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si量子计算的Atomic Precision高级制造
我们称之为Atomic Precision Advanced Manufacturing（APAM）的材料合成方法，该方法是唯一已知的具有完整3D原子精度的硅纳米电子量的途径，它作为一种强大的原型制作工具，用于量子计算。使用原子（31 p）旋转Qpin的量子计算方案令人信服，这是由于长时间的较长时间，接近高保真阈值的长时间和两分的门，用于易于故障的量子误差校正，以及通过经过验证的SI基础技术进行制造的途径。多Quipit设备通过常规方式构成挑战，这是由于短距离旋转相互作用强制强迫的紧密间距，APAM提供了系统地研究解决方案所需的（Å级）精度。但是，将APAM应用于量增加的Qubits的制造电路将需要大量的技术开发。在这里，我们提供了有关APAM技术和材料的教程，并突出了其在量子计算研究中的影响。最后，我们描述了在多Quain架构和APAM技术开发机会的道路上的挑战。
等离子处理对SiO2/Si和Si3N4/…的影响
将石墨烯集成到电子、光子或传感设备中的限制因素之一是无法在隔离器上直接生长大规模石墨烯。因此，需要将石墨烯从供体生长晶片转移到隔离目标晶片上。在本研究中，通过电化学分层程序将石墨烯从化学气相沉积的 200 毫米锗/硅 (Ge/Si) 晶片转移到隔离 (SiO 2 /Si 和 Si 3 N 4 /Si) 晶片上，使用聚甲基丙烯酸甲酯作为中间支撑层。为了影响石墨烯的粘附性能，本研究调查了目标基板的润湿性。为了增加石墨烯在隔离表面上的粘附性，在石墨烯转移过程之前用氧等离子体对它们进行预处理。润湿接触角测量表明，表面与氧等离子体相互作用后亲水性增加，从而提高了石墨烯在 200 毫米目标晶圆上的附着力，并可能在标准 Si 技术中对基于石墨烯的器件进行概念验证开发。
具有再生长接触和截止/... 的 Si 基 GaN HEMT
摘要 — 本研究展示了 Si 衬底上 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的高频和高功率性能。使用 T 栅极和 n ++ -GaN 源/漏接触，栅极长度为 55 nm、源漏间距为 175 nm 的 InAlN/GaN HEMT 的最大漏极电流 ID,MAX 为 2.8 A/mm，峰值跨导 gm 为 0.66 S/mm。相同的 HEMT 表现出 250 GHz 的正向电流增益截止频率 f T 和 204 GHz 的最大振荡频率 f MAX。ID,MAX、峰值 gm 和 f T -f MAX 乘积是 Si 上 GaN HEMT 中报道的最佳乘积之一，非常接近最先进的无背势垒 SiC 上耗尽型 GaN HEMT。鉴于 Si 的低成本和与 CMOS 电路的高兼容性，Si 上的 GaN HEMT 对于成本敏感的应用特别有吸引力。
si：利用DFT和机器学习以准确...
表S2：从209个RDKIT描述符中选择功能选择，用于预测聚合物的光节间隙以及XGBoost模型的性能指标，该模型的性能指标训练了具有成对Pearson相关系数（P对）的不同组合的descriptors（P对）的组合，并且与光带差距有关（P GAP）（P GAP）。粗体表示P对和P间隙值的最佳组合。RMSE和MAE以EV测量。
船用 SI 和小型 SI 发动机、船舶和设备的排放控制：评论摘要和分析 (EPA420-R-08-016)
EMA 评论说，它一直积极参与制定下一阶段小型 SI 发动机标准的 NPRM。具体来说，EMA 一直致力于帮助 EPA 工作人员确定：(i) 可应用于小型 SI 发动机的最有效的废气排放控制技术；(ii) 可应用于小型 SI 发动机及其驱动设备的最有效的蒸发排放控制技术；(iii) 此类排放控制技术对小型 SI 发动机及其驱动设备的适用性限制；以及 (iv) 将可用的排放控制技术部署到市场的最佳时间表。这一协作过程的最终结果是 NPRM 真实而正确地反映了小型 SI 发动机及其驱动设备可实现的最大减排量。在这方面，EMA 非常感谢为制定待定规则所投入的时间和精力——该规则制定了极具挑战性和戏剧性但仍有可能实现的减排目标。事实上，在这种协作规则制定中付出的努力已经导致颁布了技术强制标准和相关法规的总体框架，这些框架的可行性和可实施性已经达到极限。因此，该总体框架需要在 NPRM 产生的任何最终规则中得到维护，否则
SI 2030 战略概述（董事会教育）
知识中心和资源使我们能够产生阿尔法，建立更具弹性的投资组合，并定位我们的投资组合以引导向低碳经济的转型——所有这些都是为了履行我们的受托责任和对会员的服务。
Goh Si Hui Victoria (1) 现任董事
- Serial System Ltd 的集团公司（子公司和联营公司） • Bast Global Sdn. Bhd. • Bast Investment Pte. Ltd. • Contract Sterilization Services Pte. Ltd. • CSS Medisys Pte. Ltd. • Inkcarts Pte. Ltd. • Newstone Technology Limited • Print-IQ Singapore Pte. Ltd. • SCE Enterprise Pte. Ltd. • Serial Investment (Korea) Limited • Serial Investment Pte Ltd • Serial Investment Taiwan Inc. • Serial I-Tech (Far East) Pte. Ltd. • Serial Microelectroncs (Shenzhen) Co., Ltd • Serial Microelectronics (HK) Limited • Serial Microelectronics Inc. • Serial Microelectronics Korea Limited • Serial Microelectronics Pte Ltd • Serial System International Pte. Ltd. • Stars Tea & Coffee Asia Pte. Ltd. • SerialTec Pte. Ltd. • Swift-Value Business Pte. Ltd. （2） 过去担任的董事职务（最近 5 年）
基于 Si/SiGe 的单晶体管存储器...
存储单元：• 可能实现高能效、可扩展性和集成密度，• 将与 CMOS 集成用于控制和读出电子设备 - 根据量子计算的需求设计和制造存储阵列，旨在满足需要在宽温度范围内操作的神经形态计算应用。
教学表（是）分子生物学...
预备课程 无 任何 先决条件 三年制学位期间获得的分子生物学基础知识 教育目标 本课程旨在为学生提供分子生物学的专业知识，特别关注细胞核中遗传信息的组织以及转录和基因表达的调控 预期学习成果（都柏林描述） 知识和理解 学生必须证明他或她理解并能够就染色质的结构和动态以及基因表达调控的转录和转录后机制展开讨论。学生还必须了解最常见的实验方法和
国际单位制 (SI)，2019 年版
商务部长通过 NIST 主任行事，根据法规 (§15 U.S.C.272) 第 (2) 款授权“制定、维护和保管国家计量标准，并提供与这些标准一致的测量手段和方法”，并根据第 (9) 款授权“确保美国国家计量标准与其他国家计量标准的兼容性”。根据此权力，SI 由 NIST 主任解释或修改，以供在美国使用。商务部长通过 NIST 主任行事，负责指导和协调联邦部门和机构根据《公制换算法》(15 U.S.C.205b)（经 1988 年《综合贸易与竞争力法》修订）实施政府公制使用。