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个人简历
标题 资助机构 年份 参与 硅中的氢 INTAS, 1 93-622 1993–1996 合作者 硅中辐射缺陷处的激子 RFBR, 2 99-02-16652 1999–2002 — ′′ — 硅中的空位复合体 RFBR, 02-02-16030 2002–2005 — ′′ — 金属/半导体界面上的表面增强拉曼散射 (SERS) DFG, 3 436 RUS 17/86/02 2002–2003 首席研究员 硅中紧密 Frenkel 对的检测 DFG, 463 RUS 17/22/06 2006 — ′′ — 半导体中氢分子的性质 DFG, WE 1319/14 2004–2007 同事
Spice Compact BJT，MOSFET和JFET模型在宽温度范围内（从-200°C到+300°C）
2019年12月1日收到的手稿；修订了2020年2月26日和2020年4月19日； 2020年6月8日接受。出版日期，2020年6月30日；当前版本的日期，2021年3月19日。根据Grant TZ-94，国家研究大学高等教育学院的基础研究计划为这项工作提供了支持；俄罗斯基础研究基金会的一部分是赠款18-07-00898；部分由RFBR和NSFC在项目20-57-53004下。本文由副编辑N. Wong推荐。（通讯作者：Konstantin O.石化。）Konstantin O. Petrosyants and Lev M. Sambursky are with the National Research University “Higher School of Economics,” Moscow Institute of Electronics and Mathematics, Moscow 101000, Russia, and also with the Institute for Design Problems in Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow 124365, Russia (e-mail: kpetrosyants@hse.ru).Maxim V. Kozhukhov，Mamed R. Ismail-Zade和Igor A. Kharitonov在莫斯科电子和数学研究所，莫斯科101000，俄罗斯，莫斯科电子和数学研究所。bo li是在中国科学院的微电子学研究所，中国北京100029。数字对象标识10.1109/tcad.2020.3006044