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通过不同温度条件下的封装变形建模了解封装脱层
封装脱层是半导体封装中存在的问题之一。了解特定情况下的脱层机理对于找出根本原因和实施稳健解决方案非常重要。在本研究中，进行了封装变形建模，以分析基板或封装在不同热条件下的变形。将建模结果与存在脱层问题的封装的实际封装变形进行了比较。结果发现，通过实际横截面分析观察到的变形与回流温度条件下的建模结果相符。因此，可以得出结论，脱层发生在封装回流期间，而不是在后模固化或先前工艺之后。关键词：封装脱层；变形建模；芯片粘接膜；回流；热条件。1.引言在半导体封装中，界面脱层是一个常见问题。它是不同芯片界面之间的分离
了解加速温度曲线对无铅焊接的影响 John L. Evans、Julius Martin 和 Charles Mitchell Auburn Univers
了解加速温度曲线对无铅焊接的影响 John L. Evans、Julius Martin 和 Charles Mitchell 奥本大学 阿拉巴马州奥本大学 Bjorn Dahle KIC 热分析 加利福尼亚州圣地亚哥 摘要 由于焊膏供应商定义的峰值温度较高且助焊剂活化时间较长，因此无铅焊接的传统回流曲线通常需要更长的处理时间。当在单个电路设计中集成多种封装类型时，这些曲线变得尤为具有挑战性。在处理具有高热质量的产品设计（例如散热片和金属基板）时，难度会更大。这些设计会在整个电路组件中产生大的热梯度，并进一步增加了寻找“最佳”曲线窗口的复杂性。所有这些问题都导致无铅焊接的回流处理时间显著增加。本文探讨了无铅电子产品大批量生产所需的这些增加的处理时间。并介绍了典型工艺能力和实际生产能力的研究。该研究评估了从小型电路组件（例如手机）到大型电路组件（例如汽车和计算机）的大批量电子产品制造，并研究了一系列“最佳”回流曲线，以加速标准无铅工艺窗口，从而使用自动曲线系统实现目标制造能力。然后，使用这个定义的工艺窗口制造测试载体，并测试其质量（焊料空洞和外观）和焊点可靠性（加速寿命测试）。设计的测试载体包括来自大型物理分布的组件，包括：小型和大型 BGA、QFN 和任何类型的分立元件。在组装过程中，使用虚拟曲线记录工艺曲线窗口的任何偏差。本出版物中提供了质量和可靠性数据，并包括故障分析以确定此建议曲线的能力。采用此曲线策略后，许多制造商可以减少回流无铅电路组件的处理时间，而不会显著降低制造质量或可靠性。此外，本研究为在无铅焊接应用中使用加速曲线速度提供了合理的理解和限制。背景 无铅焊接正在快速发展，与无铅加工相关的制造问题给许多制造商带来了困难。这些困难在过去五年中已得到大量记录，包括基板和元件电镀变化、焊料润湿性和焊点特性的差异以及焊点可靠性变化。5 其中一个更重要的变化是焊接工艺温度的提高，以及这些高温对电子产品质量和加工时间的影响。特别是，焊料（例如 SnAgCu）回流温度的提高，使印刷电路板（具有正常的玻璃化转变温度，T g 为 140 O C-160 OC）暴露在超过 250 O C 的温度下，从而增加了电路板的翘曲。这种变化可能会给产品带来质量问题，尤其是如果进行双面组装加工的话。8,4 回流温度提高的另一个影响是需要延长时间以适应更高的回流温度，同时保持推荐的温度暴露。为了将峰值回流温度从标准共晶 SnPb 焊料的 220 OC - 230 OC 范围提高到 SnAgCu 的 250 OC - 260 OC 范围，推荐的回流曲线时间将显著增加。加工时间的增加将要求制造商降低回流炉的皮带速度或在制造过程中增加炉容量。对于大批量制造商来说，这两种选择都代价高昂。7,9 本研究调查了处理无铅焊接增加的回流温度的替代方法，同时将对许多大批量制造商的财务影响降至最低。本研究重点关注不使用“最佳”回流曲线和保持相同处理窗口对大批量产品的影响。（仅考虑大批量组件，因为降低炉带速度以满足推荐的处理窗口不会对小批量制造商产生重大影响）。本调查重点关注不使用“最佳”回流曲线和保持相同加工窗口对大批量产品的影响。（仅考虑大批量组件，因为降低炉带速度以满足推荐的加工窗口不会对小批量制造商产生重大影响）。本调查重点关注不使用“最佳”回流曲线和保持相同加工窗口对大批量产品的影响。（仅考虑大批量组件，因为降低炉带速度以满足推荐的加工窗口不会对小批量制造商产生重大影响）。
半导体和电子设备
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尼康“多圈绝对式编码器”采用麦克赛尔的PSB401010H全固态电池，耐环境性*1得到认可，
*1 环境耐久性：电池的工作温度范围请参阅 Maxell 全固态电池网页详情。https://biz.maxell.com/en/rechargeable_batteries/allsolidstate.html *2 绝对编码器：绝对编码器是一种传感器设备，常用于汽车生产线、机床等工业机器人。其目的是检测机械臂旋转位移和类似测量的绝对值。 *3 可通过回流焊进行表面贴装：在最高温度 245°C 下回流不会降低容量和负载特性等基本特性。
发现HIV-1逆转的潜在双靶点前药...
室温,12h; (iv) NaHCO 3 , Bu 4 N + •HSO 4 - , DCM, 室温, 4 h; (v) K 2 CO 3 , DMF,70℃回流, 过夜;