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一种基于无模型的深钢筋学习方法，用于评估实时PV托管能力
通过铸造方法制备了由聚乙烯醇和羧甲基纤维素（PVA/CMC）组成的混合基质。SiO 2纳米颗粒以不同量的加固添加（Sio 2 = 1、2、3和4 wt。％）。这项研究利用FTIR来检查组成的变化以及混合矩阵与SIO 2的包含之间的相互作用。在第一次，使用接触角度和表面粗糙度参数的测量结果，使用SIO 2添加了SIO 2，研究了PVA/CMC混合矩阵的表面粗糙度和表面润湿性。随着SIO 2含量的增加，混合矩阵的表面粗糙度和润湿性增加。此外，混合矩阵光学特性由UV - 可见分光光度计确定。基于使用TAUC的关系分析，发现能量带隙从5.52降低到5.17 eV（直接过渡），从4.79降低到4.79 ev（pva/cmc和PVA/CMC和PVA/CMC/CMC/4％SIO 2 BlendEnflms）。PVA/CMC和PVA/CMC/4％SIO 2混合胶片的折射率从2.009增加到约2.144。此外，在添加SIO 2纳米颗粒后，PVA/CMC混合物的光学传导率和介电常数得到了改善。
Sio2/nbox复合材料的合成和应用...
在这项研究中，通过高能机械铣削随后进行了热处理，合成了一种新型的SIO 2 /NBO X复合材料，旨在探索其作为环境修复的吸附剂的有效性。使用X射线衍射（XRD），X射线荧光（XRF），氮吸附 - 吸附等温线，热力计分析（TGA），傅立叶型红外光谱（FTIR）和扫描电子显微镜（SEM）（SEM）进行彻底表征。XRD分析证实了SIO 2 /Nbox复合材料的无定形性质，与SI相比，NB的显着存在（81.1％）（15.8％），如XRF分析所示。在水溶液中使用亚甲基蓝（MB）染料进行了吸附研究，评估受控条件下的吸附能力和动力学。该复合材料表现出快速吸附能力，遵循伪一阶动力学模型，在短时间内达到39.32 mg g -1。Langmuir等温模型拟合了吸附数据，表明最大容量为16.7 mg g -1。这些发现突出了SIO 2 /NBO X作为去除染料的有效吸附剂的潜力，这有助于环境友好的废水处理解决方案。
SiO2/Si 中的机械光谱和内耗
开发了用于激发和记录厚度 h S 300 ÷ 500∙10 3 纳米和直径 D 60 ÷ 100∙10 – 3 米的 SiO 2 /Si 圆盘状晶片中的阻尼弯曲共振的方法、设计和制造了用于测量结构敏感内耗 (IF) Q – 1 的装置。开发了用于无损检测圆盘状半导体基板中结构缺陷积分密度 nd 和破损层深度 h bl 的技术。通过测量谐波频率 f 0 、f 2 下的 IF 背景 Q – 1 0，可以通过实验确定振动圆盘的节点线。这样就可以对寻找这些节点线的理论计算进行修正，同时考虑到圆盘的线性尺寸及其连接方法。研究了 X 射线和电子辐照 SiO 2 /Si 盘状晶片板后的温度中频谱 Q – 1 ( Т )。结果发现，在测量过程中，Si 结构缺陷的退火会改变温度中频谱 Q – 1 ( Т ) 的形状。在以速度 V Δ T/ Δ t ≤ 0.1 K/с 加热 SiO 2 /Si 晶片板时，可以观察到由点缺陷形成的中频峰 Q – 1 M 。这使得能够确定辐射缺陷各向异性复合体重新取向的活化能 H 。通过建立中频背景参数 Q – 1 0 的稳定性，可以确定半导体晶片板及其基于的器件的抗辐射性。所提出的方法可用作控制微电子用半导体晶片板晶体结构缺陷的无损方法。
SiO2胶片由APCVD带有Teos/ozone ...
二氧化硅SIO 2薄膜使用大气压化学蒸气沉积APCVD与四乙基硅酸盐Teos和臭氧O 3作为反应剂气体。这些纤维用作低温多晶型甲甲硅硅LTP薄膜晶体管TFTS的栅极介电。O 3气体而不是氧气O 2气体，因为后者与LTPS TFT的低温处理不兼容。SiO 2在低温下沉积的纤维纤维对栅极绝缘体材料所需的Si – OH含量和电性能低。尽管使用APCVD沉积的低成本SIO 2纤维制造了LTPS TFT，但制造的设备表现出49 cm 2 / v s的效果迁移率和490 mv / dec的subs Thresshord Swist。结果表明，APCVD用TEOS和O 3沉积的SIO 2是一种有前途的材料，用于低成本和高质量的LTPS TFTS。©2009电化学学会。doi：10.1149/1.3267039保留所有权利。
对上限SIO2和TIO2的比较研究以改进...
Comparative study on capped SiO 2 and TiO 2 to improve efficiency in plasmonic solar cell through modified synthesis approach P. Sarkar a,* , S. Panda b , B. Maji a , A. K. Mukhopadhyay c a Department of ECE, National Institute of Technology, Durgapur-713209, India b Department of ECE, Dr. Sudhir Chandra Sur Institute of Technology & Sports Complex,印度加尔各答-700074，C Margadarshak（导师），AICTE，新德里-110070，印度这项研究研究了等离激元改善对薄膜A-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Sio2纳米颗粒的光子吸收性特性的等离子增强对光子吸收特性的有效性。它还在暴露于阳光的情况下检查了其J-V特性。修饰的Stober方法用于辐照测试，以SIO2 1st剂量不同剂量的反射率较低：0.485mg/ml，SIO2 2nd剂量：0.693mg/ml和Tio2 1st 1st剂量：0.525 mg/ml，Tio2 2nd dose：0.525 ml，Tio2 2nd dose：0.748 ml g/ml g/ml g/ml g/ml g/ml g/ml ml。基于二氧化硅的太阳能电池显示出2.45％的效率提高，而基于二氧化钛的太阳能电池与未涂层样品相比提高了0.657％的效率。（2023年9月26日收到； 2024年1月3日接受）关键字：等离子体，二氧化硅，钛，太阳能电池1。引言工业革命改变了能源生产，运输和消费，但它会造成环境破坏和诸如化石燃料之类的自然来源的耗尽。过渡到清洁能源（例如核和可再生能源）可以减少碳排放，但是由于放射性废物的半衰期长，安全存储既有挑战性。绿色能源趋势正在增加。太阳能是一种有希望的可再生能源，具有最小的环境影响和高效率。太阳能光伏行业在2022年达到了295 GW创纪录的交付能力，将全球安装的PV总容量增加到1,198以上TW [1]。研发集中于提高光转换效率并降低成本以满足全球能源需求。当前的全球光伏太阳能电池市场为90％的晶体硅，10％由多晶半导体的薄膜组成[2,3]。薄膜光伏电池由于其材料的低含量，柔韧性，易于整合和适合大规模生产的能力而作为替代品生长[4,5]。薄膜氢化的A-SI太阳能电池的制造成本较低，简单过程和与各种底物的兼容性，但缺乏效率。
等离子处理对SiO2/Si和Si3N4/…的影响
将石墨烯集成到电子、光子或传感设备中的限制因素之一是无法在隔离器上直接生长大规模石墨烯。因此，需要将石墨烯从供体生长晶片转移到隔离目标晶片上。在本研究中，通过电化学分层程序将石墨烯从化学气相沉积的 200 毫米锗/硅 (Ge/Si) 晶片转移到隔离 (SiO 2 /Si 和 Si 3 N 4 /Si) 晶片上，使用聚甲基丙烯酸甲酯作为中间支撑层。为了影响石墨烯的粘附性能，本研究调查了目标基板的润湿性。为了增加石墨烯在隔离表面上的粘附性，在石墨烯转移过程之前用氧等离子体对它们进行预处理。润湿接触角测量表明，表面与氧等离子体相互作用后亲水性增加，从而提高了石墨烯在 200 毫米目标晶圆上的附着力，并可能在标准 Si 技术中对基于石墨烯的器件进行概念验证开发。