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已确认的全体会议和特邀发言人
NTT 300 GHz 频段 InP HBT 功率放大器和 InP-CMOS 混合相控阵发射器 Alyosha C. Molnar 康奈尔大学 超越 CMOS 的 N 路径混频器 Pascal Chevalier ST Microelectronics 用于有线、无线和卫星通信应用的 55 纳米柔性 SiGe BiCMOS 技术 Takuya Maeda 东京大学 ScAlN/GaN 电子设备应用特性 Trevor Thornton 亚利桑那州立大学 高功率器件的金刚石-BN 异质结：终极 HEMT ? Jim Sowers Maxar Space Infrastructure 商业通信卫星有效载荷中的 III-V 族半导体 Kenle Chen 中佛罗里达大学 用于下一代无线通信的负载调制平衡放大器 Bernhard Grote NXP 基站 GaN HEMT 和 GaN PA 技术进展 Lan Wei 滑铁卢大学 基于物理的单片 GaN 集成模型系列 Larry Dunleavy Modelithics Inc.，南佛罗里达大学
2023 年年度报告
2023 年，我们通过增加新的高速设备（例如重驱动器、重定时器、多路复用器、解复用器和 USB HUB）来增强我们的高速产品组合，以支持 HDMI 2.1、DP 2.1 (20Gbps) 和 USB 4.0 (40Gbps)。我们专注于开发领先的高速技术和产品。我们成功大规模部署了第一代 USB 4.0 (40Gbps) 重定时器。我们还开发了第二代 USB 4.0 重定时器，以进一步提高性能并降低成本。因此，我们的 USB 4.0 重定时器一直享有较大的市场份额，并已成功设计到支持 AI 的笔记本电脑系统中。我们为工作站、服务器和高速电缆开发并推出了基于 SiGe BiCMOS 工艺的 PCIe Gen 4 (16Gbps) 和 Gen 5 (32Gbps) 以及 USB 4.2 (80Gbps) 高速重驱动器。我们还成功开发了 PCIe Gen 5 重定时器技术和产品，并将其设计到客户的系统中。
基于 PEDOT/SnS 掺杂 Ag 的混合层状热电材料的电化学合成
其中，S 为塞贝克系数，σ 为电导率，κ 为热导率，T 为绝对温度。ZT 用于比较热导率不同材料的热电性能。而功率因数（PF = S2σ）则比较热导率相近材料的热电效率。[1–7] 目前，Bi 2 Te 3 、PbTe 和 SiGe 等无机化合物占据热电市场主导地位。[8–12] 然而，这些化合物的使用存在若干缺点，例如毒性、原材料稀缺、成本高和不可持续。因此，人们对寻找可替代的可持续、高度丰富、低成本和无毒的材料有着浓厚的兴趣。有机半导体（例如：导电聚合物、碳质材料和纳米复合材料）由于其优越的性能（例如可用性、低热导率、易于化学改性和大规模生产）而提供了一种新兴的替代方案。通过掺杂 PEDOT 来提高导电聚合物的热电性能，可使 ZT 值达到 0.2–0.4。[13] 碳纳米结构，特别是碳纳米管 (CNT) 在通过以下方法制备的多层系统中表现出优异的热电行为
具有创纪录高饱和输出电流密度的高增益石墨烯基热电子晶体管
热电子晶体管 (HET) 代表了一种令人兴奋的新型半导体技术集成器件，它有望实现超越 SiGe 双极异质晶体管限制的高频电子器件。随着对石墨烯等 2D 材料和新器件架构的探索，热电子晶体管有可能彻底改变现代电子领域的格局。这项研究重点介绍了一种新型热电子晶体管结构，其输出电流密度创下了 800 A cm − 2 的记录，电流增益高达 𝜶，采用可扩展的制造方法制造。该热电子晶体管结构包括湿转移到锗衬底的 2D 六方氮化硼和石墨烯层。这些材料的组合可实现卓越的性能，尤其是在高饱和输出电流密度方面。用于生产热电子晶体管的可扩展制造方案为大规模制造开辟了机会。热电子晶体管技术的这一突破为先进的电子应用带来了希望，可在实用且可制造的设备中提供大电流能力。
皮秒雪崩探测器
摘要：皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器，旨在实现带电粒子跟踪，具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后，在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型，该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明，原型机可以正常工作，并且显示雪崩增益，最大电子增益可达 23。雪崩特性研究（经 TCAD 模拟证实）表明，55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
Tower Semiconductor 与 Anello Photonics 宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发新型硅光波导工艺技术
关于 Tower Semiconductor Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ: TSEM, TASE: TSEM) 是领先的高价值模拟半导体解决方案代工厂，为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等不断增长的市场提供集成电路 (IC) 技术和制造平台。Tower Semiconductor 致力于通过长期合作伙伴关系及其先进创新的模拟技术产品对世界产生积极和可持续的影响，包括广泛的可定制工艺平台，如 SiGe、BiCMOS、混合信号 CMOS、RF CMOS、CMOS 图像传感器、非成像传感器、集成电源管理（BCD 和 700V）和 MEMS。Tower Semiconductor 还为 IDM 和无晶圆厂公司提供世界一流的设计支持，以实现快速准确的设计周期以及包括开发、转移和优化在内的工艺转移服务。为了向客户提供多晶圆厂采购和扩展产能，Tower Semiconductor 在以色列设有两家制造工厂（150 毫米和 200 毫米），在意大利设有一家制造工厂（300 毫米），
TUe 硅激光器
过去 50 年来，世界各地的研究人员一直在寻找制造硅基或锗基激光器的方法。埃因霍温工业大学 (TU/e) 和慕尼黑工业大学 (TUM) 的研究团队与耶拿大学和林茨大学的同事合作，现已开发出一种可以发光的硅锗合金（EMT Fadaly 等人，《六方 Ge 和 SiGe 合金的直接带隙发射》，Nature vol580，p205（2020 年 4 月 8 日）；DOI：10.1038/s41586-020-2150-y）。因此，人们认为，开发能够集成到现有芯片中的硅激光器首次指日可待。硅通常以立方晶格结晶，由于具有间接带隙，这种形式不适合将电子转换为光。研究团队迈出的关键一步是能够利用具有六方晶格的锗和硅生产锗和合金。“这种材料具有直接带隙，因此可以自行发光，”慕尼黑工业大学半导体量子纳米系统教授乔纳森·芬利 (Jonathan Finley) 说道。
Aeroallerregen免疫疗法临床免疫学/过敏专家指南
LLR Large local reaction AlOH Aluminium hydroxide (Alum) MCT Mast cell tryptase AR Adverse reaction NSP Normal saline with phenol BAT Basophil activation tests PBS Pharmaceutical Benefits Scheme, AU CCD Common carbohydrate determinants Pharmac Pharmaceutical Management Agency, NZ DBPC Double blind placebo controlled PRP Pathogenesis-related protein DF Dermatophagoides farinae OAS Oral allergy syndrome DP Dermatophagoides pteronyssinus QOL Quality of life FDA Food and Drug Administration (USA) RCT Randomised controlled trials GMP Good manufacturing practice sIgE Allergen specific IgE HDM House dust mite SCIT Subcutaneous immunotherapy HSA Human Serum Albumin SLIT Sublingual immunotherapy IgE Immunoglobulin E SOTI Specific oral tolerance诱导IgG IgG免疫球蛋白G SPT皮肤刺测试IDT IDT IDT IDT IDT IDT SR全身反应IT免疫疗法TGA治疗产品管理，AU
锗单孔泵 - NPL 出版物
摘要 单电荷泵是单位安培量子标准的主要候选者，因为它们可以产生精确和量化的电流。为了在精度和操作速度方面达到计量要求，过去十年来，人们一直关注基于半导体的设备。使用各种半导体材料可以测试电荷泵设备的通用性，这是计量学非常理想的证明，GaAs 和 Si 泵处于这些测试的最前沿。在这里，我们展示了可以在尚未探索的半导体中实现泵送，即锗。我们实现了一个单孔泵，其可调势垒量子点在 Ge/SiGe 异质结构界面处静电定义。我们通过使用单个正弦驱动系统（频率高达 100 MHz）来观察量化电流平台。原型的运行受到多个点的意外形成的影响，这可能是由于无序电位和随机电荷波动造成的。我们建议直接改进制造工艺，以在未来的实验中改善泵特性。
2025异构集成路线图（HIR）第8版...
Subramanian S. Iyer (Subu) 是加州大学洛杉矶分校的杰出教授，担任电气工程系 Charles P. Reames 特聘教授，并兼任材料科学与工程系教授。2023-4 年，他被任命为美国商务部国家先进封装制造计划主任，在那里他为国家封装势在必行奠定了基础战略。他是异构集成和性能扩展中心 (UCLA CHIPS) 的创始主任。在此之前，他是 IBM 研究员。他的主要技术贡献是开发了世界上第一个 SiGe 基 HBT、Salicide、电保险丝、嵌入式 DRAM 和 45nm 技术节点，用于制造第一代真正低功耗的便携式设备以及第一个商用中介层和 3D 集成产品。自加入加州大学洛杉矶分校以来，他一直在探索新的封装范式和设备创新，这些创新可能实现晶圆级架构、内存模拟计算和医学工程应用。他是 IEEE、APS、iMAPS 和 NAI 的研究员，也是