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2024 年 3 月 18 日至 21 日最终计划
欢迎参加 IMAPS 器件封装会议 20 周年纪念活动。出席人数不断增加，主题也发生了变化，当然，半导体封装的重要性也随之增加。第一届 DPC 于 2005 年 3 月在希尔顿斯科茨代尔度假村举行。它包括两门专业发展课程、两个技术轨道、一个小型桌面博览会，约有 200 名与会者。会议由奥本的 Wayne Johnson 主持，涵盖了从铜/低 K、光电和 MEMS 等主题。快进到 2023 年 DPC，会议在后 COVID 时代恢复了势头，发展到包括 12 个 PDC、一个完整的展览厅和大约 650 名与会者。2024 年 DPC 本周回到了 Fort McDowell 保护区的 We-Ko-Pa 度假村，并有望成为我们过去 20 年来最强大的项目和出席人数之一！当我们意识到我们需要的不仅仅是摩尔定律来满足世界的计算需求时，半导体行业越来越多地转向封装来维持增长轨迹。
半导体Srtioa•！ls“ m4h。„ d
在较高温度下半导体的物质中发生的超导性具有不同的特征，这些特征与序列金属超级弹性不同。在相对较低的电荷载体浓度材料中的超导性发生在很大程度上是由于费米表面AR处异常高的状态密度（0）；热容量和超级传导临界场实验等等显示了大N（0）的存在。基本上恒定的电子能带结构内的变异性会导致超导过渡温度TC的COR响应变化。在Multivalley半号导管中存在Aniso-Tropic Fermi表面，可能会导致异常大且动anisotrapic压力效应。半导体中相对较低的载体浓度导致超导状态下静态磁场的深度渗透。最后，在半导体中可能很大的静态介电常数可以通过将相似的半导体组合到混合晶体中来改变。在一定程度上，超导特性取决于介电特性，变化
印度的高科技革命：推动先进技术领域的全球领导地位
总理纳伦德拉·莫迪 印度正在进行大规模的技术和工业转型。印度制造业正稳步走向更加自动化和流程驱动的制造，这预计将提高效率和提高生产率。技术鼓励创造力，数字化转型是在这个竞争日益激烈的行业中获得优势的关键因素。 政府努力将印度打造为全球电子和半导体中心，并得到了生产挂钩激励 (PLI) 计划、大型工业走廊和重大投资等举措的支持。与此同时，印度推动可再生能源，特别是太阳能和电动汽车的普及，使该国走在清洁能源技术的前沿。 SEMICON India 2024 将于 2024 年 9 月 11 日至 13 日在大诺伊达的印度博览中心举行，这是一个具有里程碑意义的盛会，不仅汇集了半导体领域的全球领导者，还汇集了来自各个高科技行业的利益相关者。随着印度成为可再生能源、电动汽车 (EV) 和国家绿色氢能计划的焦点，此次活动有望重点讨论制造业、可持续性、劳动力发展和促进创新的政府政策。印度半导体计划
SuperPro-611S - SEEIT
ABOV ACE ACE 技术 ACT ACTRANS ADESTO ADVANCE GROUP AiT 半导体 ALI(宏碁) ALL24SERIES ALLIANCE ALTERA AMD AMIC AMS ANACHIP APLUS FLASH ARTSCHIP ASAHI KASEI(AKM) ASD ASI Asic 微电子 ASP ASTIGP-MICROCHIP ATC ATMEL ATMEL W&M ATMEL-CUSTOM ATMEL-CUSTOMER ATO AUSTIN AXELITE BELLING BENCHMARQ BERGMICRO BJX BMT BOCH Bookly Micro BRIGHT CATALYST CBC 微电子 CERAMATE CETC58 CFEON CHINGIS CHIPMAST CHIPON CHIPSWINNER CKD 技术 CORERIVER CWI CYGNAL CYPRESS CYROD DALLAS DENSE-PAC DEUTRON EASTSOFT E-CMOS EFST 电子阵列 EMTC EON EOREX ESIGMA ESMT ESTEK E-TRAND EVERSPIN EXCELSEMI EXEL FAIRCHILD FIDELIX FIRST-RANK Technology FORCE TECHNOLOGIES FORWARD FREESCALE Fremont Micro Devices FUDAN FUJITSU GAMMA GATELEVEL GENCORE GENERAL(GI) GENERALPLUS GENERIC GIANTEC GIGADEVICE GOAL GREEN-ENGINE GREENLIANT GREENWICH GTM HAIER HARRIS HITACHI HOLTEK HONGKONG HOPEFIND 华杰科技 HYNIX HYNIX-CUSTOMER HYUNDAI IC Microsystems ICE ICMIC ICSI ICT IDT IK Semiconductor IMT INFINEON INTEGRAL INTEL INTELSIL INTERSIL ISSI JSC K-LINE KODENSHI LATTICE LG LG Semicon LINKSMART LITAO LIZE LUMINARY LYONTEK旺宏电子 MAGNACHIP MAXCOM MAXIM MAXWELL
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
Lam Research、Entegris 和 Gelest 联手推进 EUV 干光刻胶技术生态系统 2022 年 7 月 12 日 合作提供强大的化学品供应链
Lam Research、Entegris、Gelest 联手推进 EUV 干光刻胶技术生态系统 2022 年 7 月 12 日 该合作为采用突破性技术的全球芯片制造商提供强大的化学品供应链，并支持下一代 EUV 应用的研发 旧金山，2022 年 7 月 12 日 /美通社/ -- SEMICON WEST 2022 -- Lam Research Corp. (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. (NASDAQ: ENTG) 和三菱化学集团旗下公司 Gelest, Inc 今天宣布达成战略合作，该合作将为全球半导体制造商提供可靠的前体化学品，用于 Lam 突破性的极紫外 (EUV) 光刻胶干光刻胶技术，这是生产下一代半导体的创新方法。 双方将共同致力于 EUV 干光刻胶技术研发，用于未来几代逻辑和 DRAM 产品，帮助实现从机器学习和人工智能到移动设备的一切。强大的工艺化学品供应链对于 EUV 干光刻胶技术融入大批量生产至关重要。这项新的长期合作进一步拓宽了干光刻胶技术不断发展的生态系统，并将提供来自半导体材料领导者的双源供应，确保在全球所有市场持续交付。此外，Lam、Entegris 和 Gelest 将共同努力，加速开发未来具有成本效益的 EUV 干光刻胶解决方案，用于高数值孔径 (high-NA) EUV 图案化。高 NA EUV 被广泛视为未来几十年器件持续缩小和半导体技术进步所需的图案化技术。干光刻胶提供高蚀刻抗性和可调节的沉积和开发厚度缩放，以支持高 NA EUV 降低的焦深要求。Lam Research 执行副总裁兼首席技术官 Rick Gottscho 表示：“干光刻胶技术是一项突破，它打破了使用 EUV 光刻技术扩展到未来 DRAM 节点和逻辑的最大障碍。” “此次合作将 Lam 的干光刻胶专业知识和尖端解决方案与两家行业前体化学品领导者的材料科学能力和值得信赖的供应渠道结合在一起。干光刻胶生态系统的这一重要扩展为该技术令人兴奋的新水平创新和大批量生产铺平了道路。”干光刻胶最初由 Lam 与 ASML 和 IMEC 合作开发，它提高了 EUV 光刻的分辨率、生产率和良率，从而解决了与创建下一代 DRAM 和逻辑技术相关的关键挑战。它提供了卓越的剂量与尺寸和剂量与缺陷率性能，从而提高了 EUV 扫描仪的生产率并降低了拥有成本。此外，Lam 的干光刻胶工艺比传统光刻胶工艺消耗更少的能源，原材料消耗减少五到十倍，从而提供了关键的可持续发展优势。“Lam 的干光刻胶方法体现了材料层面的关键创新，并提供了广泛的优势，包括更好的分辨率、更高的成本效益和令人信服的可持续发展优势，”Entegris 首席执行官 Bertrand Loy 表示。“我们很自豪能够成为这一创新合作的一部分，以加速干光刻胶的采用，并成为客户值得信赖的工艺材料供应商，帮助他们利用这一重要技术创造下一代半导体。”“我们与 Lam 和 Entegris 合作推进 EUV 光刻的干光刻胶，表明我们致力于支持芯片制造商在材料科学方面的创新，”三菱化学集团旗下公司 Gelest 总裁 Jonathan Goff 表示。“我们看到 EUV 近年来展现出非凡的价值，我们很高兴成为不断发展的生态系统的一部分，以扩大其潜力。”关于 Lam Research Lam Research Corporation 是一家为半导体行业提供创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。 Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每款先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)“关于 Lam Research Lam Research Corporation 是面向半导体行业的创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每个先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)“关于 Lam Research Lam Research Corporation 是面向半导体行业的创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每个先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)
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