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空间技术提案征集
TIA 正在呼吁提交空间创新计划的资金申请。这是一项由科学和创新部 (DSI) 和空间基础设施中心 (SIH) 发起的战略计划，由南非国家航天局 (SANSA) 实施。其目标是发展空间科学和技术基础设施能力，促进南非空间经济的可持续发展和增长。空间创新计划旨在加强空间科学和技术的本地能力；通过支持创新空间技术的开发和商业化，创造有益于国家的产品和服务。此次计划支持的解决方案有望通过扩展 SIH 的现有努力来推动空间产业的发展。这包括投资于创新解决方案的开发和商业化，以应对国家挑战并增加黑人拥有的中小企业的参与，以改变和发展南非空间经济。欢迎公认的南非法人实体提交申请，包括初创企业、中小企业、私营企业、科学委员会和高等教育机构。
将光与核自旋气体耦合，其两光子线宽为五millihertz
已被利用以在化合物中提出四分和高配位，例如[C（AUPR 3）4]和[C（AUPR 3）5] +。[13–17]在此表明，单个金原子也可以表现出类似于氢原子的化学。我们报告了实验和理论证据，表明一系列的Si -Au簇[Siau n]（n = 2-4）在结构和电子上与SIH n相似。相应[siau n]阴离子的光电光谱（PES）表明，[siau 4]的较大能隙为2.4 eV，因此表明非常稳定的分子。从头算计算表明，[Siau 4]具有理想的四面体结构，而[siau n]中化学键的性质具有与Sih n中的一对一的对应关系。甲硅烷的化学稳定性[siau 4]表明它可以合成为孤立化合物。目前的发现也与了解技术重要的硅及其界面中的化学相互作用有关。通过混合Au – Si靶的激光蒸气产生硅簇，并通过PES研究了它们的电子结构（请参阅实验部分）。图1显示了两个不同的
材料进展 - RSC 出版
在光催化应用方面，二维材料最近引起了人们的广泛关注。19,20此外，二维结构具有较大的表面积与体积比，可以创建额外的光催化反应位点，并且电荷载流子复合率低，导致其迁移到表面。21,22硅烯是一种二维六方晶格的单层硅结构，于2007年在理论上预测，并于2010年合成，23它拥有石墨烯的大部分优良电子特性。氢和硅烯的共价改性，称为硅烷（SiH），可以在布里渊区产生相当大的带隙，类似于石墨烯的带隙。24,25氢化消除了硅烯的导电性并产生了更稳定的结构，从而在可见光区域产生了较小的带隙，可用于光催化。多项研究表明，SiH具有合适的间接带隙和稳定的结构。 26 全氢化硅烯是一种良好的异质结复合材料，也已在实验和理论上进行了研究。27,28 由于高反应性的 Si-H 键可直接用作化学过程中的还原剂或反应物，因此它们特别受关注。29
Tadiran CNR-710MB - Elbit Systems
1.re V .8 s 1 -0 der l T K ho M 0- tive 1 P e p c .重新安排信息，否则将违反其职责，否则将导致无法进行正常通信。i dtL ure c s h m c et ros b y sih t S bi 6.T l 20 s kr E fo 1 .© 并非所有人都赞同我的观点，我并不赞同你们的主张，因为你们有权利在法律上支持你们，并且你们也应该相信，你们的主张是正确和合理的，否则你们将受到法律的制裁
帕金森，阿尔茨海默氏症和多发性硬化症（2013-2023）
摘要退行性神经系统疾病，例如帕金森氏病（PD），阿尔茨海默氏病（DA）疾病和多发性硬化症（EM）代表了主要的公共卫生挑战，尤其是在巴西。这些条件以神经功能的逐渐丧失，严重影响患者的生活质量并产生对卫生系统的需求增加。本研究旨在分析DP的医院住院，并在2013年至2023年之间在巴西进行。这是基于Datasus医院信息系统（SIH）提供的二级数据的描述性，回顾性和定量研究。在此期间在巴西处理的住院数据，重点是性别，年龄段，地区，颜色/种族和病例的演变。检测到的总住院时间为45,529。其中最高的频率发生在2023年（13.28％），而大多数住院的患者是女性（62.63％）。在颜色/种族方面，大多数人是自定义的白色（51.18％）。这项研究加强了对公共政策的需求，重点是改善该国这些状况的早期诊断和管理。关键字：神经病学；住院；巴西。
氨基硅烯 (HSiNH2
摘要：氨基硅烯分子（HSiNH 2 ，X 1 A ′） 是不饱和氮硅烯的最简单代表，它是在单次碰撞条件下通过气相基元反应形成的，反应涉及硅基自由基（SiH）和氨（NH 3 ）。反应由硅基自由基无势垒加成到氮的非键合电子对上引发，形成 HSiNH 3 碰撞复合物，然后通过从氮原子中失去氢原子，单分子分解为氨基硅烯（HSiNH 2 ）。与等价氨基亚甲基卡宾 (HCNH 2 , X 1 A ′ ) 相比，通过用硅取代单个碳原子，对等价甲亚胺 (H 2 CNH) − 氨基亚甲基 (HNCH 2 ) 和氨基硅烯 (HSiNH 2 ) − 硅亚胺 (H 2 SiNH) 异构体对的稳定性和化学键产生了重大影响；例如，卡宾与硅烯的热力学稳定性逆转了 220 kJ mol − 1。因此，发现第十四主族元素硅的等价性与原子碳几乎没有相似性，不仅对反应性而且对热化学和化学键也表现出显着影响。
Mortalidade por糖尿病No Estado da Bahia noPeríodode2012 A 2021
摘要|目的：描述2012年至2021年之间巴伊亚糖尿病的死亡率。Méto-：使用从SUS（SIH/SUS）医院信息系统和健康死亡率信息系统（SIM/MS）获得的时间系列二级数据的描述性生态研究。通过描述统计数据来分析以下变量：发生，性别，颜色/种族，年龄段，婚姻状况，教育和发生地点的年份。结果：从2012年到2021年，总共有52,307例与糖尿病有关的死亡，代表34.9/100,000居民的死亡率。在此期间，死亡记录有所增加，除了2014年至2015年之间的略有减少。在60至69岁的年龄组中，死亡人数更高（48.2％），女性（55.5％），率为38例/100,000居民。此外，棕色种族（55.2％），已婚婚姻状况（28.6％），缺乏正规教育（31.2％）以及医院环境中死亡的发生（63.9％）是主要特征。结论：多年来，巴伊亚的糖尿病与糖尿病相关的死亡率有所增加，尤其是在2012年至2021年期间，并且根据性别，年龄组，颜色/种族和教育水平而有所不同。这些结果强调了对高风险群体有针对性的护理策略的必要性，旨在降低与这种疾病相关的死亡率。
脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
3-D包装中的热应力
1。Han J，Norio n（2001）混合热传导边界的热应力问题周围是一个任意形状的孔，在均匀的热孔下裂缝。J热应力24（8）：725–735 2。Murakami Y等人（1987）应力强度因子手册，2：728。Pergamon Press/纽约牛津/首尔/东京3。Murakami Y等人（1992）应力强度因子手册，第三版。Pergamon Press/纽约牛津/首尔/东京，P 728 4。sih GC（1962）在裂纹尖端附近的热应力的奇异特征上。ASME，J Appl Mech 29：587–589 5。Hasebe N，Tamai K，Nakamura T（1986）对均匀热流下的扭结裂纹的分析。 ASCE，J ENG MECH 112：31–42 6。 chen y，Hasebe N（1992）内部板块中热绝缘曲线裂纹问题的新积分方程。 J Therm Recors 15：519–532 7。 Chao CK，Shen MH（1993）在热弹性培养基中使用术的明确解决方案。 J THERM压力16：215–231 8。 Chung HD，Beom HG，Choi Sy，Earmme YY（1998）圆形弧形裂纹的热弹性分析。 J Therm Rescorm 21：129–140 9。 Ting TC，Yan G（1992）由于热流而引起的各向异性双层质量的界面裂纹的R -1/2（LNR）奇异性。 J THERM压力15：85–99 10。 Chao CK，Chang RC（1994）不同各向异性介质中的热弹性界面裂纹问题。 J THERM压力17：285–299 11. Shen SP，Kuang ZB（1998）双压电介质中的界面裂纹以及与点热源的相互作用。 int J Sol结构30：3899–391 12。 ASME，J Appl Mech 27：635–639 13。Hasebe N，Tamai K，Nakamura T（1986）对均匀热流下的扭结裂纹的分析。ASCE，J ENG MECH 112：31–42 6。 chen y，Hasebe N（1992）内部板块中热绝缘曲线裂纹问题的新积分方程。 J Therm Recors 15：519–532 7。 Chao CK，Shen MH（1993）在热弹性培养基中使用术的明确解决方案。 J THERM压力16：215–231 8。 Chung HD，Beom HG，Choi Sy，Earmme YY（1998）圆形弧形裂纹的热弹性分析。 J Therm Rescorm 21：129–140 9。 Ting TC，Yan G（1992）由于热流而引起的各向异性双层质量的界面裂纹的R -1/2（LNR）奇异性。 J THERM压力15：85–99 10。 Chao CK，Chang RC（1994）不同各向异性介质中的热弹性界面裂纹问题。 J THERM压力17：285–299 11. Shen SP，Kuang ZB（1998）双压电介质中的界面裂纹以及与点热源的相互作用。 int J Sol结构30：3899–391 12。 ASME，J Appl Mech 27：635–639 13。ASCE，J ENG MECH 112：31–42 6。chen y，Hasebe N（1992）内部板块中热绝缘曲线裂纹问题的新积分方程。J Therm Recors 15：519–532 7。Chao CK，Shen MH（1993）在热弹性培养基中使用术的明确解决方案。J THERM压力16：215–231 8。Chung HD，Beom HG，Choi Sy，Earmme YY（1998）圆形弧形裂纹的热弹性分析。J Therm Rescorm 21：129–140 9。Ting TC，Yan G（1992）由于热流而引起的各向异性双层质量的界面裂纹的R -1/2（LNR）奇异性。J THERM压力15：85–99 10。Chao CK，Chang RC（1994）不同各向异性介质中的热弹性界面裂纹问题。J THERM压力17：285–299 11.Shen SP，Kuang ZB（1998）双压电介质中的界面裂纹以及与点热源的相互作用。int J Sol结构30：3899–391 12。ASME，J Appl Mech 27：635–639 13。Florence L，Goodier JN（1960），由于绝缘卵形孔对均匀热流的干扰引起的热应力。Hasebe N，Tomida A，Nakamura T（1988）由于均匀的热量吹动而导致的圆形孔的热应力。Yobayexiqe 11：381–391 14。 tuji M，Hasebe N（1991）裂纹的热应力，该裂纹是由于均匀的热量吹动的菱形孔的一角。 Trans JPN Soc Mech Eng 57：105-110（日语）Yobayexiqe 11：381–391 14。tuji M，Hasebe N（1991）裂纹的热应力，该裂纹是由于均匀的热量吹动的菱形孔的一角。Trans JPN Soc Mech Eng 57：105-110（日语）
高纵横比硅沟槽的蚀刻。
在 DRAM 器件中制造电荷存储电容器时，高纵横比 (AR) 沟槽对于实现大电容值必不可少。高 AR 沟槽的蚀刻会受到固有 RIE 滞后机制的影响，这是由于深沟槽底部的离子能量和蚀刻物质数量减少所致。本文提出了两种方法来尽量减少这些问题，从而实现更高的硅蚀刻速率和更深的沟槽。本文所述工作中使用的气体混合物为 HBr + NF 3 + O 2 。沟槽蚀刻工艺的设计目的是在蚀刻沟槽时在侧壁上连续沉积一层薄钝化膜。这种氧化物状钝化膜 (SiO x F y Cl z ) 可防止沟槽侧壁在 XY 平面表面被蚀刻时被蚀刻。在蚀刻过程中平衡形成钝化膜对于在高纵横比沟槽蚀刻中实现高度各向异性至关重要。尽管钝化膜形成于包括蚀刻前沿在内的所有表面上，但沟槽底部的膜却不断被入射到该表面上的高能离子去除。然而，侧壁上的膜不受离子轰击（除了那些以掠射角接收离子且能量 > 阈值能量的区域），因此不会被蚀刻，从而防止硅的横向蚀刻。该过程还提高了掩模选择性，因为钝化膜也沉积在掩模表面上，从而降低了其有效蚀刻速率。据悉，蚀刻工艺内置有沉积组件，可在沟槽表面形成氧化物状钝化膜。由于沟槽开口附近的壁暴露在高浓度反应物等离子体中的时间最长，因此此处的沉积物较厚（> 25 nm），并随着深度逐渐变薄至 < 5 nm。沟槽下部沉积物较薄的另一个原因是，从倾斜掩模偏转的一些离子以掠射角到达该区域并使薄膜变薄。顶部沉积物较厚的直接后果是开口收缩，从而减小了这一临界尺寸，这反过来又通过减少进入沟槽孔的离子和中性粒子的数量而增加了 RIE 滞后。因此，可实现的深度减小，电池电容也减小了。显然，通过减薄衬里定期扩大该开口将允许更多蚀刻物质进入沟槽，底部的立体角增加，从而实现更高的硅蚀刻速率。虽然减薄可以在单独的系统中完成，但我们建议在本文中现场执行此步骤。需要定制此原位等离子清洗工艺，以便在此步骤中不会显著蚀刻掩模。这很关键，因为减薄工艺按要求，等离子体中几乎没有或完全没有沉积成分。我们已成功使用硅烷（例如 SiH 4 ）和含 F 气体（例如 NF 3 ）的混合物以及少量或完全没有氧气来进行此减薄步骤。另一种方法涉及去除钝化层