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SPIE 会议纪要
光子生物传感器的制造是在 200 毫米绝缘体上硅技术平台上实现的。虽然光子生物传感器是从晶圆顶部构造的，但微流体通道是通过背面释放工艺局部引入的，该工艺结合了干湿蚀刻。对于 760 µ m 厚的硅基板的局部背面蚀刻，采用了深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺和硬掩模，二氧化硅与硅的选择性非常高（SiO2:Si 选择性为 1:200）。这保证了对埋层氧化物 (BOX) 的严格控制。我们选择了 RIE 和湿蚀刻的组合来去除 BOX，因为如果仅使用 RIE，波导结构可能会受损。纯化学湿蚀刻的缺点是由于 BOX 的蚀刻速率低，工艺时间延长。图 1 a 显示了制造的光子传感器芯片。可以在其他地方找到制造过程的全面描述。7 – 9
二维氧化物纳米片种子层对化学溶液沉积制备（100）BiFeO3 薄膜生长的影响
V. Bouquet、F. Baudouin、Valérie Demange、S. Députier、Sophie Ollivier 等人。二维氧化物纳米片种子层对化学溶液沉积合成的 (100)BiFeO3 薄膜生长的影响。《薄膜固体》，2020 年，E-MRS 氧化物薄膜 VII，693，第 137687 页。�10.1016/j.tsf.2019.137687�。�hal-02378433�
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
经合组织过渡金融指南
此外，该指南受益于通过经合组织的过渡融资调查收集的数据。作者感谢ValérieGuillaumin（国际资本市场协会），Jelena Macura（欧洲化学工业委员会），Elke Pfeiffer（负责投资的原则），玛格丽塔·皮罗夫斯卡（Margarita Pirovska）（负责任的投资原则）和日本政府在散布调查方面的支持。The authors would also like to thank Valérie Guillaumin (International Capital Markets Association), Jelena Macura (European Chemical Industry Council), Elke Pfeiffer (Principles for Responsible Investment), Yukimi Shimura (MUFG Bank), and Maarten Vleeschhouwer, as well as Dirk Röttgers from the OECD Centre for Tax Policy and Administration, Mohammed Saffar, Jolien OECD环境局的Noels和Marijn Korndewal对调查设计的反馈。
