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使用计算机程序评估真空金属和半导体涂料的厚度
简介。在各个技术领域使用某种组成的层（涂层）真空沉积[1-5]。目前，对于生产许多微电子，光学和仪器的产品，需要在其表面上以厚度均匀地形成功能性涂层，尤其是反射性，吸收，导电和保护性涂层。许多零件及其性能特征的质量取决于功能涂层的特性。在某些情况下，均匀性的设计公差（与“厚度均匀性”的偏差）可能为±5％或更少。在实施用于获得此类涂层的技术过程时，由于缺乏实质性数据以确保所需的均匀性而出现重大困难。
资格计划突出显示半导体PG ...
将介绍与研究相关的主题，例如图书馆搜索技术，当代问题，道德，专利考虑，小型企业·交流很好的个人在职业和个人生活中为机会打开了大门。沟通是一项重要的软技能，可帮助人们获得和维持就业。全国各地的经理寻找与他人良好交流以积极发展其工作环境的员工。本课程旨在建立您对成为一个好的沟通者所需的理解，并为您提供在劳动力中实践和使用这些技能的知识。的机会，技术写作，技术评论，有效的演示等。
高回收率半导体 LS 回收 (LSR) ...
Gradiant 与一家全球领先的高科技行业设施设计、工程和交付公司合作，为一家美国半导体公司（全球顶级制造商之一）提供工业用水和回收解决方案。这家终端用户位于新加坡的半导体制造厂产生大量本地洗涤器废水，其中 TSS、有机物、二氧化硅和氟化物含量很高。他们寻求一种 LSR 解决方案来处理和回收废水，以便在制造业务中回收和再利用——这将通过减少淡水提取需求和工厂产生的废水量，为其运营带来可持续性。由于 LSR 系统可用的占地面积有限，并且需要高回收率，因此需要完全定制的解决方案来满足运营和可持续性目标。
参观半导体实验室的工业访问...
1 月 4 日晚，学生们在昌迪加尔受到了热情款待，并于 5 日早上参观了两个数学公共场所（岩石花园和 Pinjore 花园），那里有由岩石和植物制成的精美建筑，代表着策展人的辛勤工作和对创新的热爱。石头的摆放和雕刻展示了他们的创造力。学生们通过围绕这些结构的有趣讨论了解了数学和科学的实际重要性。他们明白，创造力应该向前发展，而不是被遗弃在失落的经文中。
功率半导体中的宇宙射线故障
ANITA 来自厚靶的类大气中子 CAL 控制轴向寿命 CIA 电流诱导雪崩 DN 深 N 缓冲层 DUT 被测设备 FEM 有限元法 FIT 及时失效 FWD 续流二极管 IC 集成电路 IGBT 绝缘栅双极晶体管 LANSCE 洛斯阿拉莫斯中子科学中心 LET 线性能量传递 MCNP 蒙特卡罗 N 粒子 MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 MTTF 平均故障时间 NPC 中性点钳位 NPT 非击穿 NYC 纽约市 PID 比例 – 积分 – 导数 PSI 保罗谢尔研究所 PT 击穿 PWM 脉冲宽度调制 QARM Qinetic 大气辐射模型 RCNP 核物理研究中心 SEB 单粒子烧毁 TCAD 技术计算机辅助设计 E av 空间平均电场 P f 总设备故障率 P lf 局部设备部分故障率 RB 体区扩展电阻 T 0 温度常数 ti 故障时间 T j 结温 T SUM 器件通量积数量 V aval 雪崩电压 V CE 集电极-发射极电压 V DC 直流电压 V DS 漏源电压 Δ fi 故障通量 A 面积 E 电场 h 高度 i 故障事件总和 r 器件故障数量 Si 硅 SiC 碳化硅 ε 介电常数 λ 故障时间 ρ 净电荷密度 Ω 器件体积
半导体供应链政策...
与 GAO 交谈的专家讨论了确定联邦优先事项和加强跨部门协作以实施政策以减轻半导体供应链风险的必要性。专家讨论的与半导体供应链风险相关的政策优先事项包括国家安全、经济竞争力和增强的弹性。专家表示，确定最合适的政策选择取决于联邦的优先事项。例如，一位专家表示，增加美国半导体产量的重要性取决于国家安全是否是政策优先事项。如果总部位于美国的公司的经济竞争力或增强供应链弹性是优先事项，那么包括美国以外生产在内的地理多样性可能是可取的。此外，专家指出，多个联邦机构都有与半导体供应链相关的活动，并描述了如何通过加强机构间的协调使美国采取更具战略性的行动。例如，一位专家表示，负责半导体问题的机构应该确定当前的活动以及需要采取的额外行动。
利用电化学技术对纳米微电子应用的半导体化合物进行工程设计
通常，半导体纳米线是通过众所周知的技术来制备的，例如多孔模板中的电化学沉积、化学传输、使用金催化种子的化学气相沉积等[3-5]，这些技术代表了自下而上的技术。在过去的二十年中，已经证明，电化学蚀刻大块半导体晶体可作为纳米结构的一种经济有效的方法[6-8]。此外，通过优化电化学参数可以制备大量垂直于晶体表面的半导体纳米线。通过阳极氧化制备纳米线具有一些优点：蚀刻时间短；阳极氧化在室温下进行；不需要昂贵的设备；电解质用量少等。此外，已经证明了通过“快速电化学蚀刻”InP半导体化合物来经济高效地制备InP纳米线的可能性[9]。使用这种方法，作者在3秒的电化学蚀刻期间制备了长度为2μm的半导体纳米线，蚀刻速率达到约40μm/min。
东南亚国家半导体铸造厂的成本节省分析
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