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siunitx – 综合 (SI) 单位包
4 包控制选项 17 4.1 键值控制系统. ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 4.5 打印数字. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
材料杂志的补充信息（SI）...
NC方案S2。 3CNCZOXD的合成路线。 O -FoxD（0.50 g，2.08 mmol），（9 H）-Carbazole-3-碳硝基（0.48 g，2.50 mmol）和K 2 CO 3（1.44 g，10.41 mmol）在Dimethyl sulfoxide（5 mL）（5 mL）中被搅拌150 o c，在Dimethyl SulfoxiDe（5 mL）中均可搅拌24 h H in an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an n hh in an an an an an n h。 冷却至室温后，将混合物倒入水中，过滤，然后用柱色谱法纯化硅胶，用二氯甲烷/石油醚作为洗脱液，作为负担白色的固体（收率：75％）。 1 H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ (TMS, ppm) 8.90 (s, 1H), 8.49 (d, J = 6.6 Hz, 1H), 8.40 (d, J = 9.0 Hz, 1H), 8.01 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 7.97 – 7.92 (m, 1H), 7.89 (d, J = 6.6 Hz，1H），7.74（D，J = 6.2 Hz，1h），7.52（t，j = 7.8 Hz，1H），7.48 - 7.43（M，1H），7.38（T，t，j = 7.0 Hz，3h），7.22 - 7.22 - 7.16（M，3H）（M，3H），7.10（M，D，D，D，J = 8.2 Hz，1H）。 ; 13 C NMR（101 MHz，DMSO-D6）δppm：164.21，162.12，143.43，142.39，134.62，133.92，132.70，131.77，131.40，131.40，131.40，131.14 122.89，122.39，121.81，121.75，120.61，111.13，110.43，102.35。 GC/MS（M/Z）：计算。 在C 27 H 16 N 4 O：412.5;发现：412.1。 肛门。 计算。 C 27 H 16 N 4：C 78.63，H 3.91，n 13.58％;发现：C 78.56，H 3.88，n 13.67％。 1.3。 4CNCZOXD的合成途径。NC方案S2。3CNCZOXD的合成路线。O -FoxD（0.50 g，2.08 mmol），（9 H）-Carbazole-3-碳硝基（0.48 g，2.50 mmol）和K 2 CO 3（1.44 g，10.41 mmol）在Dimethyl sulfoxide（5 mL）（5 mL）中被搅拌150 o c，在Dimethyl SulfoxiDe（5 mL）中均可搅拌24 h H in an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an an n hh in an an an an an n h。冷却至室温后，将混合物倒入水中，过滤，然后用柱色谱法纯化硅胶，用二氯甲烷/石油醚作为洗脱液，作为负担白色的固体（收率：75％）。1 H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ (TMS, ppm) 8.90 (s, 1H), 8.49 (d, J = 6.6 Hz, 1H), 8.40 (d, J = 9.0 Hz, 1H), 8.01 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 7.97 – 7.92 (m, 1H), 7.89 (d, J = 6.6 Hz，1H），7.74（D，J = 6.2 Hz，1h），7.52（t，j = 7.8 Hz，1H），7.48 - 7.43（M，1H），7.38（T，t，j = 7.0 Hz，3h），7.22 - 7.22 - 7.16（M，3H）（M，3H），7.10（M，D，D，D，J = 8.2 Hz，1H）。; 13 C NMR（101 MHz，DMSO-D6）δppm：164.21，162.12，143.43，142.39，134.62，133.92，132.70，131.77，131.40，131.40，131.40，131.14 122.89，122.39，121.81，121.75，120.61，111.13，110.43，102.35。 GC/MS（M/Z）：计算。在C 27 H 16 N 4 O：412.5;发现：412.1。肛门。计算。C 27 H 16 N 4：C 78.63，H 3.91，n 13.58％;发现：C 78.56，H 3.88，n 13.67％。1.3。4CNCZOXD的合成途径。
多孔硅纳米结构和阳极 SiO2 表面钝化可提高多孔硅太阳能电池效率
摘要：研究了多孔硅 (PS) 表面二氧化硅 (SiO 2 ) 阳极形成过程中的光伏效应，旨在开发一种潜在的钝化技术，实现高效的纳米结构硅太阳能电池。PS 层是在含氢氟酸 (HF) 的电解质中通过电化学阳极氧化制备的。在室温下，在 HCl/H 2 O 溶液中通过自下而上的阳极氧化机制在 PS 表面形成阳极 SiO 2 层。通过调节阳极氧化电流密度和钝化时间来精确控制表面钝化的氧化层厚度，以在 PS 层上实现最佳氧化，同时保持其原始纳米结构。PS 层微观结构的 HRTEM 表征证实了 PS/Si 界面处的原子晶格匹配。研究了光伏性能、串联电阻和分流电阻对钝化时间的依赖关系。由于 PS 表面钝化充分，阳极氧化时间为 30 秒的样品实现了 10.7% 的最佳转换效率。外部量子效率 (EQE) 和内部量子效率 (IQE) 表明由于 PS 的抗反射特性，反射率显著下降，而由于 SiO 2 表面钝化，则表明性能优越。总之，PS 太阳能电池的表面可以通过电化学阳极氧化成功钝化。
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺
在纳秒激光退火的SI 1 – X GE x /si Epilayers < /div>中研究重结晶和应力松弛
Sige合金数十年来引起了很多兴趣，尤其是在微电子行业中。如今，它们已在许多设备中使用。的确，由于GE [1]中的较高的孔迁移率和相对较小的晶格参数差异，因此它们与硅设备的兼容性使得能够设计出诸如应变，载流子迁移率和带盖之类的特性。一个人可以使用sige：b源和排水量来压缩PMOS通道，从而改善其电气性能[2]。但是，设备的连续微型化需要形成越来越浅的源/排水（S/d）连接，但具有高掺杂剂激活。因此，退火过程时间尺度变短且较短[3,4]。纳秒激光退火（NLA）可以达到SI [5-7]或GE [8,9]中的较高掺杂剂的激活。紫外线NLA（UV-NLA）也可以用于3D整合，因为其短脉冲持续时间及其短波长导致表面附近的高退化温度，同时将嵌入式层保持在较低的温度下[10-13]。
EMC 和 SI/PI 2014！- 合规杂志
研讨会组委会已规划并设计了 2014 年 EMC 研讨会，旨在通过多种展览、技术计划、配套计划和社交活动，确保尽可能丰富技术和专业交流机会。我们准备了三天由专家在多轨会议上发表的顶级同行评审技术论文，以及两天由行业专业人士发表的实践研讨会和教程、实验和演示。除了关于“标准 EMC”和信号/电源完整性的常规会议、特别会议和研讨会/教程会议外，还将发表关于新兴无线技术、纳米技术、信息安全和更多主题的论文！还包括附带的行业会议和完整的展厅，以了解最新的 EMC 产品和服务。请务必参观我们新参展商的展位。
EMC 和 SI/PI 2014！- 合规杂志
研讨会组委会已规划并设计了 2014 年 EMC 研讨会，旨在通过多种展览、技术计划、配套计划和社交活动，确保尽可能丰富技术和专业交流机会。我们准备了三天由专家在多轨会议上发表的顶级同行评审技术论文，以及两天由行业专业人士发表的实践研讨会和教程、实验和演示。除了关于“标准 EMC”和信号/电源完整性的常规会议、特别会议和研讨会/教程会议外，还将发表关于新兴无线技术、纳米技术、信息安全和更多主题的论文！还包括附带的行业会议和完整的展厅，以了解最新的 EMC 产品和服务。请务必参观我们新参展商的展位。
新 SI 时代的量子霍尔效应
2019 年 5 月 20 日，全球庆祝了世界计量日，这反映了国际单位制 (SI) 的历史性变革。在建立新 SI 时，世界各国政府计量界的代表与国际度量衡委员会 (CIPM) 决定，所有计量单位都应可追溯到自然界的基本常数。七个基本单位现在与七个固定值相关联，其中四个已被修改为表示精确值：普朗克常数 ( h )、基本电荷 ( e )、玻尔兹曼常数 ( k B ) 和阿伏伽德罗常数 ( N A )。常数 h 和 e 的变化对欧姆、伏特和安培等电学单位的定义有直接影响。在量子霍尔效应 (QHE) 的背景下，冯·克利青常数从 1990 年设定的常规值 ( R K-90 = 25 812.807 Ω) 变为了最新科学得出的 h/e 2 值 ( R K = 25 812.807 459 304 5 Ω)。
SI Creva Capital Services Private Limited
评级修订因素在运营规模的大幅度增加中，这反映了支出和AUM水平的增长以及改善的财务绩效。FY24（省）的总AUM成长为卢比。2669.74 Cr。 与卢比相比。 1319.08 Cr。 for23。 此外，在FY24中（prov。 ），支出为卢比。 18,527.11 cr。 在FY-23中，支出为Rs。 12,032 Cr。 因此，AUM增加到Rs。 2669.74Cr。 截至2024年3月31日（省） rs。 1,319 Cr。 截至2023年3月31日。 FY24的合并级别的PAT（省） 站在卢比。 194.91 Cr。 （根据INDA），反对卢比的23财年。 59.12 Cr。 （根据IGAAP）。 评级还考虑了由于投资者的常规资本注入而导致的合并水平（Onemi Technology Solutions Private Limited Limited-Onemi是控股公司）的舒适资本结构。 到目前为止，Onemi大约提高了Rs。 527.22 Cr。 来自主要流入SCCSPL的投资者。 截至2024年3月31日，Onemi报告了Networth和Rs的装备。 843.04 Cr。 和0.93次和Rs。 595.69 Cr。 和0.65次，分别为FY23。 SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。2669.74 Cr。与卢比相比。1319.08 Cr。 for23。 此外，在FY24中（prov。 ），支出为卢比。 18,527.11 cr。 在FY-23中，支出为Rs。 12,032 Cr。 因此，AUM增加到Rs。 2669.74Cr。 截至2024年3月31日（省） rs。 1,319 Cr。 截至2023年3月31日。 FY24的合并级别的PAT（省） 站在卢比。 194.91 Cr。 （根据INDA），反对卢比的23财年。 59.12 Cr。 （根据IGAAP）。 评级还考虑了由于投资者的常规资本注入而导致的合并水平（Onemi Technology Solutions Private Limited Limited-Onemi是控股公司）的舒适资本结构。 到目前为止，Onemi大约提高了Rs。 527.22 Cr。 来自主要流入SCCSPL的投资者。 截至2024年3月31日，Onemi报告了Networth和Rs的装备。 843.04 Cr。 和0.93次和Rs。 595.69 Cr。 和0.65次，分别为FY23。 SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。1319.08 Cr。for23。此外，在FY24中（prov。），支出为卢比。18,527.11 cr。在FY-23中，支出为Rs。12,032 Cr。因此，AUM增加到Rs。2669.74Cr。截至2024年3月31日（省）rs。1,319 Cr。 截至2023年3月31日。 FY24的合并级别的PAT（省） 站在卢比。 194.91 Cr。 （根据INDA），反对卢比的23财年。 59.12 Cr。 （根据IGAAP）。 评级还考虑了由于投资者的常规资本注入而导致的合并水平（Onemi Technology Solutions Private Limited Limited-Onemi是控股公司）的舒适资本结构。 到目前为止，Onemi大约提高了Rs。 527.22 Cr。 来自主要流入SCCSPL的投资者。 截至2024年3月31日，Onemi报告了Networth和Rs的装备。 843.04 Cr。 和0.93次和Rs。 595.69 Cr。 和0.65次，分别为FY23。 SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。1,319 Cr。截至2023年3月31日。FY24的合并级别的PAT（省）站在卢比。194.91 Cr。 （根据INDA），反对卢比的23财年。 59.12 Cr。 （根据IGAAP）。 评级还考虑了由于投资者的常规资本注入而导致的合并水平（Onemi Technology Solutions Private Limited Limited-Onemi是控股公司）的舒适资本结构。 到目前为止，Onemi大约提高了Rs。 527.22 Cr。 来自主要流入SCCSPL的投资者。 截至2024年3月31日，Onemi报告了Networth和Rs的装备。 843.04 Cr。 和0.93次和Rs。 595.69 Cr。 和0.65次，分别为FY23。 SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。194.91 Cr。（根据INDA），反对卢比的23财年。59.12 Cr。 （根据IGAAP）。 评级还考虑了由于投资者的常规资本注入而导致的合并水平（Onemi Technology Solutions Private Limited Limited-Onemi是控股公司）的舒适资本结构。 到目前为止，Onemi大约提高了Rs。 527.22 Cr。 来自主要流入SCCSPL的投资者。 截至2024年3月31日，Onemi报告了Networth和Rs的装备。 843.04 Cr。 和0.93次和Rs。 595.69 Cr。 和0.65次，分别为FY23。 SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。59.12 Cr。（根据IGAAP）。评级还考虑了由于投资者的常规资本注入而导致的合并水平（Onemi Technology Solutions Private Limited Limited-Onemi是控股公司）的舒适资本结构。到目前为止，Onemi大约提高了Rs。527.22 Cr。 来自主要流入SCCSPL的投资者。 截至2024年3月31日，Onemi报告了Networth和Rs的装备。 843.04 Cr。 和0.93次和Rs。 595.69 Cr。 和0.65次，分别为FY23。 SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。527.22 Cr。来自主要流入SCCSPL的投资者。截至2024年3月31日，Onemi报告了Networth和Rs的装备。843.04 Cr。 和0.93次和Rs。 595.69 Cr。 和0.65次，分别为FY23。 SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。843.04 Cr。和0.93次和Rs。595.69 Cr。 和0.65次，分别为FY23。 SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。595.69 Cr。和0.65次，分别为FY23。SCCSPL具有严格的风险管理政策，由严格的注销和提供规范支持。
