XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemReflow
超滤120HA
• 与所有免清洗焊膏助焊剂残留物完全兼容 • 无需清洗工艺，避免污染 • 低温快速固化 (<120 ºC) • 经过 5×260 ºC 回流，焊点无任何变形 • 优于所有竞争对手的带清洗工艺的底部填充材料 • 较低的 CTE，能够流入小间隙 • 可返工 • 大幅节省成本 “我们的团队很高兴将 UF 120HA 推向市场，”YINCAE 首席技术官表示。“我们了解当今制造商面临的挑战，我们设计这款产品就是为了迎头应对这些挑战。UF 120HA 具有快速流动、低温固化、与所有免清洗助焊剂残留物兼容和可返工等特点，使其成为各种高产量制造应用的理想解决方案。” YINCAE 的 UF 120HA 可立即购买。如需了解有关 YINCAE UF 120HA 底部填充材料的更多信息，或了解 YINCAE 产品系列的更多信息，请发送电子邮件至：info@yincae.com。您也可以访问我们的网站获取更多信息：www.yincae.com
气隙互连的机械稳定性
芯片包装相互作用包装的影响是整体上互连结构遭受特殊的外部应力。以塑料翻转包裹为例；在填充底漆之前，最高的热载荷发生在模具固定期间。对空气间隙结构的CPI效应进行了250°C的反射温度的无PB-焊料。包装中的基板是有机的，模具尺寸为8x8 mm 2。在略有不同的3D有限元模型上，多级子模型技术和VCCT用于计算最外层焊球下相关接口处的裂纹驱动力。[8,9]在蚀刻停止/钝化（ESL）和低k介电或气隙之间，在每个金属水平上放置在每个金属水平上放置的Horizontal裂纹计算错误。每个裂纹宽0.1 µm，长2 µm，在接线方向上延伸，如图4所示。在完整的低K集成方案中，由于SIO2和低K层之间的弹性不匹配，在M3间的裂纹3中，ERR最高。首先检查了空气间隙实施的效果，用于跨层次的全气隙结构，在该结构中，空气间隙取代了M3的所有金属间介电（IMD）。这导致裂纹3中的ERR中的大约5倍急剧增加。应注意的是
GHz 噪声抑制芯片铁氧体磁珠 BLM18H SN1 ...
上述外壳尺寸为典型尺寸。具体尺寸取决于订单数量。 9. ! 注意 9-1.浪涌电流 施加到产品上的浪涌电流（脉冲电流或冲击电流）超过规定的额定电流可能会导致严重故障，例如开路、因温度过高而烧毁。如果施加浪涌电流，请提前联系我们。 9-2. 应用限制 在将我们的产品用于下列需要特别高可靠性的用途之前，请与我们联系，以防止可能直接对第三方的生命、身体或财产造成损害的缺陷。 （1）飞机设备 （2）航空航天设备 （3）海底设备 （4）发电厂控制设备 （5）医疗设备 （6）防灾/防盗设备 （7）交通信号设备 （8）运输设备（汽车、火车、轮船等） （9）数据处理设备 （10）与上述用途具有相似复杂性和/或可靠性要求的用途 10. 注意事项 本产品设计为焊接安装。如需使用导电粘合剂等其他安装方法，请提前咨询我们。 10-1. 焊盘图案设计 标准焊盘尺寸（流动和回流焊接） 焊接 a b c
Microlens在光子整合电路上的集成
在本文中，我们讨论了3个示例，其中微透镜可以成为解决光纤阵列和光子积分电路（PIC）之间耦合挑战的有用工具。这项工作中使用的（阵列）通过光孔反射方法实现了（可以单层集成在PIC的背面，或者可以单独地集成在PIC的后侧，或者可以在PIC的设备侧安装。第一个示例涉及在感应图片的背面蚀刻的硅微透镜（在C波段中运行），目的是用于放松的对齐公差，并使设备侧没有接口纤维。第二个示例涉及实施4毫米长的工作距离扩展的梁（30 µm模式场直径，C型波段）界面，用于电信/数据量应用程序，该应用程序也极大地放松了PIC上的GRATINAL耦合器和A纤维阵列之间的横向和纵向对齐公差。最终示例涉及在这个长的工作距离扩展的梁界面中的隔离器的集成。隔离器堆栈由偏振器（0.55 mm厚），非重生法拉第旋转器（485 µm厚的薄膜闩锁Faraday旋转器）和半波板（HWP，91 µm石英）组成。我们获得了宽带操作，表现出非常低的（1至1.5 dB之间）的插入损失和良好的灭绝比（17至20 dB之间）C波段（约1550 nm）
Gaoyang Zhao, Zhen Wei, Weilei Wang, Daohuan Feng, Aoxue Xu, Weili Liu*, and Zhitang Song Review on modeling and application of chemical mechanical po
摘要：随着集成电路技术的发展，特别是进入亚微米工艺之后，关键尺寸的缩小和高密度器件的实现，集成电路材料层之间的平整度变得越来越关键。因为传统的机械抛光方法不可避免地会在金属甚至电介质层中产生与器件相同尺寸的划痕，导致光刻中的景深和聚焦问题。第一个实现应用的平坦化技术是旋涂玻璃（SOG）技术。但是该技术不仅会引入新的材料层，而且无法达到VLSI和ULSI技术所要求的整体平坦化。而且旋涂过程中的工艺不稳定性和均匀性无法满足晶圆表面的高平坦度要求。而一些技术如反向刻蚀和玻璃回流虽然可以实现亚微米级的区域平坦化。当临界尺寸达到0.35微米(亚微米工艺)后,上述方法已不能满足光刻和互连制造的要求.20世纪80年代,IBM首次将用于制造精密光学仪器的化学机械抛光(CMP)技术引入到DRAM制造中[1].随着CMP技术的发展,DRAM的制造工艺也发生了巨大的变化.
HTU21D(F) 传感器数字相对湿度传感器... - TI E2E
HTU21D(F) 是一款新型数字湿度传感器，由 MEAS 输出温度。它采用可回流焊接的双扁平无引线 (DFN) 封装，尺寸仅为 3 x 3 x 0.9 毫米，在尺寸和智能方面树立了新标准。该传感器提供经过校准的线性化数字 I²C 信号。HTU21D(F) 数字湿度传感器是专用的湿度和温度即插即用传感器，适用于需要可靠和准确测量的 OEM 应用。该模块可直接与微控制器连接，用于湿度和温度数字输出。这些低功耗传感器专为空间受限、批量大、成本敏感的应用而设计。每个传感器都经过单独校准和测试。批次标识印在传感器上，电子识别码存储在芯片上 - 可通过命令读取。可以检测到电池电量不足，校验和可提高通信可靠性。这些数字湿度传感器的分辨率可以通过命令更改（RH/T 为 8/12 位，最高为 12/14 位）。随着 MEAS 的改进和此传感器的小型化，性价比得到了提高 - 最终，任何设备都应受益于其尖端的节能操作模式。可选的 PTFE 过滤器/膜 (F) 可保护 HTU21D 数字湿度传感器免受灰尘和水浸入以及颗粒污染。PTFE 过滤器/膜保持较高的响应时间。白色 PTFE 过滤器/膜直接粘在传感器外壳上。
面向汽车应用的高可靠性和高性价比焊料合金的新方法
摘要 高度可靠的无铅合金，商业名称为 Innolot，可在高温下工作，是一种锡-银-铜 (SAC) 冶金系统，其中添加了其他元素来硬化合金并提高其蠕变强度，从而显着提高焊点的可靠性。与传统的 SAC 合金相比，在温度循环测试 (TCT) 的基础上，特性寿命可以从 -40°C 延长到 +125°C，甚至延长到 150°C。汽车行业的组件越来越需要更高的可靠性，以满足安全相关和新兴应用的需求，例如高级驾驶辅助系统 (ADAS)。降低成本的要求要求采用新方法来优化焊接工艺和材料。由于当前的回流工艺更喜欢氮气气氛，以便在高可靠性焊接中减少缺陷，因此我们的研究重点是部分和/或完全改变空气焊接工艺。此外，我们还研究了不同表面处理（例如化学锡、NiAu 和 Cu OSP）以及改进的合金成分对焊接性能的影响。除了对各种组件进行初步特性分析外，还报告了 Heraeus Reliability1 印刷电路板的可靠性测试以及从 -40 到 +150°C 的温度循环测试（最多 2500 次），并讨论了由此产生的故障模式。此外，本文还介绍了通过工艺和/或材料优化降低成本的潜力，同时不会降低此类汽车应用的高可靠性性能。关键词 ADAS、汽车安全应用、成本效益、高可靠性焊料、Innolot。
新闻稿
UF 120LA：下一代高可靠性、100% 助焊剂残留物兼容且可返工的底部填充材料 2025 年 2 月 3 日（纽约州奥尔巴尼）——YINCAE 推出了 UF 120LA，这是一款专为先进电子封装而设计的高纯度液态环氧底部填充材料。UF 120LA 具有出色的 20μ 间隙流动性，可免除清洁工艺，降低成本和环境影响，同时确保在 BGA、倒装芯片、WLCSP 和多芯片模块等应用中的卓越性能。UF 120LA 可承受 5x260°C 回流循环而不会发生焊点变形，优于需要清洁的竞争对手。其在较低温度下的快速固化提高了生产效率，使其成为存储卡、芯片载体和混合电路的理想选择。UF 120LA 卓越的耐热性和机械耐久性使制造商能够开发更紧凑、更可靠、更高性能的设备，加速小型化、边缘计算和物联网连接的趋势。这项进步可以提高任务关键型应用的生产效率，例如 5G 和 6G 基础设施、自动驾驶汽车、航空航天系统和可穿戴技术，这些应用的可靠性和使用寿命至关重要。此外，通过简化制造工作流程，UF 120LA 可以缩短消费电子产品的上市时间，从而有可能重塑供应链效率并为规模经济创造新的机会。从长远来看，这项技术的广泛采用可能会彻底改变半导体封装格局，为越来越复杂的电子设备铺平道路，这些电子设备更轻、更高效、在极端环境下更具弹性。主要优势：
HTU21D(F) 传感器数字相对湿度传感器... - Adafruit
HTU21D(F) 是一款新型数字湿度传感器，由 MEAS 输出温度。它采用可回流焊接的双扁平无引线 (DFN) 封装，尺寸仅为 3 x 3 x 0.9 毫米，在尺寸和智能方面树立了新标准。该传感器提供经过校准的线性化数字 I²C 信号。HTU21D(F) 数字湿度传感器是专用的湿度和温度即插即用传感器，适用于需要可靠和准确测量的 OEM 应用。该模块可直接与微控制器连接，用于湿度和温度数字输出。这些低功耗传感器专为空间受限、批量大、成本敏感的应用而设计。每个传感器都经过单独校准和测试。批次标识印在传感器上，电子识别码存储在芯片上 - 可通过命令读取。可以检测到电池电量不足，校验和可提高通信可靠性。这些数字湿度传感器的分辨率可以通过命令更改（RH/T 为 8/12 位，最高为 12/14 位）。随着 MEAS 的改进和此传感器的小型化，性价比得到了提高 - 最终，任何设备都应受益于其尖端的节能操作模式。可选的 PTFE 过滤器/膜 (F) 可保护 HTU21D 数字湿度传感器免受灰尘和水浸入以及颗粒污染。PTFE 过滤器/膜保持较高的响应时间。白色 PTFE 过滤器/膜直接粘在传感器外壳上。
超级...
在这项研究中，使用商业Flip-Chip Bonder在Pyrex和Silicon底物之间进行了Au-Sn Eutectic超薄金属堆栈（〜1μM）键的详细表征。通过在320至380 o C之间改变键合温度在2至10 MPa之间，在三个不同的键尺寸的9、49和100 mm 2上进行了彻底的配方表征和开发。结果表明，在较高的温度下观察到更好的键质量，但不受键压力幅度的影响。还发现，接触的平坦度是确定键均匀性并因此质量的最重要参数之一，这对于超薄金属键尤其重要。此外，这项研究特别强调通过透明的Pyrex顶部底物观察键均匀性和金属溢出。随着温度的升高，平均溢流宽度增加，在380 O C时达到300μm，但没有受到施加的键压力的显着影响。同时，超薄的键层使我们有可能观察到键区内形成的几种不同类型的微观结构，这提供了有关样品冷却速率，晶粒尺寸和金属间合金中的重要信息。在特定情况下，由于在共晶反应期间，Au和SN的迁移速率不同，因此在光学显微镜下在光学显微镜下观察到Kirkendall空隙。我们认为，这是使用非破坏性光学成像技术对键合合金中的空隙的首次成功观察。在成功表征金属回流后，从债券位点出发，一种简单的控制这种溢出的方法已通过精确控制的