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3.3 kV SiC MOSFET 加速电网连接储能
• BESS 使用隔离拓扑（例如双有源桥 (DAB) 后接有源前端转换器 (AFEC)）集成到 MV 电网（2.3 kV、4.16 kV 或 13.8 kV） • 与两级拓扑相比，3 级中性点钳位拓扑既降低了滤波器要求，又降低了 SiC MOSFET 两端的电压应力 • 根据电网电压，可以串联 SiC 3.3 kV MOSFET 二极管器件
3.3-kV SIC MOSFET性能和通道长度相关的短路能力
1俄亥俄州立大学，俄亥俄州哥伦布，俄亥俄州，美国，xing.174@osu.edu 2基因半导体公司，美国弗吉尼亚州斯特林市，弗吉尼亚州斯特林，ranbir.singh@genesicsemi.com 3 sandia国家实验室，美国新罕布什尔州阿尔巴克基，美国，美国，satcitt@sandia.gov--- 5-A SIC MOSFET由基因制造。涉及静态特征和短路可持续能力。在不同的门电压下以2.2 kV的排水偏置探索它们的饱和电流。在2.2 kV和18-V门电压的排水电压下测量两种设备的短路承受时间。将短路测试结果与来自四个供应商的1.2 kV SIC MOSFET进行了比较。测试结果表明，在SC事件中，通道长度和较高电压等级的SIC MOSFET具有更长的持续时间。此外，开发了短通道设备的设备模型。所有测试均在室温下进行。简介和动机 - 中型电压宽带隙（WBG）半导体大于3 kV对于功率转换应用具有吸引力，以提高性能。尽管这些设备中的大多数仍在出现，但价格明显较低，并且很容易从基因上获得设备。需要评估这些设备的性能和可靠性，以确保将来会有大量的市场吸引力。在本文中，评估了新一代3.3-kV，5-A SIC MOSFET的基因。根据测试结果开发了香料模型。SC测试的电路图如图4。与针对相似设备的静态和动态评估的先前报告相比，在这种情况下，有两种具有不同通道长度的设计类型。结果和意义 - 第一象限I-V曲线和阈值电压如图1-2所示。在其排水量泄漏电流，闸门源泄漏电流和电容中没有明显差异。如图3所示，测量额定电压（2.2 kV）和三个不同的栅极电压下的饱和电流。最初设置了2.2-KV，18-V v g„的SCWT测量。A 1-1.TS增量。图5-6中显示了每个回合的设备故障波形和SC电流。从四个不同供应商的1.2 kV SIC MOSFET也以额定电压（0.8 kV）和18-V V GS的2/3进行测量。比较图如图7所示。与短通道设备相比，长通道设备的RDSON有1.23倍的RDSON，0.49个时间ID（SAT），18-V V g„和1.4倍SCWT。对于诱导设备故障的脉冲，短通道设备在5范围内消散了约900 MJ，而长通道设备在7 TTS内消散了799 MJ。由于两个设备的模具尺寸几乎相同，因此具有较大SC能量的短通道设备比长通道设备更早。将V GS拉到零后，这两个设备都失败。这种故障机制可以是通过设备的熔融铝穿透[2]。与1.2 kV设备相比，3.3-kV脱离显示更长的SCWT。由于末端电容没有差异，因此仅针对短通道设备执行动态评估，如图8所示。在2.4-kV DC电压和6-A I DS电流时，打开损失为850 TD，为25 kV/ps，关闭损耗为150 µJ，为53 kV/ias。用于香料建模零件，使用级别1，级别2和降压电荷模型[3]（图9）。拟合结果表明，降压电荷模型更适合这种中电压功率SIC MOSFET。车身二极管特性和末端电容也被建模并在图10中显示。参考 - [1] H. Wen，J。Gong，Y。Han和J. Lai，“ 3.3 kV 5 A SIC MOSFET的表征和评估，用于固态变压器应用”，2018年亚洲能源，电力和运输电气化会议（APTICERAIGT），2018。[2] K. Han，A。Kanale，B。J。Baliga，B。Ballard，A。Morgan和D. C. Hopkins，“ 1.2KV 4H-SIC MOSFETS和JBSFETS和JBSFETS的新短路故障机制”，2018 IEEE第6次IEEE第6届宽带电源设备和应用程序（WIPDA）（WIPDA）的第6届研讨会，2018年。[3] N. Arora，“ VLSI电路模拟的MOSFET模型”，计算微电子学，1993。
高级/首席 SiC 工艺开发工程师 (男/女/其他)
您的工作内容 • 在现场或其他地点开发用于分立 SiC 功率产品（如二极管和 MOSFET）的模块和晶圆制造工艺 • 作为产品开发项目团队成员，与产品专家、工艺和生产工程师以及质量工程师组成多学科团队 • 在晶圆厂开展中小型工艺优化项目 • 积累硅和 SiC 晶圆工艺的专业知识（技术和程序） • 调查竞争对手的工艺和技术 • 建立并维护内部联系
开发用于月球应用的抗 SEB 高压 SiC 功率器件
辐射目标：• 在阻塞配置（处于供电反向偏置/关闭状态）下，重离子不会在辐射时引起永久性破坏效应，离子具有 40 MeV-cm 2 /mg 的硅等效表面入射线性能量转移 (LET)，足以维持整个外延层的 LET 水平上升。
用于500°C的SIC
以及用于在500°C下运行的硅碳化硅（SIC）传感器和电子设备的开发，长期高温测试以及这些传感器和电子设备的部署需要兼容的包装技术。96％Al 2 O 3陶瓷是一种良好的电绝缘材料，在宽温度和频率范围内可接受的介电常数和低介电损耗。本文为低功率集成电路提供了包装系统，包括基于96％AL 2 O 3陶瓷基板的8-i/o芯片级包装和印刷电路板（PCB）（PCB），以及用于500°C应用的AU厚金属化金属化。介绍了与包装和PCB的设计，包装材料以及特定包装步骤食谱有关的详细信息，包括电线 - 粘合和模具结合。审查了该原型包装方法的一些测试结果，该方法在500 O C时应用于SIC集成电路。关键词高温，包装，氧化铝，厚膜
胺添加剂对SIC的热失控抑制|| NCM811电池的影响
具有高镍含量的NCM电池的高能密度是替换化石燃料和促进清洁能源开发的关键优势，同时也是电池严重安全危害的根本原因。一级和次级胺可以导致公共碳酸盐电解质的开环聚合，从而导致阴极和阳极之间的隔离层，并改善电池的热安全性。在这项工作中，根据胺和电池组件之间的化学反应，在材料水平和细胞水平上都考虑了电池的安全性。在材料水平上，通过差分扫描量热法测试了胺添加剂对锂离子电池不同组件的热稳定性的影响。在细胞水平上，通过使用加速速率量热计提取热失控（TR）特性温度，测试了带有和没有添加剂的整个电池的安全性。胺的添加导致电池组件之间的某些化学反应的早期发作，以及总热量释放的显着降低和最大温度上升速率的降低，从而有效地抑制了TR。
英国经济活动标准行业分类 2007 (SIC 2007)
国家统计局 国家统计局 (ONS) 是英国统计局的执行办公室，该局是一个非部级部门，直接向议会汇报。ONS 是英国政府最大的统计数据制作机构。它汇编有关英国社会和经济的信息，并为政策和决策、资源分配和公共问责提供证据基础。ONS 局长直接向国家统计局局长汇报，后者是该局的首席执行官和政府统计局局长。
SiC 衬底和外延晶片中位错修饰的 PL 特征
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重复短路应力下 SiC MOSFET 栅极老化规律预测
b IRT Saint-Exupéry，图卢兹，法国 摘要 本文提出了 SiC MOSFET 栅极在重复短路应力下的老化规律。基于分析研究、物理形式和预处理数据，提出了基于应力变量 T j、T 脉冲栅极损伤 % 和 E sc 的数值拟合。对老化规律的准确性和预测能力进行了评估和比较。结果提出了一种基于 T Al_Top 金属源的新老化规律。该规律的拟合精度最高。最后，直接基于短路能量 E sc 的老化规律似乎具有最佳的预测能力。 1. 简介 SiC MOSFET 提高了功率转换器效率 [1]。如今，必须保证意外极端操作中的可靠性和稳健性。然而，由于平面结构中的电流密度更高和通道更短，SiC MOSFET 的短路 (SC) 耐受时间 (T SCWT @2/3 x V DSmax ) 低于硅器件，t SCWT = 2μs，而 Si IGBT 的 t SCWT = 10μs。最近，人们投入了大量精力来研究短路测试下的专用 SiC MOSFET 故障机制 [2,3]。高温变化导致栅极区域和 Al 源金属周围产生累积热机械应力。这些通常导致 SiC MOSFET 无法超过源自硅标准的 1000 次重复短路循环阈值。在 SiC MOSFET 栅极损坏之前，对其允许的短路循环次数的预测目前尚不为人所知，但这却是运行阶段主要关注的问题。在 [4] 中，提出了威布尔分布和直接 T j Coffin-Manson 老化定律，但漏源电压偏置降低至 200V，并使用栅极沟槽器件。在 [5] 中，作者通过实验证实了栅极老化与 T j 应力的依赖关系，但未拟合 Coffin-Manson 参数，因此未提出预测能力。在本文中，进行了重复的 SC 研究，以建模并提出一组 SiC MOSFET 上的预测分析栅极老化定律
在H -BN/SIC异质结构中的扭转界面处的非线性光学
abbit biswas *，rui Xu，Gustavo A. Alvarez，Jin Zhang *，Joyce的Christian-Salamheh，Anand B. Pummirath，Corry Burns，Jordan A. Elkins，Tymophi S. Paykov，Robert Vaggei，A。Glen Birdwell，Mahesh R. Neupnae，Elias J. Garatt，Tony G. Evanov，Bradford b。pate，Yuji Zhao，Hanue Zhu *，Zhiting Tea *，Angel Rubio *和Pulickel M. Ajayan *