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chip-last HDFO（高密度扇出）间插座pop
摘要 - 在过去几年中，高端移动应用程序处理器（APS）开发了Interposer Package-on-package（POP）技术，并且在过去几年中一直在非常大量的生产中。这是由于其优质包装设计灵活性，可控的包装经（25°C）和高温（260°C）的优势，减少的组装制造周期时间和芯片持久的组装制造供应。迄今为止，层压板基室间的插入器流行已被用于具有非常大量生产的高端移动AP。最近，这种插入器流行设计面临着一些技术限制，包括需要减少顶部和底部路由层厚度，铜（CU）微量线/空间以及下一代移动APS的大小。这些减少可能需要超薄包装Z-Height和高带宽底部和顶部路由层。为了应对这些挑战，已经设计和演示了具有高密度风扇外（HDFO）重新分布层（RDL）路由层的新插入器流行。这是实现具有高带宽和改善信号完整性/功率完整性（SI/PI）路由层的超薄包装Z高，插座式流行结构的计划的一部分。本文将讨论使用HDFO RDL路由层上的插入器流行的包装级特征，以及根据JEDEC进行的Z-Height评估，Z-Height评估，依赖温度依赖的软件包WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE测量测试。
新皇家法令23/2020（ii）：杂交...
2请参阅我们的客户简介在此处：https：//www.cliffordchance.com/briefings/briefings/2020/06/repopering-renewable-installations-regulations-regulatorativations.html 3 Notes.html 3注意，RD-L 23/2020明确地允许访问权限的授权能力，该授权能够授予其访问权限，以使其在某种程度上授予其访问权限，以使其在某种程度上付出超出的授权，以至于该访问权限的范围超出了某种情况。在特定薪酬制度的注册表中。尽管有上述功能，但访问能力将是允许发电安装的最大活动能力。4因此，仅在RDL 23/2020的第一次过渡条款中所包含的暂停群体影响，但不受可用网格能力的存在。
2.15.0 发行说明 – 2024 年 6 月
数据库 LRM-2659 – 审查访问管理 - 删除对 TAPDB/TAPDB-R 的引用 LRM-2930 – 创建删除 API - DB 组件 LRM-2970 – 批量拒绝代码到 QC LRM-3074 – 用户未收到批量创建的电子邮件通知 LRM-3077 – 添加将文档附加到用户配置文件的功能 LRM-3179 – 索赔 DAT-198 的新列 – RDL - 未参与信函 - 时间戳/拼写错误位于文档名称列中 缺陷 LRM-3104 – 将 FO 角色添加到用户列表报告 LRM-3105 – 反映重复信息的 HR 报告（USARMY 101 ABN DIV） LRM-3106 – 将问题案例数重新添加到域标志下 LRM-3120 – 状态 M 和状态 T 的批量发起人报告错误 LRM-3163 –已保存的无法更改 LRM-3165 – 更改报告上的列宽 LRM-3178 – 批次管理器树不可见 LRM-3188 – 士兵调动报告受限 LRM-3193 – 培训 - RRT 报告未更新 LRM-3201 – 按域验证文档工作流程 LRM-3237 – 当 DOC_TYPE 有空格或斜线时，文档矩阵样本保存不起作用 LRM-3257 – WBT 应用程序报告问题 LRM-3260 – 培训应用程序报告 Oracle 错误文档矩阵 LRM-2760 – 文档矩阵更改 - RDL - 添加多个晋升 DOC 类型 LRM-3157 – 文档矩阵更改 - 弃用 DOC 类型 ASG INCENT PAY LRM-3195 – 文档矩阵更改 - 更改 DA 330 的文档名称和标题 LRM-3203 – 文档矩阵更改 - 更改 DFAS BAH APPROVAL 的文档名称/标题
2016年第63号上诉中的判决
在：m/s的问题上。Orissa Power Consortium Ltd. 6-2-913/914，3 Rdl Flour Progressive Towers，Khairatabad，Hyderabad - 500004。 …上诉人与1）Odisha电力监管委员会Bidyut Niyamak Bhawan，单位 - VIII，Bhubaneswar，Odisha - 751012。 2）Gridco Ltd. 通过其董事长管理主任，奥里萨邦布巴内斯瓦尔（Janpath） - 751022。 3）PTC印度有限公司 通过其小组负责人，运营和维护，NBCC下层2楼，15，Bhikaji Cama Place，新德里 - 110066。 4）奥里萨邦政府的水资源部，通过其首席秘书，奥里萨邦的布巴内斯瓦尔 - 751001。 ….Respondent（s）Orissa Power Consortium Ltd. 6-2-913/914，3 Rdl Flour Progressive Towers，Khairatabad，Hyderabad - 500004。…上诉人与1）Odisha电力监管委员会Bidyut Niyamak Bhawan，单位 - VIII，Bhubaneswar，Odisha - 751012。2）Gridco Ltd.通过其董事长管理主任，奥里萨邦布巴内斯瓦尔（Janpath） - 751022。3）PTC印度有限公司通过其小组负责人，运营和维护，NBCC下层2楼，15，Bhikaji Cama Place，新德里 - 110066。4）奥里萨邦政府的水资源部，通过其首席秘书，奥里萨邦的布巴内斯瓦尔 - 751001。….Respondent（s）
高密度重分布层 (< 2 µm L/S) 用于 ...
近年来，半导体公司对小芯片封装表现出浓厚的兴趣，以适应人工智能和高性能计算系统等高性能应用。片上系统 (SoC) 技术将各种技术和功能块集成到单片芯片上，传统上用于创建高性能应用系统。然而，随着 SoC 设计变得越来越复杂，开发时间更长，制造成本更高。小芯片可以被认为是片上系统 (SoC) 的低成本、更快上市的替代方案。公司可以利用小芯片方法来创建系统，即采用各种技术的芯片，并利用先进的封装平台（例如基于硅或 RDL 的中介层 [1-3]）将它们集成到系统中。
汽车 eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）FOWLP 的板级可靠性
随着芯片尺寸的缩小，晶圆级封装 (WLP) 正成为一种有吸引力的封装技术，与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出晶圆级封装 (FOWLP) 设计的进步，这种先进技术已被证明是一种比扇入 WLP 更理想、更有前景的解决方案，因为它具有更大的设计灵活性，具有更多的输入/输出 (I/O) 和更好的热性能。此外，与倒装芯片封装相比，FOWLP 具有更短、更简单的互连，具有卓越的高频性能。eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）是一种 FOWLP，可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用。它还可能发展成各种配置，并基于超过 8 年的大批量生产，具有经过验证的产量和制造经验。本文讨论了 eWLB 在汽车应用中的强大板级可靠性性能方面的最新进展。将回顾一项实验设计 (DOE) 研究，该研究通过实验结果证明了改进的板内温度循环 (TCoB) 性能。我们计划进行多项 DOE 研究，并准备了测试载体，变量包括焊料材料、阻焊层开口/再分布层 (RDL) 设计的铜焊盘尺寸、铜 (Cu) RDL 厚度和凸块下金属化 (UBM) 以及印刷电路板 (PCB) 上的铜焊盘设计 (NSMD、SMD)。通过这些参数研究和 TCoB 可靠性测试，测试载体通过了 1000 次温度循环 (TC)。菊花链测试载体用于在行业标准测试条件下测试 TCoB 可靠性性能。
设计和演示玻璃面板嵌入3D系统包装的异源集成应用
摘要 - 本文展示了一种下一代高性能3D包装技术，其外形较小，出色的电性能以及异质整合的可靠性。高密度逻辑记忆集成主要是使用插入器建造的，这些插入器从根本上受到限制的组装螺距和互连长度有限，并且随着包装尺寸的增加，它们也具有范围。另一方面，高频应用继续使用层压板，这些层压板也受到包装大小和集成许多组件的能力的限制。Wafer级风扇外（WLFO）包装承诺以较低的成本以较低的成本进行更好的表现和外形，但是当前的WLFO包装是基于模具的，因此仅限于小包装。本文提出了使用玻璃面板嵌入（GPE）的3D包装技术，以实现高性能，并具有大型体型异质整合应用的潜力。玻璃热膨胀的可量身定制系数允许大型GPE包装的可靠直接板连接，这不仅使外形速度和信号速度有益，而且还为动力传递提供了根本的好处。与插入器和硅桥不同，GPE软件包不是颠簸限制的，并且可以支持与后端的I/O密度，而硅状的重新分布接线则以较低的成本为单位。本文描述了3D GPE的制造过程，从而在40- m m i/o处使用芯片嵌入具有300- m m音高的TGV的芯片，从而导致技术的固定，从而启用双层RDL和芯片，以实现三个级别的设备集成。通过参数过程改进来解决当前有机WLFO包装等基本限制，以及较差的尺寸稳定性，以将模具转移降低到<2 m m，同时还可以改善3D包装的粉丝范围内的RDL表面平面性，以改善高产量的细线结构，并通过玻璃（TGV通过玻璃（TGV）集成）。
wlcsp 焊点的电迁移性能 - PEP
摘要 在高温和大电流条件下测试了晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 组件。在焊料/凸块下金属化 (UBM) 界面处观察到电迁移损坏以及加速扩散和金属间化合物生长。最终电气故障通常是由于 UBM 附近的再分布线 (RDL) 中产生空隙而发生的。温度升高、电流密度增加和 RDL 走线宽度减小会导致故障率增加。Ni UBM 焊盘和 Cu 柱结构的性能均优于 Cu UBM 焊盘。根据实验数据和其他已发表数据开发了基于 Black 方程的故障模型。然后使用该模型根据代表性现场使用条件制定加速测试和鉴定测试的推荐指南。关键词：WLCSP、电迁移。引言由于 WLCSP 外形小巧，已成为便携式产品应用中使用的 RF 降压转换器、相机闪光灯驱动器、背光驱动器和模拟开关等设备的流行封装。这些器件需要通过 BGA 焊点传输高达 2A 或更高的电流。由于电迁移导致的现场故障是限制给定器件最大额定电流的一个潜在因素。倒装芯片和 WLCSP 焊点中的电迁移故障是由于高电流密度驱动的扩散和金属间化合物反应在高温下加速而发生的 [1-34]。这些影响会产生空洞，这些空洞会随着时间的推移而打开和增长。随着空洞尺寸的增加，通过焊点的电阻会增加，最终出现开路。在大多数电迁移研究中，使用电流密度和温度的测试矩阵来比较设计或材料变量。测试通常会持续到给定支路中至少一半的单元发生故障，以便数据可以拟合对数正态分布或威布尔分布。一个典型目标是确定故障预测模型的常数，例如 Black 方程 [27]。
逻辑和记忆chiplets的玻璃插座器集成
一种有前途的方法来提高今天和明天的高度复杂系统的产量，就是将系统分配到“ chiplets” [1]中。将集成这些芯片以形成整体系统。取决于物理配置，存在两种类型的chiplet集成：2.5-d interposer和3D堆叠。2.5-D集成已成为一种吸引人的选择，因为它允许在具有不同技术节点（异质集成）的插入器上集成多个现成的芯片或智力属性（IPS）。在2.5-D中，芯片在插头包装的顶部并排放置，如图1（a）所示。此外，它们是通过被动间插座底物上的重新分布层（RDL）连接的，该金属层在chiplet之间提供侧向连接，并从外部源分布功率。常见的插入器包装材料是硅，有机和玻璃。