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适用于扇出型晶圆级和面板级封装的细线和低应力 RDL 解决方案
本文通过 HRDP ®（高分辨率可剥离面板）技术介绍了一种新的 RDL 概念。它已受到业界的广泛关注，尤其是对于扇出型、芯片后置、晶圆级和面板级封装组件。本文介绍了 HRDP ® 的结构和材料。可提供各种尺寸和厚度的适用 HRDP ® 载体，用于圆形面板和带有玻璃或硅的方形/矩形面板，以满足客户要求。这可以简化流程并改善界面应力。本文详细介绍了使用 HRDP ® 的工艺步骤，这些步骤基本上使用 RDL 金属图案化中的现有工具（即光刻、显影/Descum 等），而不会破坏装配线布局和工艺流程。HRDP ® 与现有的电介质和光刻胶兼容。事实证明，基于凸块制造厂中用于 RDL 的电介质和光刻胶的功能，已经实现了 2/2 微米及以下的精细 L/S 几何形状。可靠性数据已共享。关键词 载体技术、HRDP ® (高分辨率可脱键面板)、机械脱键、线/间距 (L/S)、最后芯片、RDL、扇出型晶圆级 (FO-WLP)。面板级封装 (PLP)、热膨胀系数 (CTE)。
用于异质集成
i n [1]，已报道了多个芯片在重新分布层（RDL）（RDL）上的设计，材料，过程和组装 - 首先是带有风扇淘汰面板级包装（FOPLP）的第一个基材。RDL-第一个底物[1]在临时玻璃载体上制造，由三个RDL组成，其金属层线宽和间距（L/S）等于2/2、5/5和10/10 m m。由于工艺顺序（2/2 m M金属L/sift，5/5 m m秒和10/10 m m三分之一）在制造RDL-第1个基材时，需要将RDL-FIR-FIRSTRATE转移到另一个临时载体上。然后，将第一个临时玻璃载体拆除，并执行芯片到基底键合，以便可以将芯片直接连接到2/2-M M Metal L/S RDL。然而，由于第二辆载体的粘结和第一个载体的拆卸导致了较大的扭曲，因此焊接质量质量的芯片在RDL底物上的产量非常低。因此，在[1]热压缩键中，一次使用一个芯片。在这项研究中，提出了制造RDL底物的新工艺顺序（10/10 m M Metal L/siftim，第一个，5/5 m m秒和2/2 m m三分之二）。在这种情况下，无需将RDL衬底转移到另一架载体上，然后首先通过小强度的热压缩芯片到rdl-substrate键合，然后立即焊接所有芯片的质量。通过滴测试证明了异质集成包的印刷电路板（PCB）组件的可靠性。讨论了结果和失败分析。
用于扇出型封装 RDL 屏障/种子形成的 PVD 工具中晶圆传输架构的生产率比较
摘要 物理气相沉积 (PVD) 系统广泛应用于半导体制造行业，既用于晶圆厂的前端应用，也用于器件封装厂的后端应用。在扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 和扇出型面板级封装 (FOPLP) 中，溅射沉积的 Ti 和 Cu 是构建电镀铜重分布层 (RDL) 的基础。对于这些 RDL 阻挡层/种子层，PVD 集群工具（自 20 世纪 80 年代中期以来广泛使用的晶圆传送架构）是当前先进封装中的记录工艺 (POR)；然而，这些工具通常在晶圆传送受机器人限制的条件下运行，每小时传送约 50 片晶圆，这限制了总体吞吐量并极大地影响了溅射沉积步骤的拥有成本 (COO)，因为中央处理机器人忙于从 Ti PVD 模块到 Cu PVD 模块的传送，除了特定的传送之外没有机会做任何其他事情。
具有超小照相和高可靠性的高密度RDL的新型光敏电介质材料
摘要本文提出了新开发的先进的超薄光敏电介电膜（PDM），其高分辨率，低CTE和低剩余应力，用于下一代高密度重新分布层（RDL），2.5D Interposer，以及高密度的风扇输出包装应用程序。对于高密度RDL，光敏电介质材料需要具有低CTE才能达到高包装可靠性。材料的CTE为30-35ppm /k。在保持低CTE时，我们成功地证明了5UM厚度中3UM的最小微型视野直径。PDM的固化温度为180 0 C x 60分钟。比目前在行业中使用的大多数高级介电材料低。低温固化过程会导致低压力。，我们通过4英寸晶圆的经经测量测量结果计算了固化的PDM中的残余应力。作为PDM材料在固化过程中的另一个好处，可以将PDM固化在空气烤箱中。大多数先进的照片介电材料都需要在N2烤箱中固化，这是由于防止材料氧化的。我们通过使用半添加过程（SAP）和溅射的Ti/Cu种子层展示了2UM线的铜痕迹，并在PDM上间隔。由于由于低温固化而引起的低CTE和低残余应力，它通过了温度周期测试（1,000个周期），其雏菊链结构在结构中具有400个VIA。可以得出结论，新开发的PDM是一种有前途的介电材料，用于2.5D interposers和Fan-Out Wafer级级别的应用程序，用于高度可靠的高密度重新分布层（RDL）。