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SELC 太空与天文学俱乐部 - 常见问题 (FAQ)
1. 什么是 SELC 太空与天文学俱乐部？SELC 太空与天文学俱乐部是一个为期一年的沉浸式课程，专为德里首都辖区的高中生（15-18 岁）设计。该俱乐部提供以太空科学、天文学和卫星技术为重点的全面学习体验。该课程包括实践活动，例如天空观察课程、模型火箭建造等。
内部：Cottonwood Cornerstone 中心大楼 - Civil808.com
在每个司法管辖区追求结构许可都是一项挑战。这意味着要获得所有利益相关者的支持，说服许可委员会这符合公众的最佳利益，了解立法程序，获得立法者的支持以使法案获得支持和通过，并确保州长签署该法案。除了这些艰巨的任务之外，总有一些人看不到结构许可的好处，有些人会直言不讳地表达他们的意见。一个反复出现的论点是，有四个独立的结构工程专业组织——NCSEA、CASE、SEI 和 SECB——对结构许可的细节有不同的看法。这不是一个有效的论点，但很难说服我们的对手。2012 年 6 月，这些组织的成员坚定地希望在每个州都获得结构许可，因此他们联合起来成立了结构工程许可联盟 (SELC)。这项倡议的使命是“作为结构工程专业的统一代言人，推动结构工程许可的推广”。联盟由一个指导委员会领导，该委员会由四个组织各选出的两名代表和一名可选的替补代表组成。该委员会在春季 SEI 结构大会和秋季 NCSEA 结构工程峰会上亲自开会，目标是进一步推动在每个司法管辖区开发结构许可的努力。近十年来，我一直在代表 NCSEA 帮助领导此类工作。令人担忧的是，我们这个行业中仍有许多人不理解我们试图实现的目标的重要性，并且没有为当地成员组织 (MO) 提供支持。为了纠正这种情况，SELC 采取了以下立场：1) SELC 认可由国家工程和测量考试委员会 (NCEES) 制定的示范法结构工程师 (MLSE) 标准，作为获得许可的结构工程师 (S.E.) 的最低资格要求。2) SELC 主张各司法管辖区要求为指定结构提供结构工程服务的任何人获得 S.E.许可证。SELC 建议每个许可委员会采用规则来定义这些结构的适当阈值。3) SELC 认识到，当 S.E.4) SELC 鼓励所有司法管辖区将这些规定纳入其现行的工程许可法，并根据其独特的具体情况进行调整。在每个司法管辖区颁布执照后，重要的是确保任何以持牌专业工程师 (P.E.) 身份从事结构工程的个人都能享受发牌委员会定义的公平过渡流程。SELC 支持修改现有的 P.E.法规和条例以实施 S.E.执照作为 P.E. 后的一种形式凭证。
SIC MOSFET微型探索是由于单个事件倦怠
此材料的间隙允许减少设备尺寸，权重和切换损耗[2]。此外，SIC的高温导热率促进了其在恶劣环境中的使用，例如用于核应用的电源开关（空间，航空，核反应堆和军事）。然而，尽管刚刚设计了第四代SIC MOSFET，但其对空间应用的采用却很少见[3]，[4]。尽管SIC材料具有稳健性，但仍证明了由于空间环境辐射引起的灾难性影响[2-3]。SIC设备对单事件倦怠（SEB）[7] - [10]，单事件门破裂（SEGR）[11]，[12]和单个事件泄漏电流（SELC）[13]敏感。在SIC MOSFET中，由于极端的内部漏极到通过SIC源电场，不合适的电流会诱发热失控。这种现象可以导致功率设备的故障和设备功能的损失。对于破坏性SEB，主要粒子（作为中子，质子或离子）会对设备产生影响，因此可以在内部产生电离二级粒子。沿着该二次粒子，电子和孔对的轨迹。由于对SIC的电场比SI MOSFET中的电场高10倍，因此SIC中的功率密度高100倍，并触发冲击电离。强烈的局部局部，因此高密度电流会产生热瞬态和失控，从而导致灾难性失败。在本文中，对质子辐射引起的SEB诱导的COTS包装的SIC MOSFET的失败分析在设备和死亡水平上呈现。在辐射期间和电辐射应力期间的粒子性质[14]，[15]，[15]，[15]，[15]，能量转移（LET）[8]，设备技术[7]，偏置电压（V DS和V GS）[16]，[17]的影响。先前的研究表明，由于MOSFET漂移层中电场的增加，SEB灵敏度随施加的漏气偏置（V DS）而增加[16]，[17]。在[18]中，作者提出了损害类型（氧化物潜在损害，降解，晶体潜在损害和SEB）类型的地图，作为V DS和LET的函数。在灾难性失败的顶部，对于未表现出SEB的质子辐照的设备，在辐射后应激测试中观察到了辐照诱导的氧化氧化物降解[19]。和重型离子，在SIC MOSFET裸露的SIC Seb区域进行了辐射后v ds扫描后，SiC晶格的分解被揭示[18]。建立了一个故障分析流程图，在每个步骤中介绍了结果，分析和风险评估（用于成功分析）。在分析电I-V特性后，用能量分散性X-射线光谱法（EDX）进行了扫描电子显微镜（SEM）研究，揭示了SIC模具中的局部微探索现象。基于对热爆炸的痕迹的分析，制定了微探索的解释。