• 设计和控制高维脑机接口 • 将仿生控制算法应用于假肢和康复 • 运动控制和运动障碍建模 教育 • 匹兹堡大学电气工程博士学位,宾夕法尼亚州匹兹堡(2008 年 8 月)。论文导师:毛志宏博士,匹兹堡大学电气工程教授。论文题目:人手控制和协调的降维。 • 维拉诺瓦大学电气工程硕士学位,宾夕法尼亚州维拉诺瓦(2004 年 8 月)。论文导师:Pritpal Singh 博士,维拉诺瓦大学电气工程教授。论文题目:用于便携式除颤器的锂离子电池充电状态计的设计和实现。 • 印度卡卡蒂亚大学电气与电子工程学士学位(2002 年 5 月)。 专业经历
1。Venkata Ramana P,Anirudh Korkonda Bhattar,Raghavendra Varma G,Shashikanth P和Varun Krishna K,在直立赛车,国际材料科学和制造工程的国际赛车中拓扑优化组件的分析优化组件 - ICMSME'21,ICMSME'21,SRI SRI SHAKTHI INTERTION –SRIIND INTERITE,cOIM emnemering osering osering osering ofering osering osering osering osering osering and tam osering osering and tam of eymering and tam of tam y osering and tam n. 2021年12月。
“ Kartavya Bodh Divas”是一个平台,使教育者有效地履行其职责所需的见解和工具。该活动对所有与会者都产生了深远的影响,从而增强了他们致力于促进学生的学术卓越和整体发展的承诺。管理层对V. Venkata Ramana先生的宝贵贡献以及所有参与者的热情参与表示衷心的感谢。
Ramana Pidaparti 博士,工程学院委员会主席 Karla Mossi 博士,工程学院 Manu Mital 博士,工程学院 Mohamed Gad-el-Hak 博士,工程学院机械工程系主任 Rosalyn S. Hobson 博士,工程学院研究生院副院长 Russell D. Jamison 博士,工程学院院长 F. Douglas Boudinot 博士,研究生院院长 日期
模块5:应用统计(8小时)随机抽样,参数估计,最大似然估计,置信区间。回归和相关分析:直线的拟合(避免正方形的方法),与基本属性相关系数。教科书:1。E. Kreyszig的高级工程数学,John Willey&Sons Inc.第10版。2。Ronald E. Walpole,Raymond H. Myers,Sharon L. Myers&Keying Ye,“工程师与科学家的概率与统计数据”,第八版,2007年,新德里Pearson Education Inc.。 参考书:1。 J. Sinha Roy和S. Padhy,Kalyani出版商的普通和部分微分方程。 2。 B. V. Ramana的高级工程数学,McGraw Hill Education。 3。 PAL和S. Bhunia的工程数学,牛津出版物。 随机过程,Roy D. Yates,Rutgers和David J. Goodman,John Wiley and Sons,Inc。Ronald E. Walpole,Raymond H. Myers,Sharon L. Myers&Keying Ye,“工程师与科学家的概率与统计数据”,第八版,2007年,新德里Pearson Education Inc.。参考书:1。J. Sinha Roy和S. Padhy,Kalyani出版商的普通和部分微分方程。2。B. V. Ramana的高级工程数学,McGraw Hill Education。3。PAL和S. Bhunia的工程数学,牛津出版物。随机过程,Roy D. Yates,Rutgers和David J. Goodman,John Wiley and Sons,Inc。
∗伯恩斯坦:sbernstein@hbs.edu。Townsend:rrtownsend@ucsd.edu。 XU:xut@darden.virginia.edu。 我们感谢Kunal Mehta的数据帮助。 We are grateful for helpful comments from Paul Gompers, Issac Hacamo, Jessica Jeffers, Song Ma, David Matsa, Ramana Nanda, Paige Ouimet, Sergio Salgado, Antoinette Schoar, Elena Simintzi, Chris Stanton, and seminar participants at NBER Entrepreneurship, RCFS Winter Conference, SFS Cavalcade, MFA, FOM虚拟公司金融研讨会,初级企业家/创新午餐小组,初级企业金融研讨会,LSE,Rochester,Rochester,Illinois Chicago,Indiana,Indiana(Kelley),HBS,HBS,Havard Law School,Havard Law School,Uva Darden和Virginia Tech。Townsend:rrtownsend@ucsd.edu。XU:xut@darden.virginia.edu。我们感谢Kunal Mehta的数据帮助。We are grateful for helpful comments from Paul Gompers, Issac Hacamo, Jessica Jeffers, Song Ma, David Matsa, Ramana Nanda, Paige Ouimet, Sergio Salgado, Antoinette Schoar, Elena Simintzi, Chris Stanton, and seminar participants at NBER Entrepreneurship, RCFS Winter Conference, SFS Cavalcade, MFA, FOM虚拟公司金融研讨会,初级企业家/创新午餐小组,初级企业金融研讨会,LSE,Rochester,Rochester,Illinois Chicago,Indiana,Indiana(Kelley),HBS,HBS,Havard Law School,Havard Law School,Uva Darden和Virginia Tech。
阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1)、阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2)、法国艾克斯马赛大学 (3) doi:10.15199/48.2024.04.31 使用拉曼光谱和遗传算法优化退火后的 SiGe DPSi 异质结构,以增强材料特性和性能 摘要:在我们之前的调查中,我们通过拉曼光谱深入研究了双多孔硅 (DPSi) 上 SiGe 合金的复杂性,揭示了拉曼峰移、应力和多孔材料中 SiGe 合金中 Ge 浓度之间以前未知的联系。这项研究的突出特点在于其独特的方法——使用遗传算法比较结果。该方法对数据进行了全面的分析,增强了我们对其中复杂关系的理解。通过频率法验证,我们的结果为 DPSi 上的外延生长提供了宝贵的见解,为拉曼光谱、应力和合金成分之间错综复杂的相互作用提供了细致入微的视角。这些发现不仅有助于加深对 SiGe 合金的理解,还为 DPSi Streszczenie 等创新基板上的外延生长领域的进一步发展铺平了道路。 W naszym poprzednim badaniu zagłębiliśmy się w zawiłości stopów SiGe na podwójnie porowatym krzemie (DPSi) za pomocą spektroskopii Ramana, odkrywając nieznane wcześniej powiązania między拉玛纳 (Ramana) 和拉玛纳 (Ramana) 的产品均采用了 SiGe 和材料。 Cechą tego badania 开玩笑 odrębność podejścia — porównanie wyników z wykorzystaniem algorytmugenetycznego。方法是通过分析仪器来分析、分析和分析。 Nasze wyniki、potwierdzone methodą częstotliwości、dostarczają cennych informacji na temat wzrostu epitaksjalnego na DPSi、prezentując zniuansowaną perspektywę na skomplikowane wzajemne oddziaływanie między spektroskopią Ramana, naprężeniem i składem stopu。 Odkrycia te nie tylko przyczyniają się do lepszego zrozumienia stopów SiGe, ale także torują drogę do dalszych postępów w dziedzinie wzrostu epitaksjalnego na innowacyjnych podłożach, takich jak DPSi ( Optymalizacja 异质结构 DPSi wyżarzonych SiGe przy użyciu spektroskopii Ramana 和 algorytmu Genetycznego w celu uzyskania lepszej charakterystyki i wydajności materiałów ) 关键词:双多孔硅、拉曼光谱、遗传算法。关键词:多孔硅、光谱仪、算法。1. 简介 最近的技术进步凸显了减小器件尺寸和提高性能的重要性。因此,越来越需要控制结构中的应力并了解其来源。一种新兴且有前景的策略是采用柔性衬底,其中多孔硅 (PSi) 因其公认的灵活性而脱颖而出 [1, 5]。PSi 的柔韧性和柔韧性使其能够熟练地吸收 SiGe 异质外延膜引起的应力变化,这主要归功于其较高的孔密度。它与硅基微电子学的完美契合和高成本效益为将各种超轴系统(如 III-V 或 SiGe)整合到硅衬底上开辟了新的机会 [6, 7]。最近,双多孔硅 (DPSi) 已成为柔性衬底竞争中的突出候选者,特别是用于在 Si 上的异质系统(如 III-V 和 SiGe)的外延生长 [8]。双多孔硅 (DPSi) 结构由具有密封孔的超薄、原子级平坦上层和厚的、高度多孔的下层组成。然而,在该 DPSi 层上实现 SiGe 和 Ge 的低温外延的努力导致了不均匀外延层的形成,其特征是存在扩展缺陷。[9, 10]。然而,对 DPSi 层进行热处理会引起显著的形态变化,将小孔转变为大孔,同时产生拉伸应变,正如我们之前的研究 [1] 所记录的那样。这种伪衬底具有两个显着的特性:它具有高度的柔韧性和可承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统开辟了可能性。本研究深入探索退火 DPSi 作为应力模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性,能够承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性,能够承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层
NV Ramana Rao 教授(博士) 印度国家理工学院赖布尔分校院长 研究领域:土木与结构工程、可持续建筑材料开发 论文标题:《混凝土和可持续建筑材料的最新进展》 Bonya Mukharjee 女士,印度比莱钢铁厂能源管理部总经理,SAIL,比莱 研究领域:综合钢厂的能源核算和能源审计 论文标题:《应对钢铁行业环境影响的新兴技术》 GL Devnani 博士,印度北方邦坎普尔 HBTU 化学工程系教授 研究领域:天然纤维增强聚合物复合材料 论文标题:《基于环境友好的天然纤维的绿色复合材料:可持续发展的未来材料》
我们感谢 Kunal Mehta 提供的数据帮助。我们感谢 Paul Gompers、Issac Hacamo、Jessica Jeffers、Song Ma、David Matsa、Ramana Nanda、Paige Ouimet、Sergio Salgado、Antoinette Schoar、Elena Simintzi、Chris Stanton 以及 NBER 创业、RCFS 冬季会议、SFS Cavalcade、MFA、FOM 虚拟公司金融研讨会、初级创业金融/创新午餐小组、初级公司金融研讨会、伦敦政治经济学院、罗切斯特、伊利诺伊大学芝加哥分校、印第安纳州(凯利)、哈佛商学院、哈佛法学院、UVA Darden 和弗吉尼亚理工大学的研讨会参与者提供的有益评论。本文表达的观点为作者的观点,并不一定反映美国国家经济研究局的观点。
他们(ILO),Alina Cheras(Who),Chiao-Ling),Chomen),Jenny Cressell),Marine Dutzeneberg(IPU),Ramana Emany(Un Wmen),James),Donamy; Sophie Guy (WHO), Taylo Hana (Pardee), Calur (UUN AUN), Monsbeul (USHAID), FANAD), JeNAS (NUN), Leah Cuncloglo (UNTTID (UNTUD) Feuvre (WIPO), Tuesday Lazic (OCHR (OUCHR), Stephen Leelli), Speak Leonvivoc Lecvivic (UN Woming), Aviscll Leaccin(Ilo McWo),Nath Morty Moran(Who),Widid Ben Moussa(Nuctad),Jothan Moyer(Necation),Nassav(UNCTAD),Robert Prophet)。 (联合国WONMEN),SassañoSassao的意思(Nun Wommen),E Polechuk(UNEP),LucasRamónMurray(Ilga),Colleen Murray(Uniceff),Uililepmomo(Uililelepmomo(Uililepmomo(Unilepmomomo)) Wen),Yem Sumi(Who),(粮农组织)和丽莎·威廉姆斯(Lisa Williams)(经合组织)