此外,当在这些先进节点中考虑单粒子瞬变 (SET) 时,对软错误的敏感性会变得更加糟糕。此类 SET 可能是由高能粒子(如宇宙中子)撞击半导体器件敏感区域引起的,这会影响电路性能。16,17 例如,当粒子撞击硅衬底时,它们会产生二次电子-空穴对,这些电子-空穴对可被周围的 pn 结收集,从而影响器件行为。18,19 发射的阿尔法粒子主要是由于芯片封装中的铀和钍杂质的放射性衰变。当阿尔法粒子穿过半导体器件时,电子会沿着阿尔法粒子的轨迹从晶格位置脱落。20,21 临界电荷是翻转逻辑所需的最小电荷。除了单粒子放电 (SET) 之外,撞击还可能导致单粒子翻转 (SEU),这两者都会妨碍电路的正常运行,并导致软错误。22-25 质子的直接电离可能会导致临界电荷 (Q crit) 较低的器件发生 SEU。26
– 你只能飞行 1 级部件 à Xilinx Virtex-4 FX60 FPGA 的主要筛选/质量计划 – 你只能飞行 IPC 6012B 3/A 级电路板 à 浪费大量时间 – 你应缓解所有 SEU 的可能性 à QMR 是基线缓解措施....QMR!!! • 发生了什么:由于不必要的要求,我们差点没能成功
该法案通过重定向某些资金来补充现有的低收入家庭能源援助计划并创建特拉华州能源基金,以向家庭收入不到联邦贫困水平的350%的消费者提供援助,从而解决了消费者的能源成本。特拉华州能源基金将由SEU管理,也将要求该基金的援助接收者参加节能和效率计划。
摘要 — 高能电子与物质相互作用产生的辐射簇射包括能量分布峰值为 MeV 级的中子,这些中子是通过光核反应产生的,可以测量电子设备中中子诱导的单粒子效应 (SEE)。在这项工作中,我们研究了一种装置,其中欧洲核子研究中心 [Centre Européen pour la Recherche Nucléaire (CERN)] 的 CLEAR 加速器的 200 MeV 电子束被引导到铝靶上以产生具有大中子分量的辐射场。通过测量特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 中的单粒子翻转 (SEU) 和闩锁率以及被动式无线电光致发光 (RPL) 剂量计中的总电离剂量 (TID),并将结果与 FLUKA 模拟的预测进行比较,对由此产生的环境进行了分析。我们发现,用铅制成的横向屏蔽可保护 SRAM 免受过高的 TID 率影响,从而为 SEU 测量提供最佳配置,尤其是在对 MeV 级中子高度敏感的 SRAM 中。相对于基于散裂靶或放射源的标准中子设施,此设置提供了一种有趣的补充中子源。
OBC-Cube-Polar 立方体卫星机载计算机采用 Microchip 的 PolarFire SoC FPGA,为立方体卫星任务提供可靠、高效的计算。凭借 PolarFire SEU 免疫力、高速处理、编程灵活性和低功耗,它提供了强大的纠错和辐射耐受性。它配备了先进的 RISC-V 内核、大量内存选择和广泛的连接选项,是科学研究和商业卫星部署的理想选择,可确保在具有挑战性的太空条件下始终如一地发挥性能。
摘要 — 本文介绍了一种针对计算机数据存储器的单粒子翻转 (SEU) 缓解策略的飞行测试结果。这种内存故障缓解策略是使用商用现货 (COTS) 现场可编程门阵列 (FPGA) RadPC 构建耐辐射计算系统的更大努力的一部分。虽然 RadPC 的先前迭代使用 FPGA 块 RAM (BRAM) 作为其数据存储器,但本文介绍的 RadPC 的特定组件是一种新颖的外部存储器方案,其附带系统可以检测和纠正计算机拟议数据存储器中发生的故障,同时允许计算机继续前台运行。2021 年 7 月,在 Raven Aerostar Thunderhead 高空气球系统上飞行了内存保护方案的原型实现。这次飞行将实验带到了 75,000 英尺的高度,持续了 50 小时,使实验中的内存受到电离辐射的轰击,而不会被地球大部分大气层衰减。本文将讨论故障缓解策略、飞行演示的实验设计以及飞行数据结果的细节。本文可能会引起正在设计将暴露于电离辐射的飞行计算机系统并正在寻找与现有抗辐射解决方案相比成本更低的 SEU 缓解策略的工程师的兴趣。索引术语 — FPGA、内存、辐射