历史保持一致。公用事业，阿拉斯加州和劳动力正在以我们一生中没有看到的方式共同努力，以为未来的家庭和企业主建立可靠，弹性和高效的网格。现在是所有玩家合并努力并为阿拉斯加人确保这项投资的时候了。”
病例报告：IgG4 相关疾病的心脏变化双能量计算机断层扫描
患者为一名 63 岁男性，因腹痛入院。实验室检查显示 IgG4（19.3 g/L）升高，接近正常上限的 8 倍。腹部 CT 显示胰腺肿块及腹主动脉及胆道系统周围软组织病变。在完成一系列检查和多学科讨论后，根据 2019 年 ACR/EULAR IgG4-RD 分类标准 ( 2 ) 的纳入标准，患者累计评分为 38 分，诊断为 IgG4-RD。患者既往史包括高血压、II 型糖尿病、冠状动脉疾病伴稳定型心绞痛以及因创伤行脾切除术。通过 DECT（SOMATOM Drive，西门子医疗，德国福希海姆）和 Syngo 进行冠状动脉计算机断层扫描血管造影 (CCTA)。在工作站上，在专业工程师的指导下使用“CT冠状动脉”“CT双能量”和“CT心脏功能”工具进行测量，手动绘制圆形感兴趣区域（ROI），确保基于多平面三维重建的ROI位于病变中心，观察者内和观察者间组内相关效率（ICC）分别为0.90和0.96。基于深度学习的冠状动脉CT血管造影（FFR CT）血流储备分数测量由科亚医疗独立核心实验室进行（ 3 ）。CCTA显示多条冠状动脉中度至重度狭窄病变（图1B~D）；左前降支 (LAD) 病变最严重，狭窄程度为 75%–99%，对角支狭窄程度为 90%，左回旋支 (LCX) 狭窄程度为 75%–90%，右冠状动脉 (RCA) 狭窄程度为 50%–90%，这些病变均经侵入性冠状动脉造影 (ICA) 证实（图 1F–H）。有趣的是，该患者的三支血管周围既有非钙化斑块，也有大量肿瘤样病变（图 1A）。后者病变可能是由 IgG4-RD 引起的，但在 ICA 期间被忽视了。众所周知，IgG4-RD 引起的动脉周围炎主要影响外膜，而内膜和中层受累较少（1）。但非钙化斑块主要位于管腔内，因为它最初发生在冠状动脉内膜。近端LAD内的斑块与冠状动脉周围的IgG4相关浸润更容易区分；因此我们选择该区域来测量两个病变（图1I）。近端LAD内的肿瘤样病变在平扫图像（管电压100keV）中的平均CT衰减值为38HU，与位于同一张CT轴位图像上的纤维脂肪斑块（45HU）相同。在延迟增强阶段，非钙化斑块的平均CT衰减为64HU，而肿瘤样病变为100HU。结合它们的增强特征，进一步可确定非钙化斑块及IgG4相关浸润物。首先，比较LAD不同病变的碘密度。动脉期肿瘤样病变比非钙化斑块摄取更多的碘，且差距随时间延长而扩大（图1I、N）。绝对碘和标准化碘
比较列表.xlsm
1702A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V 1302A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器，U = -9V 1602A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器，U = -9V Am1702A AMD 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V MM1702A National 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V 1702A Signetics 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V U501 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器，U = -9V U551 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器，U = -9V U552 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V K505РР1 (UdSSR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V，未经测试 CDP18U42CD RCA 74S271/470 适配器 256 x 8 2048 TS 24 EPROM 12=Vcc，22=Vsat，23=Vdd，24=Vss，单 5V 读取，未经测试 2704 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 2704 Intel 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 CDP1832 RCA 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V, 未经测试 MM4204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置与适配器MM5204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置和适配器 2708 Intel 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MB8518 Fujitsu 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss SFF71708 Mostek 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM2708 摩托罗拉 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM68708 摩托罗拉 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MM2708 National 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss NTE2708 NTE 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM2708 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss TMS2708 德州仪器 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM3758 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss, 未经测试 CDP1834 RCA 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V, 未经测试 U505 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 ROM 仅 5V U555 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573РΦ1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573RF1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd,12=Vss 2716 英特尔 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am2716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am4716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NMC27C16 仙童 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MBM2716 富士通 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM HN462716 日立 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MMN2716 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M5L2716 三菱2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MCM2716 摩托罗拉 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 27C16 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MM2716 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM uPD2716 NEC 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NTE2716 NTE 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MSM2716 Oki 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 SGS 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 ST 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMM323 东芝 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2516 德州仪器 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM ET2716 汤姆逊 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM U556 (DDR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM K573RF2 (UdSSR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2716 摩托罗拉 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss， 19=Vdd， 21=Vbb, 24=Vcc TMS2716 德州仪器 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss, 19=Vdd, 21=Vbb, 24=Vcc 2732 英特尔 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM Am2732 AMD 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM F2732 飞兆半导体 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 飞兆半导体 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MB8532 富士通 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MBM2732 富士通 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM CDM5332 GE 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732 Ro9333 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 Ro9433 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 HN462732 Hitachi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2732A Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M5L2732 Mitsubishi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 National 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM uPD2732 NEC 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M2732 ST Microelectronics 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMM2732 Toshiba 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMS2732 Texas Instruments 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM WS57C43 WSI 2732 X 4k x 8 32768 24 PROM 与 2732 兼容，当 18=HIGH、20=LOW 时可读取 U2732 (DDR) 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2333 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732,当 18/20=LOW 时可读 2764 Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM Am2764A AMD 2764 X 8k x 8 65536 28 PROM MBM2764 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MBM27C64 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM HN482764 Hitachi 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 2764A Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MK37000 Mostek 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 1/26/27=nc NMC27C64 National 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM M2764 SGS-Thomson 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM M2764A ST Microelectronics 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM U2764 (DDR) 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM TMS2564 Texas Instruments TMS2564 X 8k x 8 65536 28 EPROM 27128 Intel 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM Am27128A AMD 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM MBM27128 富士通27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM HN4827128 日立 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM NM27C128 National 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM UPD27128 NEC 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM M27128A ST Microelectronics 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM TMM24128 东芝 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM 未经测试 27256 Intel 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 6212424 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM
ni-al欧姆与P型4H-SIC
本文介绍了法国Villeurbanne的Laboratoire deLaMatière，法国Villeurbanne摘要：对Ni-Al合金的调查，在本文中介绍了在P型4H-SIC上形成欧姆的接触。检查了Ni/Al接触的几个比例。在1分钟内在400°C的氩气气氛中进行快速热退火，然后在2分钟内在1000°C下退火。为了提取特定的接触电阻，制造了传输线方法（TLM）测试结构。在p型层上可重复获得3×10-5Ω.cm2的特定接触电阻，而N a = 1×10 19 cm -3的掺杂，由Al 2+离子植入进行。测得的最低特异性接触电阻值为8×10-6Ω.cm2。引言硅碳化物是一种半导体，它在硅中具有多种优越的特性，例如宽带镜头三倍，高电场强度（六倍），具有铜和高电子饱和度漂移速度的高热电导率。由于SIC单晶生长晶粒已被商业化，因此在SIC应用中进行了深入的研究[1]，用于高温，高频和高功率设备。半导体设备参数控制开关速度和功率耗散的强大取决于接触电阻[2]。为制造高性能的SIC设备，开发低阻力欧姆接触是关键问题之一。目前正在限制SIC设备的性能，特别是因为与P型材料接触[3-7]。这些接触通常采用铝基合金[3，7]。已经研究了许多不同的解决方案，并且非常关注Ti/al [3-5]，该溶液在p -SIC上产生了10 -4-10-5Ω.cm2的特定接触电阻。最近通过使用诸如TIC [6]的替代材料（诸如TIC [6]的替代材料产生改进的接触的尝试，导致了低于1×10-5Ω.cm2的特定接触电阻，但是这些接触需要“外来”材料和非标准制造技术。另一方面，一些调查集中在接触Ni/Al [7，8]上，优势是形成欧姆行为无论构成不管构成。在本文中，通过不同的参数提出并讨论了p-SIC上Ni/Al欧姆接触的形成。用不同的参数实现了一组样品。善良的注意力首先集中在表面制备上，尤其是有或没有氧化的情况。然后，研究并讨论了触点中的特定电阻与AL含量。最后，也分析了退火序列的效果。使用标准的梯形热处理特征用于1000°C的退火，然后通过在400°C的中间步骤添加1分钟进行修改。实验样品是4H-SIC N型底物，其n型表层掺杂以10 15 cm -3的掺杂，从Cree Research购买。通过浓度为n a = 1×10 19 cm -3的Al 2+离子植入获得P型区域。在Argon Ambient下，在45分钟内在1650°C下进行射入后退火[9]。首先在溶剂中清洁样品，然后再清洗“ Piranha”溶液。冲洗后，将RCA清洁应用于样品，然后将它们浸入缓冲氧化物蚀刻（BOE）中。清洁后，立即在1150°C的干氧中生长了SIO 2层2小时。光刻来定义传输线方法（TLM）模式，并在将样品引入蒸发室之前就打开了氧化物。Ni的接触组成，然后通过电阻加热沉积AL。最终通过升降过程获得了TLM触点。仅在几分钟内在1000°C下在1000°C下在Argon大气下进行退火后才能建立欧姆接触的形成。
比较列表.xlsm
1702A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V 1302A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器，U = -9V 1602A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器，U = -9V Am1702A AMD 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V MM1702A National 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V 1702A Signetics 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V U501 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器，U = -9V U551 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器，U = -9V U552 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V К505РР1 (UdSSR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V，未经测试 2704 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 2704 Intel 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 CDP1832 RCA 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V, 未经测试 MM4204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置适配器 MM5204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置适配器 2708 Intel 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM2708 Motorola 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM68708 Motorola 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MM2708 National 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss NTE2708 NTE 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM2708 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss TMS2708 Texas Instruments 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss CDP1834 RCA 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V，未经测试 U505 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 ROM 仅 5V U555 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573RF1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd,12=Vss 2716 英特尔 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am2716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am4716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NMC27C16 仙童 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MBM2716 富士通 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM HN462716 日立 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MMN2716 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M5L2716 三菱2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MCM2716 摩托罗拉 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 27C16 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MM2716 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM uPD2716 NEC 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NTE2716 NTE 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MSM2716 Oki 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 ST 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMM323 东芝 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2516 德州仪器 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM ET2716 汤姆逊 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM U556 (DDR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM K573RF2 (UdSSR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2716 摩托罗拉 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss、19=Vdd、21=Vbb、24=Vcc TMS2716 德州仪器 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss, 19=Vdd, 21=Vbb, 24=Vcc 2732 Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM Am2732 AMD 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM F2732 Fairchild 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 Fairchild 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MBM2732 Fujitsu 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM CDM5332 GE 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732 Ro9333 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 Ro9433 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 HN462732 Hitachi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2732A Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M5L2732 Mitsubishi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 National 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM uPD2732 NEC 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M2732 ST 微电子 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMM2732 东芝 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMS2732 德州仪器 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM WS57C43 WSI 2732 X 4k x 8 32768 24 PROM 兼容 2732，当 18=HIGH、20=LOW 时可读取 U2732 (DDR) 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2333 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读 2764 Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM Am2764A AMD 2764 X 8k x 8 65536 28 PROM MBM2764 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM HN482764 Hitachi 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 2764A Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MK37000 Mostek 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 1/26/27=nc M2764A ST Microelectronics 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM U2764 (DDR) 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM TMS2564 德州仪器 TMS2564 X 8k x 8 65536 28 EPROM 27128 英特尔 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM Am27128A AMD 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM M27128A ST 微电子 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM 27256 英特尔 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 6212424 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM Am27256 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 PROM NM27C256 National 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM NMC27C256 National 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 27256 GI 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 27512 Intel 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM A276308 Amic 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM M27512 ST Microelectronics 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM 27010 271001 X 128k x 8 1 MBit 32 EPROM AT27C010 Atmel 271001 X 128k x 8 1 MBit 32 EPROM