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微型 FD-SOI MOSFET 的低温行为
摘要 — 本文介绍了一项关于 28 nm FD-SOI MOSFET 参数提取和分析的分析性实验研究，温度范围从室温到 25 K，栅极长度从微米到纳米。结果表明，FD-SOI 器件随温度变化的行为可以通过深低温条件下已建立的物理理论可靠地描述：玻尔兹曼统计和声子散射机制是决定器件电行为的两个主要因素。此外，我们还展示了 Y 函数作为一种参数提取方法的优势，适用于不同的通道长度和宽的温度范围。我们展示了阈值电压、亚阈值摆幅、低场迁移率和源漏串联电阻对温度的依赖性，以及栅极长度减小如何影响这些特性。
SiC MOSFET 在特定低栅源电压偏置下具有重复短路能力，可实现更强劲的极端操作
摘要 — 本文介绍了商用碳化硅 (SiC) MOSFET 器件在高漏源电压下重复性短路应力下的短路 (SC) 性能。研究了两种方案来评估栅源电压 (V GS ) 去极化和短路持续时间 (T SC ) 减少的影响。V GS 去极化可降低功率密度，并允许在增加短路持续时间 T SCmax 的情况下保持安全故障模式 (FTO：开路故障)。结果表明，SiC MOSFET V GS 去极化不会降低 T SCmax 下的短路循环能力。但是，使用 V GS 去极化可以使性能接近 IGBT 稳健性水平，在 T SC =10 µ s 下循环近 1000 次。短路测试期间芯片温度变化的模拟表明，性能下降仍然归因于短路循环期间结温 (TJ ) 的升高，这导致顶部 Al 融合，从而导致厚氧化物中出现裂纹。
更改首席股份注册处和转让办公室以及开曼群岛的注册办公室
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采用 MOSFET IRF 2805 的可变电源
本文讨论了使用 MOSFET 作为电流放大器的可变电源项目的开发。该项目旨在设计和构建一个可提供可调输出电压的电源，利用 MOSFET 来提高效率和性能。通过使用 MOSFET，该系统能够以最小的功率损耗传输大电流，使其成为各种电子应用的理想选择，包括设备测试和电机控制。本研究进行的模拟是通过创建电源设计并提供电位器开启度为 0%、20%、40%、60% 和 80% 的电压。电压表和万用表上显示的结果将显示 MOSFET 作为电流放大器与双极晶体管 (BJT) 相比的效率。
电动汽车电动传输的先进技术
摘要：无线充电是一种使用电磁场通过电磁诱导传输能量的一种充电方法。通过相互诱导的过程在设备（发射器和接收器）之间传递能量。来自太阳能的功率作为输入发射器电感线圈的输入，接收器电感线圈接收电源并将其转换为电流以给电池充电。太阳能电池板将太阳能转换为电力。他们使用光电效应的概念，当光落在太阳能电池板上时电子的发射。太阳能电池板由硅细胞组成，硅具有原子编号14。当光落在硅细胞上时，硅的最外部电子即两个电子设置为运动。这引发了电流。硅具有两种不同的细胞结构：单晶和多晶单晶太阳能电池板是由一个大硅块制造的，并以硅晶片格式制成。多晶太阳能电池也是硅细胞，它们是通过将多个硅晶体融合在一起而产生的。使用吸引人的回响的无线电力传输（WPT）是创新，它可能使人免于刺激性的电线。的确，WPT具有类似的基本假设，该假设刚刚创建了30年的归纳功率交换一词。最近，WPT创新在控制水平上正在迅速增长。使WPT对固定和动态充电情况的电动汽车（EV）充电应用非常有用。该项目调查了WPT中远程充电的进步。通过在电动汽车中呈现WPT，充电系统可以有效缓解。电池创新在电动汽车的大众市场入口中再也没有相关。信任的是，专家可以得到前沿成就的支持，并像EV的扩展一样推动WPT的进一步改进。
高压 MOSFET 产品营销经理 (f/m/div)
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SiC MOSFET 模块（半桥）
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60V、294A、1.1mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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CS6N80 A4R-G硅N通道功率MOSFET
散热器。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。