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生物技术创新者
Nagendra K Singh教授基因组基金会主席和J.C. Bose National院士，ICAR-National植物生物技术研究所，PUSA校园，新德里教授Dinesh Raj Modi教授，Dinesh Raj Modi教授，BBAU，BBAU，BBAU，LUCCNOW教授Jagtar Singh Singh of Sunig keordechnologic of Suniil Kiotechnologar，Bbau教授Khare主任，加尔各答，加尔各答教授Vinod Kumar Nigam教授生物工程与生物技术系Birla Birla Technology，Mesra，Mesra，Mesra，Ranchi Wamik Azmi教授生物技术系喜马拉研究萨兰吉（Sarangi）前高级科学家CSIR-NEERI，NAGPUR，NAVEEN CHANDRA BHIST科学家，国家植物基因组研究所，新德里，Ramwant Gupta博士，Deen Dayal upadhyaya Gorakhpur University，Gorakhpur University，gorakhpur kumar（Uttrany）的植物学系植物学系植物学系副教授。勒克瑙（Lucknow），勒克瑙北方邦（Lucknow uttar PradeshNagendra K Singh教授基因组基金会主席和J.C. Bose National院士，ICAR-National植物生物技术研究所，PUSA校园，新德里教授Dinesh Raj Modi教授，Dinesh Raj Modi教授，BBAU，BBAU，BBAU，LUCCNOW教授Jagtar Singh Singh of Sunig keordechnologic of Suniil Kiotechnologar，Bbau教授Khare主任，加尔各答，加尔各答教授Vinod Kumar Nigam教授生物工程与生物技术系Birla Birla Technology，Mesra，Mesra，Mesra，Ranchi Wamik Azmi教授生物技术系喜马拉研究萨兰吉（Sarangi）前高级科学家CSIR-NEERI，NAGPUR，NAVEEN CHANDRA BHIST科学家，国家植物基因组研究所，新德里，Ramwant Gupta博士，Deen Dayal upadhyaya Gorakhpur University，Gorakhpur University，gorakhpur kumar（Uttrany）的植物学系植物学系植物学系副教授。勒克瑙（Lucknow），勒克瑙北方邦（Lucknow uttar Pradesh
有机光电二极管中超低暗电流的来源识别
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件： rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
CAMB-5110-Syllabus-2024.pdf
课程教师：Juan Alvarez，Juan.alvarez@pennmedicine.upen.upen.edu Montserrat Anguish Anguish anguish@vet.upen.upen.edu Joel Boetckel，boetckel@pennmedicine.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.up dan.up kesser.up kesspern.up，kpern.up，kpern.up， klein，pklein@pennmedicine.upen.upen.edu chris lengner，lengner@vet.upen.upen.edu mustafa mir，mirm@chop.edu andrew andrew andrew andrew andus and amodz@vet.upenn.upenn.upen.upen.upen.upen.edu fayeeemerkioti plachta，nicolas.plachta@pennmedicine.upen.upen.edu bushra raj，bushra.raj@pennmedicine.upen.upen.upen.upen.upen.edu Meera，星期日，周日Wenli Yang，@Penmadicine.upenn.upenn.edu课程教师：Juan Alvarez，Juan.alvarez@pennmedicine.upen.upen.edu Montserrat Anguish Anguish anguish@vet.upen.upen.edu Joel Boetckel，boetckel@pennmedicine.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.upen.up dan.up kesser.up kesspern.up，kpern.up，kpern.up， klein，pklein@pennmedicine.upen.upen.edu chris lengner，lengner@vet.upen.upen.edu mustafa mir，mirm@chop.edu andrew andrew andrew andrew andus and amodz@vet.upenn.upenn.upen.upen.upen.upen.edu fayeeemerkioti plachta，nicolas.plachta@pennmedicine.upen.upen.edu bushra raj，bushra.raj@pennmedicine.upen.upen.upen.upen.upen.edu Meera，星期日，周日Wenli Yang，@Penmadicine.upenn.upenn.edu
基于滑模控制方法的无模型控制算法及其在无人机系统中的应用
推荐引用 推荐引用 Kadungoth Sreeraj，Adarsh Raj，“基于滑模控制方法的无模型控制算法及其在无人机系统中的应用”（2019 年）。论文。罗彻斯特理工学院。访问自
Sudhansu Kumar Pati 博士- 硅谷科技学院
栅极金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管 (DG MOS-HFET)”，超晶格和微结构 - ELSEVIER Publishers，第 55 卷，第 8-15 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.12.002（SCI 影响因子 2.12）3. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“一种提取具有 NQS 效应的非对称 DG MOSFET 的 RF 参数的新方法”，半导体杂志- IOP Publishers，第 55 卷34，第 2 期，第 1-5 页，2013 年 11 月。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674-4926/34/11/114002（SCI - 影响因子 1.18）4. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“体和氧化物厚度变化对下重叠 DG- MOSFET 模拟和 RF 性能的影响研究”，Microelectronics Reliability-Elsevier Publishers，Vol. 54，第 6-7 期，第 1137-1142 页，2014 年。ISSN：0026-2714，DOI：10.1016/j.microrel.2014.02.008 5. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“欠重叠和栅极长度对 AlInN/GaN 欠重叠 MOSFET 器件性能的影响”，半导体杂志，IOP Science publishers，第 54 卷。 33, No. 12, 2012 年，第 1-7 页。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674- 4926/33/12/124001（SCI-影响因子 1.18） 6. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“研究 III-V 异质结构欠重叠 DG MOSFET 中栅极错位、栅极偏置和欠重叠长度导致的不对称效应”，Physica E：低维系统和纳米结构，Elsevier，Vol. 46，第 61-67 页，2012 年。ISSN：1386-9477，DOI：10.1016/j.physe.2012.09.011（SCI 影响因子 3.57） 7. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“III-V 异质结构与硅底搭接双栅极 MOSFET 的比较评估”，半导体，Springer，第 46 卷。 46，第 10 期，2012 年，第 1299–1303 页。ISSN：1090-6479，DOI：10.1134/S1063782612100119（SCI - 影响因子 0.641） 8. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于物理的 AlGaN/GaN HEMT 器件电荷和漏极电流模型”，Journal of Electron Devices，Vol. 14，第 1155-1160 页，2012 年。ISSN：1682-3427 9. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于极化的电荷密度漏极电流和纳米级 AlInGaN/AlN/GaN HEMT 器件的小信号模型”，超晶格和微结构，Elsevier，Vol. 54，第 188-203 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.11.020（SCI 影响因子 2.12） 10. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“势垒厚度对 AlInN/GaN 下重叠 DG MOSFET 器件性能的影响”，超晶格与微结构，Elsevier，第 60 卷，第 47-59 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2013.04.015（SCI 影响因子 2.12）
+91-512-259 6997
2024 年 7 月 25 日——部门1. 220008. AADITYA RAJ YADAV。物理。电子电气。微电子学\数字系统。 2. 220012. 阿拉夫·阿里阿曼。我。电子电气。控制。 3. 220031. 阿比吉特·辛格·乔哈里。我。
圣心学院
同样，D. Maria Antony Raj 牧师博士（SDB）也获得了一段关于他生平和事工的视频演示。K. Parthiba-raja 博士和 Pramila Thomas 女士分别代表教职员工、学生和家庭致以祝贺。D. Maria Antony Raj 牧师博士（SDB）在回应中对大家对他的爱和支持表示衷心的感谢。Shift I 的学生以一场充满活力的舞蹈表演结束了节目，为活动增添了欢庆的气氛。Shift-I 副校长 G. Theophil Anand 牧师博士（SDB）致谢，感谢所有为活动成功做出贡献的人。节目在学院合唱团演唱的圣母玛利亚赞美诗中结束，为活动增添了虔诚的气氛。随后举行了联谊餐会，学生、教职员工、非教学人员、祝福者、朋友和庆典者的家人齐聚一堂，营造了庆祝节日的团结欢乐精神。
MMU 出版物 - MMU，穆拉纳
Gidugu Venkata Ramdas、Sumit Gupta、Raj Kumar Arion、Amit Mittal、Rikki Singal 磁共振成像在区分椎体塌陷良恶性原因中的作用 2016 国际外科和外科科学杂志 4 3 55 60
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