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在基本编辑的业务中：从长凳到床边的演变
长期储能（LDES）由于其在可再生可再生电力（VRE）驱动的脱碳，低成本和稳定的网格方面的关键作用而引起了兴趣。当前，开发了多种LDES技术，可以提供8小时以上连续排放的电力。但是，长期计划过程中使用的当前容量扩展模型很少将低成本LDE视为候选技术。如果他们这样做，则模型的存储平衡范围（SBH）通常只考虑非连续的1天期间，这些时期不会捕获LDES在多天甚至季节中转移能量的潜力。解决了现有模型中的这些限制，这项工作探讨了最佳储能在增加SBH连续数天数时的变化方式，以及这些变化将如何影响确定储能未来作用的计划者。我们的分析使用Switch，这是一种开源能力扩展模型，在2050年的零碳场景中，整个西方电力协调委员会（WECC）具有高空间分辨率。我们发现，当存储能源和电源过夜成本分别为$ 13 usd/kwh（或更少）和113美元/kW时，SBH连续的SBH数天数都会改变LDES的总选定功率和能源容量。我们还发现，根据SBH的长度，驱动未来VRE驱动的WECC网格的储存能量量从2.5 TWH到16.0 TWH。最佳存储持续时间（能量比）我们在所有情况下获得10小时至620小时的范围。此外，根据存储成本假设，我们在改变SBH长度时会观察到不同的电荷/放电模式。鉴于我们的结果，我们预计随着越来越多的LDE技术成为商业上可用，在高VRE驱动的网格的长期计划过程中，增加SBH的长度以完全捕获LDES资产的好处至关重要。
建模时间范围对量化长期存储需求的影响
长时储能 (LDES) 因其在实现由可变可再生电力 (VRE) 驱动的脱碳、低成本和稳定电网方面发挥的关键作用而受到关注。目前，正在开发各种 LDES 技术，以提供 8 小时以上的连续放电电力。然而，长期规划过程中使用的当前容量扩展模型很少将低成本 LDES 视为候选技术。如果他们这样做，该模型的存储平衡范围 (SBH) 通常只考虑非连续的 1 天周期，而这些周期无法捕捉到 LDES 在多天甚至多个季节之间转移能源的潜力。为了解决现有模型中的这些局限性，这项研究探索了在增加 SBH 中连续天数时最佳储能的变化方式，以及这些变化将如何影响确定储能未来角色的规划者。我们的分析使用了 SWITCH，这是一个具有高空间分辨率的开源容量扩展模型，适用于 2050 年零碳情景下的整个西部电力协调委员会 (WECC)。我们发现，当存储能量和电力容量的隔夜成本分别为 13 美元/千瓦时（或更低）和 113 美元/千瓦时时，SBH 中的连续天数会改变 LDES 的总选定电力和能源容量。我们还发现，驱动未来 VRE 驱动的 WECC 电网所需的存储能量在 2.5 TWh 到 16.0 TWh 之间，具体取决于 SBH 的长度。在所有情景中，我们获得的最佳存储持续时间（能量功率比）范围为 10 小时至 620 小时。此外，根据存储成本假设，我们在改变 SBH 长度时观察到不同的充电/放电模式。根据我们的研究结果，我们预计，随着越来越多的 LDES 技术实现商业化，增加 SBH 的长度对于在高 VRE 驱动电网的长期规划过程中充分利用 LDES 资产的优势将至关重要。
Piezotronic Algan Nanowire Schottky在金属基板上生长的连接
包括GAN，INN，ALN和ZnO的极性 - 肺导体的非中心对称晶体结构在研究了其菌株诱导的纳米能产生的潜力方面对科学共识感兴趣。耦合的半导体和压电性能产生了一个压电电源，可调节跨其异质结构界面的电荷传输。通过使用导电性原子显微镜，我们研究了在钼（MO）底物上生长的α纳米线（NWS）中产生的压平作效应的机制。通过使用PT – IR探针在NWS/MO结构上施加外部偏置和力，可以调节跨两个相邻的Schottky连接的电荷转运，这是由于明显的Schottky屏障高度（SBHS）的变化，而Schottky屏障高度（SBHS）是由于应变诱导的压电电位而导致的。对于背景力，我们测量了SBH的增加为98.12 MeV，该背景力对应于SBH变化∂ϕ∂F为6.24 MeV/nn，对于半导体/Ti/Mo界面。SBH调制负责对压电效应，通过测量从室温到398 K的温度依赖性I – V曲线进行进一步研究。从Algan NWS/Mo棚的独特结构中获得的见解，这些见解是在Algan/Mo Shed的独特结构上，对Metal-Sendoctor interface的电子特性以及Algan n Nw nw nw nw piquzoe nw pique的电子特性的启发光电子，传感器和能源产生应用。
3.3 kV 4H-SiC JBS 二极管的优化 - WRAP：Warwick
摘要—本文报告了一项综合研究，该研究优化了使用镍、钛和钼接触金属制成的 3.3 kV 结势垒肖特基 (JBS) 二极管的 OFF 和 ON 状态特性。在此设计中，使用与优化终端区域相同的植入物来形成 JBS 有源区域中的 P 区。P 区的宽度和间距各不相同，以优化器件的 ON 和 OFF 状态。所有测试的二极管均显示出高阻断电压和理想的开启特性，最高额定电流为 2 A。然而，发现漏电流和肖特基势垒高度 (SBH) 与肖特基与 p + 区域的比例成比例。没有 p + 区域的全肖特基和具有非常宽肖特基区域的肖特基具有最低的 SBH（Ni 为 1.61 eV、Mo 为 1.11 eV、Ti 为 0.87 eV）和最高的漏电流。肖特基开口最小（2μm）的二极管具有最低的关断状态漏电，但它们受到周围 p + 区域的严重挤压，从而增加了 SBH。性能最佳的 JBS 二极管是间距最窄的 Ni 和 Mo 器件，p + 植入物/肖特基区域均为 2μm 宽。这些器件提供了最佳的平衡器件设计，具有出色的关断状态性能，而肖特基比保证了相对较低的正向压降。
一个
Schottky接触是半导体和金属之间关键的界面，在纳米 - 症状导向器件中变得越来越重要。shottky屏障，也称为能量障碍，可以控制跨金属 - 高症导体界面的耗竭宽度和载体运输。控制或调整Schottky屏障高度（SBH）一直是任何半导体设备成功运营中的至关重要问题。本综述提供了SBH静态和动态调整方法的全面概述，特别关注纳米半导体设备的最新进步。这些方法涵盖了金属，界面间隙状态，表面修饰，较低图像的效果，外部电场，光照明和压电效应的工作函数。我们还讨论了克服界面间隙状态引起的费米级固定效应的策略，包括范德华触点和1D边缘金属触点。最后，这篇评论以这一领域的未来观点结束。2024科学中国出版社。由Elsevier B.V.和Science China Press出版。保留所有权利。
金属硅化与掺杂剂偏析
摘要：近年来，硅 (Si) 基肖特基结光电极在光电化学 (PEC) 水分解中引起了广泛关注。要实现高效的 Si 基肖特基结光电极，关键挑战是使光电极不仅具有较高的肖特基势垒高度 (SBH) 以得到高光电压，而且还要确保高效的电荷传输。在本文中，我们提出并展示了一种通过金属硅化结合掺杂剂偏析 (DS) 来制造高性能 NiSi/n-Si 肖特基结光阳极的策略。金属硅化产生的光阳极具有高质量的 NiSi/Si 界面而没有无序的 SiO 2 层，从而确保了高效的电荷传输，从而使光阳极获得了 33 mA cm − 2 的高饱和光电流密度。随后的 DS 通过在 NiSi/n-Si 界面引入电偶极子，使光阳极具有 0.94 eV 的高 SBH。结果，实现了 1.03 V vs RHE 的高光电压和有利的起始电位。此外，NiSi 的强碱性腐蚀抗性还使光阳极在 1 M KOH 中的 PEC 操作期间具有高稳定性。我们的工作提供了一种通用策略来制造金属-硅化物/Si 肖特基结光电极，以实现高性能 PEC 水分解。关键词：硅、金属硅化、掺杂剂偏析、光阳极、水分解■ 介绍
与 Advantage Partners 和古河电工联合投资 Sustainable Battery Holdings
为收购古河电池股份而进行的投资 东京世纪株式会社通过其合并子公司 TC Investment Partners Co., Ltd. (TCIP) 将投资于 AP78 Co., Ltd.* 的母公司 Sustainable Battery Holdings, Inc. (SBH)（要约人），通过要约收购和其他方式收购古河电池株式会社（古河电池）所有流通在外的普通股（交易）。此项投资将与由 Advantage Partners, Inc. (AP) 提供投资相关服务的基金（AP Fund）和古河电工株式会社（古河电工）共同进行。东京世纪株式会社、AP、古河电工和古河电池就交易达成协议，如下所示。*根据金融工具和交易所规则，为通过要约收购古河电池股份而成立的特殊目的公司
从脱蛋白大豆壳中提取的功能化纤维素的抗菌特性
通过改变溶剂类型（乙醇或甲苯）和适合量来优化合成程序。总体而言，氨基官能化过程是有效的，并且对革兰氏阳性和革兰氏阴性细菌的活性非常出色，在所有情况下，实际上都完全消毒了。通过几种炭化技术研究了样品，表明溶液和纤维素类型对物理化学特征以及该过程的生态可持续性具有重大影响。尤其是，使用绿色乙醇和废物纤维素（相对于商业）的使用导致更高的适应性的剂量效率和最终材料的卓越热稳定性。有趣的是，木质纤维素SBH基质的存在变异的未经兴奋的化合物，尽管少量出现在抗菌活性方面，这也是至关重要的因素，假设残留的植物化学物质的作用。
未来的技术加速
SBH Johan DE LAERE 上校于 1979 年作为皇家军事学校的一名学生开始了他的军事生涯，当时正值冷战时期。 1984 年，他作为一名坦克手被派往索斯特第四枪骑兵团 (BRD)。之后，他在武器学校、当时的 KHID 以及各个部门工作过，包括纽约联合国总部和布鲁塞尔北约总部。他毕业于莱文沃思的美国陆军指挥与参谋学院和蒙特雷的国防资源管理学院。他的特长主要在于行动和情报。德莱尔上校曾在巴尔干半岛（克罗地亚和科索沃）、黎巴嫩和刚果执行过海外任务，他最后担任过欧盟安全与安全特派团团长。直到 2022 年 5 月，他一直担任 ACOS Strat 的技术战略预测分析师，研究快速发展的颠覆性技术的影响。
双皮层综合征：癫痫发作的异常原因
灰质杂质（GMH）是由脑发育过程中神经元异常迁移引起的。皮质带异位症（SBH）或双层皮质是GMH的罕见变体，主要影响癫痫患者（PWE）不同程度的智力低下。我们介绍了一名25岁妇女的案例，该妇女因概括性癫痫发作而被录取给我们三级医院的神经病学系。她的母亲有正常的产前时期和劳动史。有立即哭泣和正常外观，脉搏，鬼脸，活动和呼吸（APGAR）得分的历史。她延迟了里程碑，这影响了儿童发展的各种类别。体格检查显示全球发育迟缓。实验室值，包括全血细胞计数，血清钙和动脉血液测试，均在正常范围内。脑电图显示出明显的异常暗示癫痫。大脑的MRI在两个脑半球中显示出连续的灰色物质带，与皮层平行，表明双层皮质综合征（DCS）。