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具有多个切割晶圆的六面模塑面板级芯片级封装
摘要 本研究介绍了 6 面模塑面板级芯片级封装 (PLCSP) 的设计、材料、工艺、组装和可靠性。重点介绍了在带有多个器件晶圆的大型临时面板上制造 PLCSP 的 RDL（重新分布层）。由于所有印刷电路板 (PCB) 面板都是矩形，因此一些器件晶圆被切成两块或更多块，以便充分利用面板。因此，产量非常高。由于所有工艺/设备都是 PCB 工艺/设备（不是半导体工艺/设备），因此这是一个非常低成本的工艺。制造 RDL 后，将晶圆从 PCB 面板上剥离。然后进行焊球安装，并从带有 RDL 的原始器件晶圆制造 6 面模塑 PLCSP。介绍了 PLCSP 的跌落测试和结果（包括故障分析）。 6 面模塑 PLCSP PCB 组件的热循环由非线性温度和时间相关有限元模拟执行。关键词 扇入封装、再分布层、6 面模塑面板级芯片级封装、切割晶圆和跌落测试。
高性能计算应用中带 HBM 的 FO-MCM 组装技术
随着行业向超摩尔时代迈进，下一代封装技术也朝着高密度芯片或芯片分割封装集成方向发展。尤其是对于高性能计算应用，先进封装技术通过硅或有机中介层集成多个芯片芯片，从而提供经济效益。有机中介层是芯片到芯片互连的替代接口之一。FO-MCM 以同质封装集成概念应用于芯片集成和 ASIC 到 Serdes 芯片集成而闻名。由于人工智能计算和 HPC 市场增长的推动，将封装的 HBM 集成到封装模块中作为异构集成封装 (HIP) 的趋势已经形成。近年来，两种平台（以硅中介层为基础的 2.5D 和以部分桥接芯片为互连介质的 FO-EB）已投放市场。还讨论了采用纯有机中介层的 FO-MCM 应用于异构集成领域的可行性。全有机中介层可以为 HPC 产品提供多个 RDL 层和线路/空间的灵活设计。本研究旨在解决采用纯有机中介层的 FO-MCM 平台实现集成 HBM 的异质封装。FO-MCM 中的芯片最后方法具有控制 RDL 质量和采用“已知良好的 RDL”以节省顶层芯片成本的优势。扇出型 RDL 配置为 4 层，最小 L/S 为 2/2um。在验证过程中，基于模拟分析，通过材料和底部填充选择优化了翘曲和应力。组装结果表明，翘曲和可靠性验证通过了 MSL4、TCT700x、uHAST96 和 HTST1000hrs 条件。关键词 扇出型 MCM；芯片最后；异质集成；芯片分区；高性能计算；HBM
欧洲芯片法案和 AHSI – FMD 试验线
HDML：高密度多层 TF：薄膜 HD：高密度 RF：射频 VCSEL：垂直腔面发射激光器 SiP：系统级封装 SMD：表面贴装器件 RDL：重分布层 TSV：硅通孔 MEMS：微机电系统 3D AM：3D 增材制造
与同时模具计量学的FOPLP自动化光学检查（AOI）
作为IC制造的最后一步，包装是封装芯片并提供最终表单I/O的互连的过程。对越来越高的I/O密度，缩小设备尺寸和较低成本的需求也适用于包装过程。为了实现这些目标，已经开发了各种技术，其中大多数是晶圆级包装（WLP）。与传统的包装过程不同，大多数I/O互连是在晶状体级别进行的，并使用重新分布层（RDL）进行。rdls是铜线和远处形成电气连接的层。取决于应用程序的市场，例如移动，内存或物联网（IoT），粉丝 - 外部晶圆级包装（FOWLP）提供了支持I/O密度要求和良好的RDL线/空间的最有希望的方法。此外，还开发了粉丝范围的面板级包装（FOPLP），以利用规模经济并优化底物利用率。在这项技术中，该过程中使用了矩形基板，而不是像晶圆那样的圆形底物。
自主水下航行器的同伦约束路径规划
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机器人、机器人和人类 - 计算博士论文
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2021 年报告 - 西班牙
影响增长和消除障碍的工作 2020 年初，西班牙积压了超过 430 GW 的电网接入申请。政府认为，其中一些项目是投机性项目，因为它们不成熟，而且大约 60% 的电网接入持有者没有申请相应的接入许可。在这种情况下，实现真正能够推动投资和创造就业机会的稳健项目的成本更高。为了帮助稳健项目取得进展，政府于 2020 年 6 月颁布了第 23/2020 号皇家法令，该法令规定了许可链中每个里程碑的截止日期，项目开发商必须满足这些截止日期才能获得下一个许可。否则，任何已授予的许可将自动过期，已存入的财务担保也将失效。总之，开发商有五年的时间来完成整个过程。在皇家法令生效后的三个月内，许可证持有者可以退出该链并领取其押金。与此同时，RDL 暂停了新的电网接入申请，直到这些许可证得到进一步监管。新的接入规定要求开发商提交成熟阶段的项目和之前的研究。RD 1183/2020 于 2020 年 12 月获得批准，旨在通过监管电力传输的接入和连接来应对电力行业的新现实