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物理与化学系EmilioSegrè
宣称，课程中写的内容与真理相对应，意识到，在本合并文本提供的案件中发出虚假声明，形成虚假行为或使用它的任何人受到刑法和有关该主题的特殊法律的惩罚（Art。76 D.P.R. 445/2000）。76 D.P.R.445/2000）。
Rad-Hard标准单元在28nM TSMC中设计
这些影响是由于单个粒子之间的相互作用（例如重离子）和硅。如果释放的能量（LET，线性能传递）足够高，则可能会破坏CMOS结构（SEL，单个事件闩锁）中的闩锁或可能会损坏栅极（SEGR，单个事件门破裂）。必须在28nm的过程中考虑缓解措施。
SIC MOSFET微型探索是由于单个事件倦怠
此材料的间隙允许减少设备尺寸，权重和切换损耗[2]。此外，SIC的高温导热率促进了其在恶劣环境中的使用，例如用于核应用的电源开关（空间，航空，核反应堆和军事）。然而，尽管刚刚设计了第四代SIC MOSFET，但其对空间应用的采用却很少见[3]，[4]。尽管SIC材料具有稳健性，但仍证明了由于空间环境辐射引起的灾难性影响[2-3]。SIC设备对单事件倦怠（SEB）[7] - [10]，单事件门破裂（SEGR）[11]，[12]和单个事件泄漏电流（SELC）[13]敏感。在SIC MOSFET中，由于极端的内部漏极到通过SIC源电场，不合适的电流会诱发热失控。这种现象可以导致功率设备的故障和设备功能的损失。对于破坏性SEB，主要粒子（作为中子，质子或离子）会对设备产生影响，因此可以在内部产生电离二级粒子。沿着该二次粒子，电子和孔对的轨迹。由于对SIC的电场比SI MOSFET中的电场高10倍，因此SIC中的功率密度高100倍，并触发冲击电离。强烈的局部局部，因此高密度电流会产生热瞬态和失控，从而导致灾难性失败。在本文中，对质子辐射引起的SEB诱导的COTS包装的SIC MOSFET的失败分析在设备和死亡水平上呈现。在辐射期间和电辐射应力期间的粒子性质[14]，[15]，[15]，[15]，[15]，能量转移（LET）[8]，设备技术[7]，偏置电压（V DS和V GS）[16]，[17]的影响。先前的研究表明，由于MOSFET漂移层中电场的增加，SEB灵敏度随施加的漏气偏置（V DS）而增加[16]，[17]。在[18]中，作者提出了损害类型（氧化物潜在损害，降解，晶体潜在损害和SEB）类型的地图，作为V DS和LET的函数。在灾难性失败的顶部，对于未表现出SEB的质子辐照的设备，在辐射后应激测试中观察到了辐照诱导的氧化氧化物降解[19]。和重型离子，在SIC MOSFET裸露的SIC Seb区域进行了辐射后v ds扫描后，SiC晶格的分解被揭示[18]。建立了一个故障分析流程图，在每个步骤中介绍了结果，分析和风险评估（用于成功分析）。在分析电I-V特性后，用能量分散性X-射线光谱法（EDX）进行了扫描电子显微镜（SEM）研究，揭示了SIC模具中的局部微探索现象。基于对热爆炸的痕迹的分析，制定了微探索的解释。
2025年2月15日Aperto -Archivio Istituzionale Open ...
1阿德莱德大学，阿德莱德，阿德莱德，澳大利亚2劳动劳动仪和f´ısica实验depart'ıculas -lip and Instituto superior tstic- iSt-伊斯特，伊斯特，伊斯兰特大学 - 乌尔 - 乌尔 - 乌尔 - 乌尔斯博亚大学 - 利斯博亚大学，利斯博亚，葡萄牙3个天文学，turin turin，turin，intaftor，intaftor，intaf。都灵，意大利5号，位于奥米科·巴洛克（Omico Bariloche）和巴尔西罗（Instituto Balseiro）（cnea-uncuyo-concet），阿根廷圣卡洛斯·德·巴洛克（San Carlos de Bariloche），阿根廷6核物理学研究所，克拉科夫（Krakow），波兰（Krakow），波兰（Krakow），波兰7研究所，tecnolog´head en detecci´head en detecci´on y astroparpart y sartropart´in y sartopart´in uns uns uns uns uns bue，阿根廷艾尔斯8大学，tecnol´gica nacional -Argentina Buenos Aires，阿根廷布宜诺斯艾利斯市教职员工9 Gran Sasso Science Institute，L'Aquila，意大利L'Aquila 10 Infn National Laboratories Gran Sasso的Infn National Laboratories Gran Sasso，Gran Sasso，Assergi（L'Aquila），Italy 11 Instituto Galego Galego Galego Galego Galego Galego Galego Galego Galego Galego de altasig de alasig de alasig de aalts'大学）。西班牙圣地亚哥·德·波斯特拉（De Santiago de Compostela）意大利米兰米兰区17 INFN，那不勒斯，那不勒斯，意大利18 rwth亚兴大学，iii。Grenoble Alpes，LPSC-In2p3，38000 Grenoble，法国27 Max-Planck-Institut Paur放射捕集，德国波恩28 Instituto de f´isica de f´isica de Rosario（Ifir）-Conicet/u.n.r。physikalisches Institut A，德国亚州19号捷克共和国布拉格24科罗拉多州科罗拉多州矿业学院和Biochoquic and Pharmactics Sciences U.R.，Rosario，阿根廷29 Karlsruhe技术研究所（KIT），实验粒子物理研究所，Karlsruhe，德国，德国30 Imapp，Radboud University，Nijmen，Nijmen，Nijmen，Nijmen。荷兰阿姆斯特丹科学园的Hoge Energie Fysica（Nikhef）的Kernfysica 32巴黎 - 萨克莱大学，CNRS/IN2P3，IJCLAB，IJCLAB，IJCLAB，IJCLAB，ORSAY，法国33 Institut Universitaire Universitaire Universitaire de France（IUF），法国34 Karlsruhe Institute Institute of Cregenhitation of Crenolety Institute of Actirate of Actrot of Actrot of Actrot ofart over carret德国的卡尔斯鲁赫（Karlsruhe）35国际高级研究中心和物理科学研究所，eCyt-nnsam和conicet，校园Miguelete-sanMartín，布宜诺斯艾利斯，布宜诺斯艾利斯，阿根廷联邦政府，阿根廷联邦政府C.A.F.P.E.，格拉纳达，西班牙40 Vrije Universite Brussels，布鲁塞尔，比利时，41 Universit`a di Palermo，Dipartimento di Physics和Chimica” E. div>segr`e ", Palermo, Italy 42 Universidad Aut´Onoma de Chiapas, Tixtla Guti´Errez, Chiapas, M’EEXICO 43 Instituto de Tecnolog’ıs en Detecci´on y Astropart´ıculas (Cnea, Conicet, Unsam), and Universidad Tecnol´ today Nacional - Facultod Regional MenDoza (Conicet/Cnea), Mendoza, Argentina 44 Universidade de S˜ao Paulo, Escola de Engenharia de Lorena, Lorena, SP, Brazil 45 Infn, Section of Lecce, Lecce, Italy 46 Observatorio Pierre Auger, Malargs, Argentina 47 Palacky University, Olomouuc, Czech Republic 48 University of Naples " II“物理学系”，“ Ettore Pancini”，意大利那不勒斯49米兰理工学院，航空水平科学系，米兰，意大利萨伦托大学米兰，数学与物理学系” E.de Giorgi ", Lecce, Italy 51 Universidade Federal Fluminense, Eeimvr, Volta Redonda, RJ, Brazil 52 Case Western Reserve University, Cleveland, Oh, USA 53 University Siegen, Department Physik - Experimentelle Teilchenphysik, Siegen, Germany 54 IFLP, Universidad, Universidad Nacional de la Plata and conicet, La Plata,阿根廷55天文学研究所，艾斯卡西奥（IAFE，CONICE-uba），布宜诺斯艾利斯，阿根廷56 de f´ısica和Departura de ciencias de ciencias de la at at Amp at Amp y atm y Los oc´ean Y los oc´ean，FCEYN，FCEYN，FECEYN，FECEYN，FECEYN，UNDUREDAD DEBENES AIRES AIRES AIRES DEESERES，BUENES DEESERES，BUENES，BUENES，BUENES，BUENES DEERES，BUENES DEERES。 Janeiro（UFRJ），observ´orio do Valongo，Rio de Janeiro，RJ，RJ，巴西58联邦政府deEduca报，CI Uense和Technology Do Rio de Janeiro（IFRJ），巴西59 de s〜sive s〜s〜ao Paulo，Spituto de f´