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类似于无定形 SiO2 表面，用于重金属吸附
图 1：非晶态 SiO 2 块体模型结构的对分布函数 (PDF)。图中用颜色对不同的对进行编码，Si-O 对用蓝线表示，Si-Si 用绿线表示，OO 用红线表示。y 轴表示归一化的对数，x 轴表示相应的距离（单位为 Å）。对于块体非晶态 SiO 2 模型结构和后续图中，Si 原子用黄色球体表示，O 原子用红色表示。
设计师SIO2元面积用于有效的被动辐射冷却
近年来，文献中提出了越来越多的被动辐射冷却材料，由于其独特的稳定性，无毒性和可用性，其中有几个示例依赖于使用二氧化硅（SIO 2）。尽管如此，由于其散装声子 - 孔子带，Sio 2在大气透明度窗口内呈现出明显的反射峰（8-13μm），从而导致发射率降低，这构成了挑战，以实现对亚物种的次级辐射辐射冷却的标准。因此，该领域的最新发展专门用于设计Sio 2光子结构的设计，以增加散装SIO 2辐射冷却器的冷却潜力。本综述旨在通过评估其冷却效率及其可扩展性来确定SIO 2辐射发射器的最有效的光子设计和制造策略，从而对各种类型的各种类型的sio 2 radiative Coolers sio（数值和实验）进行了深入的分析。
嵌入SiO2
x ge x /sio 2界面，而不是通过脱位成核。该机制导致嵌入式层的形态演化和局部肿胀，这是由SIO 2的粘性流促进的。在这些温度下，Si 1-X Ge X膜在粘性SIO 2中扩展，以最大程度地减少应变能。几何相分析证实，横向膨胀会导致GE凝结过程中积累的应变的松弛。我们建议这种现象可能是文献中已经报道的屈曲机制的起源。这项研究表明，Sio 2可以作为有效的符合性的符合性的底物，用于无缺陷的无缺陷GE RICE SI 1-X GE X薄膜。基于SIO 2矩阵粘弹性的新通用松弛过程可以应用于SI 1-X GE X膜以外的许多其他系统。这里制造的高质量无缺陷富富富富膜可以作为SI基板上各种2D或3D材料异质整合的良好模板。
界面对环氧树脂-SiO2 复合材料中有效水分扩散的影响
环氧树脂模塑料 (EMC) 用于保护集成电路 (IC) 免受环境影响，其中之一就是水分侵入，从而导致腐蚀。为了获得所需的热性能和机械性能，EMC 需要大量 (二氧化硅) 填料，从而引入大量界面。虽然硅烷偶联剂可以促进良好的粘合，但它们已证明会引入界面体积，从而在玻璃纤维填充的环氧树脂中表现出环氧树脂和 SiO 2 之间更快的水分传输。在这项工作中，我们研究了 EMC 中的填料颗粒是否也引入了这种界面体积，以及它是否会影响复合材料的水分扩散系数。我们将动态蒸汽吸附 (DVS) 进行的水分吸收测量与有效介质理论的预测进行比较，以及基于我们的样品的微 CT 扫描的数值模拟，用于包含不同填料水平的模型环氧树脂系统和具有两种不同填料水平的商业 EMC 样品。从测量的 DVS 数据中，我们观察到有效扩散系数高于 EMC 和模型系统不存在任何界面时的预测值。这表明应该存在一个界面层。
磁铁溅射的无定形硅– SIO2量化纳米胺
规格作为基于差异较小的材料的设计。除了折射指数外，材料还必须满足其他要求，其中的材料在波长范围内具有可忽略的损失。但是，在介电材料中，折射率和吸收边缘是连接的。[1]具有高折射率的材料在长波长下具有吸收边缘，而低折射率材料在短波长下具有吸收边缘。tio 2是具有最高折射率的介电材料，在频谱的可见范围（VIS）中，开始在≈400nm处发射。具有更高折射率的处置材料，而在VIS中保持透明，将具有广泛的实际相关性，因为它将允许使用层较低的层且整体厚度降低的干扰设计。如本文所示，纳米胺的沉积速率超过了TIO 2之一。预计厚度降低和高沉积速率都会导致涂料系统的生产率提高和制造成本降低。除了制造纳米酰胺外，一种将折叠指数与散装材料特性脱离的方法是扫视角度沉积，[2,3]中形成了柱状纤维结构，从而减少了有效的折射率。因此，将在散装层和具有相同材料的柱状结构的层面层之间发生干扰效应。[4,5]。在2016年[7]由于没有不同材料之间的接口，这打开了有趣的效果，例如板极化器或更高的激光损伤抗性。如参考文献所述，一种可比较的方法是由有机膜的离子蚀刻形成的自组织结构。再次，通过蚀刻降低了层的有效折射率，该蚀刻引入了局部和未定位的多孔结构。[6]如果将层用作抗反射设计中的最外层，则此效果是有益的。至于瞥见角度沉积，自组织层的缺点是对环境条件的敏感性提高。一个最近克服两个特征之间联系的概念是量化纳米胺（QNL）的，这是Willemsen，Jupé等人首次报道的。
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。
可扩展的生态友好修改的SiO2作为原油的破解器
提取的原油通常含有油中的水（W/O）乳液。在此研究中，在这项研究中合成了一种新型的破坏剂，通过用苯唑烷烃（SBKC）修饰二氧化硅。该破裂剂是用于处理W/O乳液的低成本和可生物降解溶液。两亲动物的解体以各种技术的特征，例如扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）。此外，还系统地研究了温度，站立时间和最佳拆除剂剂量的影响。二氧化硅已用不同的BKC含量变化。根据瓶子的测试结果，SBKC-20在50分钟内实现了与原油分离的完整水分（与原始二氧化硅相比为75分钟）。研究表明，温度对拆除效率的影响很大，因为SBKC-20在95°C的仅1分钟内分离水。界面张力（IFT），光学显微镜和接触角度测量也被用于更好地了解拆除机制。通过IFT和光学显微镜证实了SBKC-20颗粒穿透油水界面的能力。例如，SBKC -20将水和原油之间的IFT从18.6降低至6.9 mn.m -1。例如，SBKC -20将水和原油之间的IFT从18.6降低至6.9 mn.m -1。
植入或妊娠/哺乳高脂饮食改变成人后代的代谢和神经发生在PT/TiO2/Sio2/Si上的金红石TiO2薄膜的生长（SSTOP ...
图2。（a）电气测试前PT顶电极的SEM地形，（b）电气测试前PT信号，（c）电测试后的顶电极，以及（d）电测试后PT的信号。
纳米SiO2 改性聚丙烯薄膜热力学性能的分子动力学模拟
第 45 卷 第 5 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.45 No.5 Mar.5, 2025 2025 年 3 月 5 日 Proceedings of the CSEE ©2025 Chin.Soc.for Elec.Eng.2003
通过TIO2和SIO2纳米颗粒对太阳PV细胞上抗反射涂层的比较分析
印度钦奈速度工程学院机械工程系摘要：如今，从非常规能源来收集能量是一种新兴方法。中，太阳能是一个重要的来源，因为它的丰富性，可持续性，多功能性，成本效益和适应性的技术进步。太阳能光伏（PV）细胞具有将太阳辐射转换为电能的能力。但是，由于这种方法固有的光子反射，转化效率大约下降了约30％。光子反射主要基于太阳能电池表面的光学特性和物理特性。为了解决此问题，使用自旋涂层技术使用TIO 2和SIO 2纳米颗粒的组合使用单层和双层抗反射（AR）表面。混合TIO 2 -SIO 2纳米颗粒是通过使用Sol -Gel过程从其前体得出的。采用XRD（X射线衍射）方法来确认TIO 2 -SIO 2纳米材料的化学阶段。已经对涂层的厚度和粗糙度如何影响用抗反射涂层处理的表面的光学特征进行了分析。形态学信息和化学元素浓度是通过FESEM和EDAX分析获得的。已经测量了水接触角，以确保AR表面的疏水性质。由于具有增强的光学特性，AR涂层样品的功率转换效率从17.11％起到18.44％，这是未涂层样品的效率。随后，使用紫外线可见光谱仪用于通过分析其光谱响应（包括反射率，吸光度和带隙能量特性）来检查抗反射涂层的功效。关键字：反射（AR）涂层，XRD，EDAX，FESEM，太阳PV细胞，Tio 2 -Sio 2。