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Weebit Nano
ReRAM 在新兴 NVM 中占据领先地位 在之前的研究报告（可在此处查阅）中，我们讨论了 ReRAM 如何优于现有的闪存技术以及其他竞争的新兴非易失性存储器 (NVM) 技术，这些技术正在争夺闪存的份额。电子设备需要一种能够在越来越小的工艺尺寸下提供卓越性能的技术，同时将增量成本降至最低，而 WBT 的 ReRAM 恰恰具备这种优势。去年，台积电宣布将使用 ReRAM，这进一步凸显了 ReRAM 的重要性，人们猜测 ReRAM 正用于当今的电子设备，包括 Apple 的最新款 iPhone。台积电的竞争对手（如 UMC 和 GlobalFoundries）几乎没有可行的 ReRAM 替代品，但似乎没有哪一种是可供其他代工厂和 IDM 使用的独立产品。开发路线图是一个三级火箭 WBT 的 ReRAM 技术的初始应用将用于嵌入式存储器，其中 SoC（片上系统）需要板载 NVM。嵌入式 ReRAM 目前正在通过 SkyWater 进行商业化，并且还应通过与一级代工厂的许可协议进行扩展。第二阶段是分立（或独立）ReRAM，即独立内存芯片。WBT 正在研究两种变体；带有和不带有高级选择器的变体。较大阵列中的 ReRAM 需要高级选择器，而较小容量的 ReRAM 芯片可以使用现有的简单晶体管作为选择器进行管理。我们预计分立 ReRAM 芯片将在未来几年内上市，首先从较小容量的芯片开始。第三阶段是将 ReRAM 应用于神经形态处理，例如使用脉冲神经网络，但这是公司的一个长期项目。估值为每股 9.56 澳元我们之前对 WBT 的估值为 6.10 澳元，现已达到并超过该估值。考虑到该公司在 2023 年迄今取得的进展以及 2023 年剩余时间和 2024 年的预期新闻流，我们认为 WBT 与 eMemory 等同行的估值差距可能会在未来 12 个月内缩小。基于此，我们认为 WBT 的估值应为每股 9.56 澳元，这意味着比当前股价有 43% 的上涨空间。请参阅第 16 页的主要投资风险。
与 Efabless 合作 - Weebit Nano
与 Efabless 合作 股价：2.30 澳元 Weebit Nano (ASX:WBT) 宣布与位于加利福尼亚州帕洛阿尔托的芯片设计服务公司 Efabless 达成合作协议。eFabless 使用 Efabless 的设计和工作流工具以及其 IP 库帮助其客户将他们的产品创意融入芯片设计中。随后，可以使用 SkyWater 的 S130 工艺进行小批量生产。 这笔交易可能推动 ReRAM 集成势头 Efabless 的模型允许快速对新产品创意进行原型设计。如果 ReRAM 包含在设计中，Weebit Nano 最初将获得一小笔费用，如果芯片投入量产，芯片设计师将需要与 Weebit Nano 签订完整的许可协议。因此，虽然此次合作最初不太可能带来大笔收入，但我们相信，SkyWater 更容易的原型设计可能会为 Weebit Nano 在将 ReRAM 集成到新芯片设计方面提供一些动力。而且，它可能为该公司提供进入可能尚未谈及的科技公司的途径。剖析 Weebit Nano 的潜在客户名单
界面工程对低功率应用的 MgO 基电阻开关器件的影响
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明，由于加入了 Al 2 O 3 插入层，主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比，MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行（降低 50.6%）和更好的开关均匀性，具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制，从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明，开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性，从而可以实现低功耗应用。
Onmi Deal是最大的| weebit nano
Onmi Deal是最大的股价：2025年1月2日的3.21美元，Weebit Nano（ASX：WBT）宣布了其RERAM技术的第三次许可证，在这种情况下，美国芯片制造商Onsemi（NASDAQ：ON）计划在其Treo平台上使用该技术。我们认为，这项许可协议可能是Weebit Nano的大笔交易。Onmi在2023年产生了83亿美元的收入，是迄今为止Weebit Nano当前三位客户中最大的收入。该公司已上市，市值为270亿美元。与Treo平台Onsemi的巨大野心旨在将Weebit Nano的Reram集成到其TREO平台中，以用于模拟和混合信号应用，例如用于电源管理，传感器接口和通信设备的芯片。这些在汽车，工厂自动化，机器人技术和医疗保健等领域最终使用。Onsemi的野心是到2030年，Treo平台的收入为10亿美元，主要来自汽车，工业和人工智能部门。
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
实验和仿真研究：RRAM中的切换
摘要：已经研究了非易失性存储器电阻随机记忆（RERAM）的未来应用。reram由于其简单的结构，低压，快速切换速率，高密度堆积以及易于集成到CMOS处理中，引起了很大的兴趣。已被证明是过渡金属氧化物。由于其Fab-Frignstriments和10的介电常数为10，ZnO是几种最有前途的材料之一。AW（Electerode）/ZnO/ITO是在这项研究中使用多人模拟软件在这项研究中构建和模拟的。重新拉氏素的设计均具有对称和不对称的金属连接。研究了各种设备的当前伏特型热性能以及基础过程。也进行了AFM，SEM和RBS的分析。在ON状态期间，确实注意到，导热率较低的金属损失较小，从而产生高温。在W（Electrode）/ZnO/ITO设备中实现了通过压力接触测量的W（Electrode）/ZnO/ITO设备。也获得了1.3x10 5的电阻率，以出色的内存窗口性能证明了设备的弹性。因此，开发了系统并将其与模拟设备进行比较。
脑启发计算 - NSF-PAR
摘要 — 本次特别会议论文的目标是介绍和讨论不同的突破性技术以及新颖的架构，以及它们如何共同重塑人工智能的未来。我们的目标是全面概述受脑启发计算的最新进展，以及当使用超 CMOS 设备的新兴技术与超越冯诺依曼架构的新型计算范式相结合时，如何实现后者。我们讨论了铁电场效应晶体管 (FeFET)、相变存储器 (PCM) 和电阻式 RAM (ReRAM) 等不同的新兴技术，展示了它们在构建受自然启发的神经形态计算架构方面的良好能力。此外，本特别会议论文还讨论了各种新概念，如内存逻辑 (LIM)、内存处理 (PIM) 和脉冲神经网络 (SNN)，以探索超越冯诺依曼计算对加速深度学习的深远影响。最后，将脑启发计算的最新趋势总结为算法、技术和应用驱动的创新，以比较不同的 PIM 架构。索引词 —FeFET、PCM、ReRAM、光子、神经形态、DNN、SNN、内存处理、新兴技术
吉尔德的技术报告01/06/2025 -WEEBIT NANO
最大的宣布是本周的《半导体》（On Semiconductor）（ON），这是一名耗资70亿美元的年收入领导者，用于混合信号半导体，用于汽车和工业部门的感应和功率控制功能。将将Weebit的Reram IP集成到该公司最先进的模拟和混合信号平台中。尽管Weebit去年在技术上成为了收入后，登录了一百万美元的澳元，但这是其第一个大联盟收入机会，一些分析师预计该公司将在2026年获得3000万美元。如果发生这种情况，公司应该陷入黑色。
yoav nissan-cohen向非执行董事的转变
2024年7月31日 - Weebit Nano Limited（ASX：WBT，Weebit或Company）是全球半导体行业高级记忆技术的主要开发商，建议执行董事Yoav Nissan-Cohen将过渡到非执行董事角色，从2024年8月1日起在非执行董事的角色。主席Dadi Perlmutter主席表示：“ Yoav在过去的六年中，Yoav的广泛行业经验对Weebit的形成性执行团队来说是无价的。他的深厚技术和战略建议在塑造Weebit的早期，有助于定义公司的战略方向，发展和成熟技术，建立最初的商业关系并为团队聘请顶级行政人才。鉴于Weebit的执行领导团队的质量现在已经到位了，Yoav的时机是正确的。“代表Weebit的董事会和管理层，我感谢Yoav对公司的重要贡献，我们期待保留他作为非执行董事的非挥发记忆专业知识。” -ends-由Weebit Nano Limited董事会授权发布。For further information please contact: Investors Media – Australia Eric Kuret, Automic Markets Tristan Everett, Automic Markets P: +61 417 311 335 P: +61 403 789 096 E: eric.kuret@automicgroup.com.au E: tristan.everett@automicgroup.com.au About Weebit Nano Limited Weebit Nano Limited is a leading高级半导体内存技术的开发人员。WEEBIT的RERAM允许半导体内存元素比使用现有闪存解决方案的速度明显更快，更便宜，更可靠，更节能。该公司的开创性电阻RAM（RERAM）解决了在一系列新电子产品（例如物联网（IoT）设备，智能手机，机器人，自动驾驶汽车，5G通信和人工智能）等新电子产品中，对越来越高的性能和较低功率记忆解决方案的需求。，由于它基于Fab友好的材料，因此WEEBIT RERAM可以比其他新兴技术更快，更容易地集成在现有的流量和过程中，而无需特殊设备或大型投资。参见：www.weebit-nano.com Weebit Nano和Weebit Nano徽标是美国和其他国家 /地区Weebit Nano Ltd.的商标或注册商标。其他公司，产品和服务名称可能是商标或服务标记。
通过间隔者有效控制细丝效率...
基于电阻转换（RS）效应的非挥发性存储设备由于其出色的特征性（例如良好的尺寸可伸缩性和较小的操作电压）而被认为是未来内存应用的最有前途的技术。RS效应基于在涂在电极上的电压下安装在金属电极之间的介电膜中的导电膜（CF）的生长[1，2]。虽然HFO 2是重新拉统设备的最广泛研究的电介质之一[3]，但交替分层的纳米材料引起了人们的兴趣[4]，因为筛选了介电层最适当的材料组合是Reram Fabrication的介电层的最佳组合。在以前进行的几项作品中，HFO 2 -AL 2 O 3纤维与单个HFO 2和Al 2 O 3薄膜相比，已经证明了高级RS特性。电阻开关行为已在Al 2 O 3 / HFO 2 BiLayer [5，6，7]，Al 2 O 3 / HFO 2 / Al 2 O 3 Trilayer [4，7]和Pentalayer [7]结构Ald -Grown在225-250°C处，总厚度达到20 nm。在另一项研究中，Al 2 O 3 / HFO 2 / Al 2 O 3在150ºC下生长的三层，厚度为12 nm，能够证明多级切换特性[8]。周期性的HFO 2 -AL 2 O 3多层含有等量的HF和Al在250ºC时的厚度为6.5 nm [9]。然而，在后一项研究中，没有发现成分层的厚度。hf x al 1 - x o y纤维在240ºC下生长，分级填充，从而从9：1到1：4 [10]变化了HFO 2：Al 2 O 3 ALD循环比率。另一项研究表明，HFO 2 -AL 2 O 3双层的30 nm厚的纳米胺由1.2