XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSDRAM
高密度安全存储器 DDR2 SDRAM
128MB 64M x 16 W3H64M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 2 x 64M x 16 W3H264M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 32M x 64 W3H32M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 256MB 32M x 72 W3H32M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 64 W3H64M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBXF 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XSBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XNBX* 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M
高密度安全存储器 DDR3 SDRAM
4GB 512M x 64 W3J512M64X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 64 W3J512M64X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 64 W3J512M64X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 72 W3J512M72X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 64 W3J1G64X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 72 W3J1G72X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M
ASIL评分和您的内存子系统
LPDDR控制器的作用是什么？•LPDDR控制器的主要功能是将数据传输到OFF芯片LPDDR SDRAM，并从OFF芯片LPDDR SDRAM中检索数据，以供SOC使用？•通过外围接口（寄存器）管理的配置，控制和状态•通过DFI通过LPDDR PHY与LPDDR SDRAM进行通信
电镜显微技术
时钟使能 (CKE) 将时钟门控到 SDRAM。如果 CKE 与时钟同步变为低电平（设置和保持时间与其他输入相同），则内部时钟从下一个时钟周期开始暂停，只要 CKE 保持低电平，输出和突发地址的状态就会冻结。CKE 变为低电平后，从下一个时钟周期开始，所有其他输入都将被忽略。当所有存储体处于空闲状态且 CKE 与时钟同步变为低电平时，SDRAM 从下一个时钟周期开始进入断电模式。只要 CKE 保持低电平，SDRAM 就会保持断电模式，忽略其他输入。断电退出是同步的，因为内部时钟被暂停。当 CKE 在时钟高电平沿之前至少“1CLK + t SS ”变为高电平时，SDRAM 将从同一时钟沿变为活动状态，接受所有输入命令。存储体地址 (BA0、BA1)
110、72 和 63 nm SDRAM 中卡住位和单粒子翻转的技术依赖性
在质子辐照下，使用扫描电子显微镜 (SEM) 研究了来自同一制造商的三种 SDRAM，其技术节点尺寸分别为 110、72 和 63 nm。表征了辐射引起的故障，并比较了不同部件类型之间的故障。被测设备 (DUT) 经过质子辐照，并以卡住位和单比特翻转 (SBU) 的形式经历了单粒子效应 (SEE)。对具有 SBU 并在辐照期间卡住的比特的数据保留时间进行分析，结果显示保留时间退化模式相似，这表明这三种部件类型中的 SBU 和卡住位可能是由相同机制引起的。还在辐照前后进行了详细的数据保留时间分析，以研究辐照后和退火一段时间后数据保留时间的变化。发现最大的辐射引起的保留时间损失发生在退火过程中，但辐照后直接受影响最小的比特的数据保留时间随着退火时间而减少。 SEM 成像显示，不同测试部件类型之间的存储单元结构存在差异。节点尺寸最大的器件对辐射最敏感，无论是 SEE 还是累积辐射效应。
M15T2G16128A（2R）.pdf
读取并写入DDR3（L）SDRAM的操作是爆裂的，从选定的位置开始，并在编程序列中继续以八个或“切碎的”四个或“切碎”四个爆发。操作从Active命令的注册开始，然后是读取或写入命令。地址位注册了与活动命令的重合一致的一致，以选择要激活的银行和行（BA0-BA2选择银行； A0-A13选择该行；有关特定要求，请参阅“ DDR3（L）SDRAM地址”。使用读取或写入命令注册的地址位用于选择突发操作的启动列位置，确定是否要发出自动precharge命令（通过A10），然后选择“ fly on Fly”（通过A12）（通过A12）（如果在模式寄存器上启用）。
使用 SSP 开始使用音频播放器应用程序
• 运行应用程序之前，将音频文件（作为项目的一部分捆绑在一起）复制到 USB 闪存驱动器并连接到开发板的 USB 主机连接器。 启动时您将看到启动画面。 如果插入了复制到 USB 驱动器的音频文件，则音频文件的名称将显示在 LCD 屏幕上。 • 选择要播放的音频文件并按播放按钮。详细的屏幕操作在第 3 部分中说明。 • 对于没有内置扬声器的开发板，请连接耳机 • 在 DK-S7G2 v3.1 上，验证开关阵列 S5 是否配置为启用：JTAG、PB 和 SDRAM。 • 在 DK-S7G2 v4.1 上，验证开关阵列 S7 和 S9 是否配置为启用：JTAG、USER BTNS 和 SDRAM。此外，验证开关 S8 是否配置为启用：LCD。 • 可以使用板上的以下按钮来控制 SK-S7G2/PK-S5D9、DK-S7G2 板上的音量控制。
Kinetis K28F MCU 子系列 - NXP 半导体
Kinetis K28F MCU 子系列高性能 ARM® Cortex®-M4 MCU，带有 2 MB 闪存、1 MB SRAM、2 个 USB 控制器（高速和全速）、SDRAM 控制器、QuadSPI 接口和带内核电压旁路的电源管理控制器。 K28F 扩展了 Kinetis Micontroller 产品组合，使其具有大容量嵌入式存储器、高级外部存储器接口、性能和外设集成，同时保持了与以前 Kinetis 器件的高水平软件兼容性：• 扩展的存储器资源包括总共 2 MB 的可编程闪存和 1 MB 的嵌入式 SRAM，可用于支持数据记录和带显示屏的丰富人机界面的应用需求• 带内核电压旁路的电源管理控制器允许使用外部 PMIC，从而最大程度地提高系统的电源效率• K28F 利用 SDRAM 控制器和 QuadSPI 接口实现存储器扩展，从而从外部串行 NOR 闪存进行就地执行 (XIP)• USB 高速和无晶振全速控制器均集成了 PHY，以降低 BOM 成本• 集成的智能外设（如低功耗 UART 和定时器）以极低功耗模式运行，以优化系统的电池寿命
Mac Pro 技术概览
高达 1.5TB 的 DDR4 ECC SDRAM Mac Pro 提供高达 768GB（6x128GB 或 12x64GB）的内存配置（8 核、12 核和 16 核处理器），高达 1.5TB（12x128GB）的内存配置（24 核和 28 核处理器）。这些配置可最大程度地提高六通道内存控制器的内存带宽。英特尔将这些处理器评定为分别支持高达 1TB 或 2TB；但是，配置这些容量需要在系统中安装不平衡的 DIMM 配置。建议在 Mac Pro 中安装六个或十二个大小、类型和速度相同的 DIMM，以实现最佳性能。