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ESCC，QML-V或JAN合格产品的ST投资组合包括二极管，双极晶体管，功率MOSFET以及逻辑，接口，模拟和电源管理集成电路。st的专有技术组合包括平面，SIC和GAN（离散），130 nm混合信号CMO，BCD（POWER ICS），SIGE 130 nm和55 nm和55 nm（RF ICS），以及65 nm和65 nm和28 nm Bumb和28 nm Fdsoi（高密度混合和cmignal和Rensignal和Remsignal and Imbers），以及RFF），以及CMF），CMS（CM）（CM）（CM）（CM）（CM）（CM）（CM）（CM）（CM）（CM）（CM）。这些技术大多数证明了Rad-Hardness功能。st Rennes Plant是ESCC，QML和JAN认证。它支持从LCC-2到CLGA625的电线粘合陶瓷密封包装，在陶瓷和有机基材上翻转芯片，直至CLGA 1752 / BGA1752。
零偏置功率检测器的设计对5G设备中的功耗优化
本文介绍了基于MOSFET晶体管的零偏置功率探测器的设计和表征，该晶体管从ST-Microelectronics中集成了SIGE 55 nm BICMOS技术。电路的工作频带位于（38-55）GHz范围内，致力于优化5G设备中的功耗。使用该技术中可用的三个NMO类别（GP，LP，HPA），目的是根据不同的NMOS类别设计多个检测器，以比较其性能。此外，设计了基于6 LP晶体管的堆栈的检测器，以增加动态范围。与最近的工作相比，HPA检测器的性能非常好，噪声等效功率值（NEP）3.8 PW/√和67 dB的大动态范围。这些检测器的提取的电压灵敏度值在（850-1400）v/w之间显示了与仿真结果的良好协议。
![arXiv:2401.01229v2 [physics.ins-det] 2024 年 2 月 11 日](/simg/g:\will\search\icon\source\7\7c8f638754f6a6deeb95ed0cf1caebbf17f0b4d3.webp)
arXiv:2401.01229v2 [physics.ins-det] 2024 年 2 月 11 日
摘要：使用飞秒激光研究了为 MONOLITH H2020 ERC Advanced 项目生产的第二个单片硅像素原型的时间分辨率。ASIC 包含一个间距为 100 𝜇 m 的六边形像素矩阵，由低噪声和超快的 SiGe HBT 前端电子设备读出。使用厚度为 50 𝜇 m 的外延层、电阻率为 350 Ω cm 的硅晶片来生产完全耗尽的传感器。在测试的最高前端功率密度 2.7 W/cm 2 下，发现飞秒激光脉冲的时间分辨率对于由 1200 个电子产生的信号为 45 ps，对于 11k 个电子则为 3 ps，这大约相当于最小电离粒子产生的电荷最可能值的 0.4 倍和 3.5 倍。将结果与使用相同原型获取的测试光束数据进行比较，以评估电荷收集波动产生的时间抖动。
（sub） - 毫米波电网校准和设备表征
摘要：精确度量在电子设备中起着至关重要的作用，特别是在使用BICMOS技术的设备中嵌入THZ应用中的硅具有异质结（HBT）的表征。由于最近在纳米范围内制造技术的创新，能够在亚毫升波区域运行的设备成为现实，并且必须满足对高频电路和系统的需求。将精确的模型达到此类频率，不再有可能限制参数以下的提取低于110 GHz，并且必须研究允许获得被动和主动设备的可终止测量的新技术。在本论文中，我们将研究不同无源测试结构的硅（磁力）上S参数的特征，而B55技术中的HBT SIGE从Stmicroelectronics（最高500 GHz）进行了SIGE的表征。我们将首先引入通常用于此类分析的测量设备，然后我们将转到IMS实验室中采用的各种测量台，最后我们将重点介绍校准和剥离技术（DE-DEMEDDIQUS（DE-EXED），通过审查高频率特征和两种效率上的校准劳ith钙的主要批评，以进行校准和剥离技术。 TRL）到WR-2.2条。在完成时，我们将提出一些测试结构，以评估对Miller Wave测量和新输电线设计解决方案的不良影响。将提出两个为IMS的磁力表征的光质产生的循环：我们将介绍一个新设计的浮球层设计，并评估其限制寄生效应以及其环境效果（底物，邻近的结构和diaphony）的能力。为了进行分析，我们将依靠紧凑型模型 +探针的电磁模拟和混合EM模拟，包括用于评估测量结果的探针模型，更接近实际条件。将仔细研究两个有希望的设计：“布局M3”，旨在以单个级别的校准表征DUT，而“曲折线”，通过避免在硅的测量过程中避免任何运动，从而保持两个恒定探测器之间的距离。关键字：表征，传输线，Terahertz，毫米波，校准，silicuim，tbh坐着
2024 JINST 19 P04029
摘要：使用飞秒激光研究了为 MONOLITH H2020 ERC Advanced 项目生产的第二个单片硅像素原型的时间分辨率。ASIC 包含一个间距为 100 μ m 的六边形像素矩阵，由低噪声和非常快速的 SiGe HBT 前端电子设备读出。使用厚度为 50 μ m 的外延层、电阻率为 350 Ω cm 的硅晶片来生产完全耗尽的传感器。在测试的最高前端功率密度 2.7 W/cm 2 下，发现飞秒激光脉冲的时间分辨率对于由 1200 个电子产生的信号为 45 ps，对于 11k 个电子则为 3 ps，这大约相当于最小电离粒子产生的电荷最可能值的 0.4 倍和 3.5 倍。将结果与使用同一原型获取的测试光束数据进行比较，以评估电荷收集波动产生的时间抖动。
口服免疫疗法中的过敏原B细胞反应 -
缩写：ABS，抗体； BCl-6，B-细胞淋巴瘤6; Bcl-XL，B-细胞淋巴瘤 - 超大； BCR，B细胞受体； Breg，B监管； CD，分化簇； CD40L，CD40配体； cDNA，互补的DNA； CMA，牛奶过敏； DEG，差异表达的基因； GFP，绿色荧光蛋白； HC，健康对照； IG，免疫球蛋白； il，白介素； LPS，脂多糖； nt，自然耐受性； OIT，口服过敏原免疫疗法； PBMC，外周血单核细胞；豌豆，接近扩展测定； RNA，核糖酸； RNA-seq，RNA测序； SIGE，特定的免疫球蛋白E； SIGG，特定的免疫球蛋白G； SIGG1，特异性免疫球蛋白G1； SIGG2，特异性免疫球蛋白G2； SIGG3，特异性免疫球蛋白G3; SIGG4，特异性免疫球蛋白G4； TGF-β，转化生长因子β； TLR，喜欢的受体。
利用技术和工艺分析工具来克服冻干的挑战，在开发，规模化和制造Biolo
生物药物在治愈许多改变生活的疾病方面表现出了巨大的希望，甚至有些曾经被认为无法治愈的疾病。但是，由于生物材料的敏感性，它需要专门的开发和制造过程。通过冻干化稳定对保留产品的生物活性，结构完整性和同质品质具有吸引力，所有这些都对产品的成功至关重要。本白皮书描述了与生物药物产品的冻干相关的挑战。使用设计质量（QBD）方法与SP Sige™（LOS）套件的技术套件提供了提供数据丰富的环境的技术，可以克服许多这些挑战。特别是，可以通过使用LOS投资组合中的可扩展技术来简化冻干化从早期开发到完全商业化的扩展。从事生物制剂的公司需要使用良好的数据来提供成功的过程才能提供成功的产品。
研究生院
这些职位纯粹是临时的，最初将以合同基础填写，直到2025年3月31日，可扩展到终止项目主题以令人满意的绩效为止。年龄限制：SRF职位的最高年龄为35岁（SC/ST＆Women的五年放宽，根据GOI/ICAR规则，OBC的三年）。只有具有必要资格的候选人才能接受面试。符合条件的候选人将不得不将所有原始学位证书和标记表提供10、12，UG，PG，PG，PH.D/NET/NET/GATE/同等证书，经验证明和一组自动证明的光电专题，所有所需的认证来自Antriculation of Motriculation in Wardswards，以及最新的Passerport sige sennex and Pasterport y sennex and plastept ii senter in II（当前ii the In ceplate ii the In ceplate ii the II in II in I i i ii）（当前ii）（当前均与II）相同。经验证明和
无标题-A*Star Research
先进的及延期技术中心（ARTC）生物信息学研究所（BII）生物处理技术研究所（BTI）实验药物开发中心（EDDC）新加坡基因组基因组水平技术计划办公室（HTPO）机器人健康和MEDTECH（HMT）传染病（ID）城市与绿色技术（UGT）生物工程与生物影像学研究所（IBB）化学与工程科学研究所（ICES）高性能计算研究所（IHPC）Infocomm Research（IHPC）Infocomm Resecation（IHPC）Infocomm Institute（I²R）研究所（I²R）研究所（IMB）微电子学（IME）材料研究与工程研究所（IMRE）国家计量中心（NMC）新加坡免疫学网络（SIGE）新加坡临床科学研究所（SICS）新加坡制造技术研究所（SIMTECH）新加坡新加坡新加坡新加坡食品与生物技术研究所（SIFBI）Skinapore（Sifbi）Skinapore（Sifbi）Skinapore（SIFBI）
IBM东北走廊中的高级包装IBM东北走廊中的高级包装
2023 3D Heterogenous Integration 2022 Artificial Intelligence Unit (AIU) 2021 World's First 2-nm Node Chip 2016 Quantum Computing in the Cloud 2012 Atomic Imaging 2011 Watson System 2009 Nanoscale Magnetic Resonance Imaging (MRI) 2008 World's First Petaflop Superconductor 2007 Web-scale Mining 2005 Cell Broadband Engine 2004 Blue Gene/L 2003 5 Stage Carbo纳米管环振荡器2000 Java性能1998硅在绝缘体上（SOI）1997铜互连接线1994硅锗（Sige）1990 1987年化学扩增1987年高温超导性（诺贝尔奖）（诺贝尔奖）（诺贝尔奖） 1971年语音识别1970关系数据库1967分形1966年单位记忆单元1957 Fortran 1956随机访问记忆记忆会计计算机（RAMAC）