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波特休尼米分部海军水面作战中心
L 部门 SIBR 第三阶段工程服务和 AN/SYM-3V 设备采购 AC13 541330 > 700 万美元 - < 9300 万美元小型企业预留 FY24 Q3 FY25 Q2 承包商设施自适应诊断电子便携式测试距离支持传感器套件；现在已获得 AN/SYM-3(V) 批准的记录系统 Mikros N63394-16-D-0018 N6339421F0037 2025 年 9 月 20 日
PHD LRAF FY22Q3.pdf - 海军海上系统司令部
L-Dept SIBR 第三阶段工程服务和 AN/SYM-3V 设备采购 AC12 541715 > 700 万美元 - < 9300 万美元小型企业预留 FY24 Q3 FY25 Q2 承包商设施自适应诊断电子便携式测试距离支持传感器套件；现在已获得 AN/SYM-3(V) 批准的记录系统 Mikros N63394-16-D-0018 N6339421F0037 9/20/2025
市场模拟计划 2026 年春季发布
2026 年春季发布计划的市场模拟将在 MAP 阶段环境中进行。如果参与者尚未获得此环境的访问权限，则需要获取访问权限。ISO 设想参与者可能希望访问主文件 (MF)、市场参与者门户 (MPP)、停电管理系统 (WebOMS)、需求响应登记系统 (DRRS)、资源充足性客户界面 (CIRA)、调度基础设施和业务规则 (SIBR)、基本计划聚合门户 (BSAP)、平衡授权区域运营门户 (BAAOP)、CAISO 市场结果界面 (CMRI)、自动调度系统 (ADS) 和市场结果界面结算 (MRIS)。对于尚未获得 MAP 阶段系统访问权限的用户，可以通过填写应用程序访问请求表 (AARF) 或通过访问身份管理 (AIM) 应用程序修改现有证书来请求访问权限。有关填写 AIM 和 AARF 表格的信息可在 ISO 门户的应用程序访问请求表和应用程序安装说明标题下找到。有关访问面向外部的 ISO 环境的信息可在 ISO 公共网站的“应用程序访问”页面 ( 链接 ) 上找到。接口信息可在 ISO 开发人员网站上找到 – ( 链接 )
脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
业务需求规范
o将RCU/RCD竞标盖恢复到$ 250。o将特定于MSS的年度RUC参与标志设置为始终选择加入。o net的RCU/RCD从RUC BCR计算中重叠RA容量。o未评估Raaim授予IR和RC奖项的通用和Flex RA奖。o将DA和基本计划预测运动扩展到虚拟供应和需求资源。o将FMM偏差和解扩大到虚拟供应资源。o在分配剩余预测移动定居点时的虚拟FM。o在LSE-Resource Pair上制作了LSE-Resource对临时标志，而不是仅限LSE，并将其逻辑和提交系统从主文件更新为CIRA。o如果E-TAG验证失败，则将UEL设置为0的系统资源。o要求提交DA能源出口的RCU奖的资源必须在EDAM区域以外出口，必须提供减少的RT能源出价，以派遣FMM中的出口时间表。o更新了，因为不减轻代表从EDAM区域以外的进口提交的RCU投标。o在CMRI报告中发布了IRU/IRD和RCU/RCD RA能力。o更改了IRU和IRD的坡道速率段的计算，以对应于DAE，而不是DAE+IRU和DAE-iRD。o删除了RCU/RCD边际价格中包含的交互拥塞组件的要求。o更新为SOC公式约束公式。o在市场优化，定居点和报告中考虑了不平衡储备的盈余。o允许每日最小能量限制限制为正面或负面，与市场一致。o扩展不平衡储备的要求输入模型以涵盖交易日 +1，+2的市场和报告。o添加了IRU和IRD认证能力的公式。o用代理RCU MW替换代理RCU标志，如适用。